Аболтиньш

Номер патента: 1355060

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 27/10

Метки: полупроводникового, резистора, сопротивлением

...из полупроводниковой пластины 1, часть которой помещена между обкладками конденсатора 2 и изолирована от нйх диэлектрическими пленками 3. Конденсатор подключается к регулируемому источнику питания 4, а выводы - метал" лические точечные зонды 5 располагаются на полупроводниковой. пластине н плоскости, перпендикулярной обкладкам конденсатора, симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупроводниковой пластины, и подключаются дляконтроля к измерителю сопротивления 6. Приспособление 7 служит для измерения расстояния между зондами и от зондов до обкладок конденсатора.П р и м е р реализации устройства. В качеСтве полупроводниковой пластины взят ЩБ с;удельным сопротивлением 0,1 Ом м и размерами 20 х 1 О х х 0,4 мм, который помещается...

Номер патента: 1308119

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Аболтиньш, Золовина, Кугель

МПК: H01L 29/68

Метки: полупроводниковый, прибор

...изолированный полевой электрод, а на другой симметрично первому электроду расположен аналогичный второй электрод, и два электрода, расположенные в ряд и образующие с пластиной омические контакты. Расстояние между вторым электродом и наиболее удаленным от него электродом, образующим омический контакт, определено соотношением, Пластина выполнена из кремния, удельное сопротивление которого определено соотношением 10ф фС: трика, электроды 6 и 7, образующие с пластиной омические контакты.Бып изготовлен полупроводниковый прибор, в котором кремниевая пластина, п-типа проводимости имела удельное сопротивление 0,1 Ом м и размеры 20 х 10 х 0,5 мм. Изолированные металлические электроды были изготовлены из латуни с размерами 10 х 10...

Номер патента: 1265704

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Аболтиньш, Муша

МПК: G05B 23/02

Метки: автоматизированного, параметров, реле

...с информа-, ционным входом соответствующего триг- Вгера в регистре 44.Информация с выхода регистра 44 поступает на входы блока 4 индикации, причем замкнутому контакту соответствует светящийся диод. Отрицательный импульс, поданный на вход25 30 35 40 45 50 55 элемента И ЗЬ, поступает на тактовый вход триггера 20 пуска в блокеЬ (фиг. 4) и своим задним положительным фронтом приводит триггер 20 висходное состояние, при котором генератор 30 заторможен,а делитель 29,счетчик 28 и дешифратор 33 переходят в нулевое положение,Если на такте контроля состоянияконтактов сигнал несовпадения отсутствовал, то контроль реле продолжается, С появлением логического нуляна шестом выходе дешифратора 33 заканчивается первый цикл контроляреле, когда задается...

Номер патента: 1085390

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...потенциалов между зондами от удельного сопротивления исследованных полупроводников КЭФ и КДБ,Устройство для определения типа проводимости (фиг. 1) состоит из двух обкладок 1 конденсатора, между которыми помещена исследуемая пластина 2 полупроводника, изолированная от них диэлектрическими пленками 3. Свободная поверхность пластины полупроводника длиною Ь находится вне обкладок конденсатора. На ней установлены два металлических зонда 4, подсоединенные к вольтметру 5 постоянного напряжения, а конденсатор подключен к высокочастотному генератору 6.Переменное электрическое поле наводится конденсатором в локальной обЛасти полупроводника. Оно вызывает колебательное движение свободных носителей заряда и ионов примеси, Так как последние...

Номер патента: 1131398

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, уровней, энергетических

...бегущей от источника (конденсатора) и отраженной от края полупроводника волн возникает стоячая волна кристаллической решетки. В узлах стоячей волны процессы генерации и рекомбинации определяются тепловыми явлениями, а в остальных областях стоячей волны процессы рекомбинации происходят интенсивнее за счет встречных колебаний ионов кристаллической решетки и свободных носителей заряда. Это приводит к уменьшению концентрации свободных носителей заряда в пучностях по сравнению с областями узлов стоячей волны. Таким образом, вдоль полупроводника будет наведено распределение концентрации свободных носителей за 25 30 35 40 45 50 551131ряда с закономерностью, обратной распределению колебаний в стоячей волне. Между двумя металлическими. зондами...

Номер патента: 983600

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аболтиньш, Дзилюмс, Нетунаева, Ярополова

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля, топографирования

...токи оказывают реакцию на магнитное поле иизменяют добротность контура, в который подключен виток. Таким образом,25величина добротности, показываемаяизмерителем добротности 2, зависитот концентрации свободных носителейзарядов в полупроводнике. Затем вихревые токи усиЛивают лучом света,падающим на полупроводник. от сканирующего .источника 4 света.Устройство работает следующим образом.При освещенииполупроводника 3 врезультате внутреннего Фотоэффектавозникают избыточные свободные носители заряда. Увеличение концентрациисвободных носителей зарядов усиливает вихревые токи, что, как было описано выше, изменяет добротность катушки. Усиление вихревых токов осуществляют в локальных областях. Лучсвета сканирует поверхность полупроводника 3. Там,...

Номер патента: 657681

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Аболтиньш, Друсейк, Зилбалодис, Розин, Силис

МПК: A22C 25/14

Метки: обезглавливания, рыбы

...с боковыми рычагами 4 через пару рычагов 19, в прорезях которых скользят пальцы 20, жестко закрепленные на боковых рычагах 4.5 О Закрепляя пальцы 20 в различных положениях, можно изменять величину раздвижки транспортеров 7.Пружины 21 одним концом прикреплены к гильзе 18, а другим - к пальцам 20 и служат для удержания транспортеров в исходном положении.Приспособление для обмера и центрирования рыбы, дисковые ножи 3 с пневматическим приводом и пневмоцилиндр связаны с системой автомати- Щ ческого управления, состоящей из преобразователей 22, штеккерной панели 23 с электронным блоком и воздухораспределителя 24 с электромагнитом. Устройство работает следующим образом.Перед включением устройства в работу производят настройку ножей 3 на...

Номер патента: 764749

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Аболтиньш, Друсейк, Зилбалодис, Розин

МПК: B07B 7/08

Метки: сортировочное, центробежное

...валом 1. Под наклоннойрешеткой 22 симметрично по отношению к приводному валу 1 закрепленыс помощью кронштейнов воронки 25 и26. Рабочий орган б приводитСя вдвижение от шкива 27, установленного на верхнем конце вала электродвигателя 28 через клиноременную 29,зубчатую 30 и плоскоременную 8 передачи. От шкива 31, установленногона нижнем конце вала того же электродвигателя, при помощи клиноременной передачи 32 вращение передаетсяприводному валу 1 и насаженному нанего ротору 2, Ротор 2, кроме вращательного движения, совершает также иколебательное движение. Направленныеколебания передаются через подшипниковую опору 33 от электромеханического вибратора 34 с помощью двухнаправляющих 35 и амортизатора 36.От приводного вала 1 через...

Номер патента: 425774

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Аболтиньш, Вихарева, Дундарс, Изобретени, Розин

МПК: A22C 25/18, B26D 1/06

Метки: 425774

...и рукоятки с приводом.При возвратно-поступательном движениилезвий в зоне резания такого устройства возникают большие сопротивления, в результатечего качество среза получается недостаточновысокое. При этом лезвия сложны в изготовлении.Целью изобретения является улучшение качества резания,Для этого в предлагаемом устройстве длярезания пищевых продуктов лезвия выполнены в виде клиньев, режущие кромки которыхрасположены под углом 15 - 20 к горизонтальной плоскости в направлении резанияпродукта.На фиг. 1 изображена кинематическая схема устройства; на фиг. 2 - лезвия; на фиг. 3 -вид по стрелке А на фиг. 2; на фиг. 4 - разрез по Б - Б на фиг. 2.Предлагаемое устройство состоиг из двухлезвий 1, приводимых во встречное...

Номер патента: 166763

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Аболтиньш, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: измеритель, свойств, сеч, физических

...Изме на СВ водную часоии кально секции которы подписная групсса142 Для контроля физических свойств полупроводников и диэлектриков чрезвычайно важно измерение этих свойств на небольшой поверхности тела бссконтактным методом при одностороннем доступе к изделгпо. Для измере ния используют резонаторы со щелями, через которые вводят исследуемьш образец, два волновода и мостовые схемы. Форма тела и его размеры должны быть строго определенны. 10Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем применен щелевой излучатель с плавным переходом, обеспечивающцм согласование волновода со щелью. Использование щелевого излучателя позво ропзводпть обмер изделия на малои ности прп одностороннем доступе к струкцпя щелевого излучателя...