Беркелиев

Номер патента: 1836762

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Беркелиев, Долгих, Лопота, Рудой, Сорока

МПК: H01S 3/223

Метки: азота, возбуждением, второй, газовый, лазер, молекулы, переходах, положительной, пучком, системы, электронным

...стационарную инверсию и генерацию в видимой области спектра на Зр - Зз переходах неона в четырехкомлонентной смеси Не/Ме/Аг/К 2 одновременно с генерацией в УФ на 2+ системе азота и в ближнем ИК на переходах аргона 301/2)1,о - 4 р 3/2)2,1, на которых наиболее эффективно происходит генерация при возбуждении смеси Не/Аг.Необходимое условие получения генерации на переходах аргона и неона состоит в достаточно высокой добротности резонатора на соответствующих длинах волн, то есть в стандартном условии превышения коэффициентом усиления слабого сигнала на данном переходе ао порогового коэффици ента усиления. Для простого резонатора из двух зеркал с коэффициентами отраженияВ 1, В 2 это условие имеет очевидный вид(безучета дифракционных...

Номер патента: 660508

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Беркелиев, Гольдберг, Мелебаев, Царенков

МПК: H01L 31/04

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...имеет наибольшее значение минимальнойэнергиипрямых оптических переходови барьерного контакта,50С целью получения селективной фоточувствительности, материал имеетнаименьшее значение минимальной энергии прямых оптических переходов убарьерного контакта.55фотоприемник может быть выполненна основе твердого .раствора СаА 1 Р,где х=0,2 у контакта из золота, Наодной стороне пластины расположен полупрозрачный барьерный контакт, ана другой - омический.При освещении такого прибора светом через полупрозрачный слой металла, создающего барьерный контакт, вполупроводнике образуются носителизаряда, которые разделяются полем потенциального барьера. Если кристаллимеет плавно уменьшающуюся в направлении от барьерного контакта минимальную энергию...