Чихрай

Номер патента: 1370683

Опубликовано: 30.01.1988

Автор: Чихрай

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...первого блокапреобразования и устройства 12 выборки и хранения второго блока 11 преобразования поступают на вторые входывычитающего устройства 10 первого бло 10 15 20 25 телей из области локализации - режимобеднения. При этом меняются электрофизические характеристики образца 2,в том числе и емкость от неравновесных значений к равновесным эа счетэмиссии носителей с заполненных глубоких уровней в обедненной областивыше уровня ферми в зону проводимости или в валентную зону в зависимости от типа глубоких уровней. Релаксация емкости исследуемого образцанепрерывно измеряется измерителем5 емкости, однако выборку значенийрелаксационного сигнала производятв определенные моменты времени с1 Эс и с каждого релаксационногопроцесса с помощью...