Судилковский

Номер патента: 730213

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Демиденко, Драбович, Комаров, Маслобойщиков, Пазеев, Пономарев, Слесаревский, Судилковский, Юрченко

МПК: H01L 21/98

Метки: транзистор

...содержит теплоотводящую пластину 1, являющуюся коллекторным электродом и выполненную изэлектропроводящего материала, транзисторные структуры 2, токосъемы:коллекторный 3, эмиттерный 4, базовый 5, базовый и эмиттерный электроды 6 и 7, изоляционные прокладки 8и 9 между ними. Транзисторные структуры 2 закреплены на теплоотводящей пластине 1 и назодятся с ней втепловом контакте. Коллекторные выводы транзисторных структур 2 присоединены к теплоотводящей пластине 1,Теплоотводящая пластина 1 и электроды 1, 6 и 7 присоединены соответственно к коллекторному 3, эмиттерному4, базовому 5 токосъемам, В электродах 6 и 7 выполнены отверстия 10.На изоляционных прокладках 8 и 9 соответственно в плоскостях электродов6 и 7 размещены дополнительные...