Способ измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 94 Н 011 21/6 ПИСАН ЕТЕНИ ВИ ЕТ К АВТОРСКОМ анов.,ич(1- ) Т,. ес Ф ь е исталла;а; Т емпература,к аряд. электро остоянная Пл остоянная Бо авновесная п ристалла. еЬ -нка;ьцмана;оводимост ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(4 Ь) 30,11.87, Бюл, М 4471) Институт полупроводников АН УССР(56) Мерджалилова М,А. и др. Термости мулированная ЭДС на электронно-дырочном переходе. Физика твердого тела,1966, т8, вып, 10, с, 3090.ВцсЬХег М.Сг. Хшригйу сергея п р-и цпсМопв йе 1 егпппес Гош яМИв Ы 1 Ье 1 Ьегиа 11 у яИппйа 1 ей сцггп 1 апй сарасИапсе геяропяе май ЬеаСпд где. Яо 1 Ы 8 ае Е 1 ес 1 гопсв, 1972, ч. 15, р, 69.(54)(57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ,основанный на измерении тока черезобразец, снабженный контактами, в режиме контактного истощения и определении параметров глубоких уровнейрасчетным путем, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности, иэмерявт при фиксированнойтемпературе вольт-ампернув характеристику образца толщиной больше диффузионной длины носителей заряда, поменьшей мере один контакт выполненантизапорным на торце, определявт полевую зависимость дифференциального ЯО 1250107 наклона вольт-амперной характеристик в двойном логарифмическом масштабе и по величине минимального дифференциального наклона, по току и напряжени в этойточке определяют энергию акти нации глубоких уровней и время жизни носителей относительно рекомбинацион ного уровня по следующим формулам минимальное значение диренциального наклона ВАХдвойном логарифмическомштабе;значение тока при 3значение напряжения придлина кристалла;сечение кристалла;подвижность основных нолей заряда;эффективная масса основносителей;1 1250Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для измерения параметровглубоких уровней в полупроводниках.Цель изобретения - повышение точности.На фиг.1 приведена вольт-ампернаяхарактеристика (ВфХ) образца в двойном логарифмическом масштабе, измере,иная в режиме эксклюзии,на фиг.2 -по.левая зависимость дифференциальногонаклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе,П р и м е р . Исследовалась полупроБводниковая пластина германия р-типа судельным сопротивлением при комнатнойтемпературе р40 Ом. см иконцентрацией остаточной примеси Б -Б 1 6 10 см,-3где Ид - концентрация акценторов, Вконцентрация доноров, размеры которой0,96 х 0,42 х 0.,50 смс толщиной большебиполярной диффузионной длины Ь 1 мм),К узким торцам пластины изготавливались антизапорный и омический кон 107такты; антизапорный контакт изготавливался вплавлением индия на травленную в кипящем пергидроле (Й 0 ) поверхность германия, омический - вплавлением олова, Измерялась вольт-амперная характеристика исследуемого полупроводника при комнатной температуре в режиме постоянного тока. На фиг.1 представлены измеренные ВАХ в двойном логарифмическом масштабе в режиме эксклюзйи, При малых напряжениях ВАХ линейна, ток Х пропорционален напряжению 7, При больших - 1Чф.Определено минимальное значение дифференциального наклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе 1 =0,59 (фиг.2) и напряжение 7, при с(,: Ч = = 0,90 В и ток 1 при: 1 =1,02 х х 10А, подвижность дырок р/ р = - 1,8 10 э см/В , эффективная масса дырок ш= 0,55, рассчитаны величины энергииактивации дЕ = 0,37 эВ, вре.ф мени жизни носителей с,.= 4,2 10 ф с, степень компенсации ВИ = 6,5 10 сма125 10/ т 947 Составитель Л,Смирноваедактор Т,Янова Техред М,Мрргентал, Корр И,Му акая 5912ВН Подписнта СССР ытии аб ул, Проектная, 4 риятие, г. Уж лиграфическое оиаводственно Тир ИИПИ Государ по делам из 5, Москва,б 97енного комиетений и о5, Раушска
СмотретьЗаявка
3831760, 25.12.1984
ИНСТИТУТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН УССР
МАЛЮТЕНКО В. К, ЗЮГАНОВ А. Н, СМЕРТЕНКО П. С, ВИТУСЕВИЧ С. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней
Опубликовано: 30.11.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1250107-sposob-izmereniya-parametrov-glubokikh-urovnejj-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках</a>
Предыдущий патент: Дозиметр быстрых нейтронов
Следующий патент: Магнезиально-силикатный огнеупор
Случайный патент: Устройство для исследования кавитационных явлений