Способ изготовления терморезистора

Номер патента: 1348928

Автор: Золян

ZIP архив

Текст

(19 01 1 Э 5/О ОМИТЕТ СССР ИИ И ОТКРЫТИИ ДАРСТВЕННЫИ ЕЛАМ ИЗОБРЕ П ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ОТОВЛЕНИЯ ТЕРМ40 Чо 3206649, кл, 37 ельство СССР К 19/20, 1977. К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) СПОСОБ ИЗГ ОРЕЗИСТОРА(57) Изобретение относится к способу изготовления терморезистора, который может быть использован в устройствах, работаюцих при высоких температурах. Целью изобретения является увеличение температурного коэффициента сопротивления материала. Поставленная цель достигается за счет того, что используется полупроводниковый материал из оксида висмута. Преимугцеством данного способа является значительное повыгцение рабочей температуры терморезнстивного материала вплоть до 1000 К, отсутствие высоких требований к чистоте материала. 4 ил.1348928 формула изобретения 4 50 ЕОО 7 РО 8 Фиг. Г Изобретение относится к способам изго. товления терморезистора, который может быть использован в устройствах, в частности запоминающих, работающих при высоких температурах.Целью изобретения является увеличение температурного коэффициента сопротивления материала.На фиг. 1 представлена структура терморезистора; на фиг. 2 - зависимость сопротивления оксида висмута от скорости охлаж. дения 0,3 С в мин; на фиг. 3 - то же, от скорости охлаждения 25 С в мин; на фиг. 4 - то же, от скорости охлаждения 6,7 С в мин.Терморезистор состоит из таблетки 1, выполненной из полупроводникового материала - оксида висмута (ВгОз) В таблетку 1 вплавлены термостойкие выводы 2. Изготовление терморезистора осущест. вляют в следующей последовательности.Порошкообразный оксид висмута расплавляют в тигле, придают требуемую форму, вставляют в расплав электрические выводы и охлаждают до комнатной температуры. Электрическое сопротивление оксида висмута в области фазовых переходов зависит при этом от скорости охлаждения. а фиг. 2 представлена кривая влияния скорости охлаждения (0,3 С) на сопротпвлс ние оксида висмута. Здесь АВС - кривая при нагреве, СВА - кривая при охлаждении.При 730 С происходит фазовый переход из непроводящего в проводящее состояние.5 На фиг. 3 представлена зависимостьизменения проводимости оксида висмута от температуры, но при скорости охлаждения 25 С в минуту для некоторой промежуточной (между 0,3 и 25 С) скорости охлаждения кривая гистерезиса для оксида висмута представлена на фиг. 4.Терморезистор может найти применениев устройствах, фиксирующих превышение требуемой температуры при контроле технологических процессов, химических реакций 15 ит п Способ изготовления терморезистора наоснове оксида металла, включающий плав ление оксида металла и его термическуюобработку, отличающийся тем, что, с целью увеличения температурного коэффициента сопротивления материала, он выполнен из двух- трехокиси висмута, которую нагревают в воздушной атмосфере до температуры плавления с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 0,3 - 25 С в минуту.1348928 ОО 7 ПО 0 900 Й 0 700 8 Фи. Ф аксимишине Редактор А. МаковскаяЗаказ 4804/53ВНИИПИ Государств13035,Производственно-пол Составитель В. ТелеТехред И, ВересТираж 696енного комитета СССР по делМосква, Ж - 35, Раушскаяиграфическое предприятие, г. иковКорректор М. МПодписноеам изобретений и открытийнаб., д. 4/5Ужгород, ул. Проектная, 4

Смотреть

Заявка

3495600, 27.09.1982

Т. С. Золян

ЗОЛЯН ТИГРАН СУРЕНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 35/00

Метки: терморезистора

Опубликовано: 30.10.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1348928-sposob-izgotovleniya-termorezistora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления терморезистора</a>

Похожие патенты