Патенты с меткой «гетероструктура»

Номер патента: 1358017

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, двойная, излучающих, приборов

...активной области в рабочем режиме, что ведетк стабилизации параметров излучателя.При этом эффективная излучательнаярекомбинация начинается уже при начальных положительных смещениях, т,е.значительно снижается порог лазернойгенерации. Кроме того, так как у прозрачного для излучения окисла металла ширина запрещенной зоны большеширины запрещенной зоны активного40слоя, происходит эффективное ограничение инжектированных неосновныхносителей через р-п гетеропереход.Следует отметить, что пленка проводящего окисла металла достаточноэластична и практически не создает45дополнительных кристаллических напряжений на гетерогранице при повышениитемпературы активной области во время инжекции носителей, Это понижаетобщий уровень безызлучательной...

Номер патента: 1837369

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Галченков, Образцов, Стрельченко

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучателя, импульсного, полупроводниковая, света

...Й - Р гетеропеехода электроны заполняют свободные сотояния в УБС до уровня, с которого тановится возможным надбарьерная инекция электронов в ШБС, прилежащий к а напряжение на коллекторном переходе е упало ниже величины напряжения лавиного пробоя этого перехода, то приведет кувеличению величины разряда С(сЬ) и, сле 25 30 35 40 45 довательно, уменьшению частоты следования импульсов. Если надбарьерная инжекция электронов в коллекторный переход произойдет позже указанного времени, то это приведет к меньшей величине переразряда С(сЬ), но и в этом случае произойдет уменьшение частоты следования импульсов.Предлагаемая конструкция ГС, реализованная в системе твердых растворов с обратной пропорциональной зависимостью коэффициента...

Номер патента: 505248

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий

МПК: H05B 33/02

Метки: гетероструктура

1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры...

Номер патента: 1387821

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением где А - параметр с...

Номер патента: 1157994

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и...

Номер патента: 1163777

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в излучательном слое, толщина дополнительного слоя по крайней мере в два раза меньше толщины излучательного слоя и меньше обратной величины коэффициента поглощения квантов света, возникающих в излучательном слое, а разница ширин запрещенных зон

Номер патента: 1165211

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01S 3/18

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного...

Номер патента: 1111645

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по...