Патенты с меткой «совершенства»
Способ определения степени совершенства
Номер патента: 282528
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 33/12
Метки: совершенства, степени
...нченностн В участке 13 аспол(1 женос мсгкду полОсами, будет составлять некоторый угол с на282 з 28 Предмет изобретения Составитель С. С. ЛукинскаяТехред Л. Я, Левина Корректор Е, Н. Миронова Редактор Т, Иванова Заказ 3596/5 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 праВлс 1 пез 1 1 амагп 11 чпВ 11 юшего поля, Обу словленный наличием в металле равных по трудности намагничивания направлений. Вектор намагни ениости раскладывается на две составляющие; параллельну 1 О и нормальную 5 к полю.Как известно, кривая зависимости вели пп 1 ы нормальной составля)01 цсй Вектора намагниченности несет В себе полную информацию о степени...
Устройство для определения степени совершенства кристаллографической текстуры на целых листах магнитных материалов
Номер патента: 473134
Опубликовано: 05.06.1975
МПК: G01R 33/12
Метки: кристаллографической, листах, магнитных, совершенства, степени, текстуры, целых
...поверхности измеряемого листа, причем верхняя обмотка включена встречно к оомоткам нижнеи секции, которые намотаны оифилярно и включены последовательно.10 Йа фиг, 1 изооражена схема усфиг. 2 - схема соединения катуштельным блоком О.датчик устройства включает корпус 1, вкрышке которого жестко закреплена ось ро тора 2 электродвигателя постоянного тока,причем на ось насажены токосъемные кольца 3. Ось ротора проходит через две втулки 4, запрессованнье в статор о, которыи выполнен в виде кольцевого постоянного магнита 20 со скосами в нижней части. Скосы статора образуют полюса, в воздушном пространстве между которыми расположены и скреплены со статором катушки поля б,и 8, объединенные в две секции.25 Устройство работает следующим...
Устройство для контроля совершенства кристаллической структуры диэлектрических стержней с парамагнитными примесями
Номер патента: 525016
Опубликовано: 15.08.1976
Авторы: Дранов, Кичигин, Чернина
МПК: G01N 27/78
Метки: диэлектрических, кристаллической, парамагнитными, примесями, совершенства, стержней, структуры
...слоев листового пермаллояэкран 6, Волновод припаян к крышке 7 резонатора 1. У места крепления к резонатору в экране просверлено окно 8, которое закрывается медными пробками. Стержень перемешается с помощью винта 9, который одним концом прикреплен к держателю стержня. Поступательное перемещение стержня обеспечивается гайкой с накаткой, закрепленной неподвижно. Резонатор 1 прикреплен к СВЧ-тракту спектрометра ЭПР с помощью фланца 10,Дезонатор помещается в магнитное поле так, чтобы окно 8 находилось в центре зазоПодписное Совета Министров ССС открытий аб д,4/5осударстве по дела Москва, Ж 3035,Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ра между полюсчыми наконечниками электромагнита.С помощью окна в полости волновода, огна иченной...
Способ исследования совершенства структуры монокристаллов
Номер патента: 534677
Опубликовано: 05.11.1976
Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структуры
...в положении Брэгг-дифракции.Дифрагированные им лучи регистрируются4 Ьсчетчиком излучения 5. Часть рентгеновского излучения, поглощенная кристаллом, вызывает фотоэмиссию электронов, которые выходят из кристалла с определенной кинетичесЯкой энергией,Процесс поглощения рентгеновского кван( Ста энергией п - ( Я - постоянная Планка, с - скорость света, Л - длина волныпадающего излучения) носит локальный характер. Образовавшиеся фотоэлектроны, распространяющиеся по поверхности кристалла,по мере своего движения взаимодействуют сэлектронами атомов решетки кристалла. Врезультате неупругого рассеяния часть элект 9 ронов полностью теряет свою кинетическую энергию и поглощается. Покидают кристалл только электроны, вылетающие с определенной...
Устройство для исследования совершенства структуры кристаллов
Номер патента: 543858
Опубликовано: 25.01.1977
Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Палапис, Семилетов, Шилин
МПК: G01N 23/22
Метки: исследования, кристаллов, совершенства, структуры
...рентгеновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно осиглавного гониометра 6,25На чертеже обозначено:м0 - ось вращения кристалл-монохроматора;О - ось вращения главного гониометра0-0 - оптическая ось спектрометра;- рентгеновские кванты первичногоизлученияЙ - кванты флуоресцентного излучения;Е - электроны внешней фотоэммиссии,Устройство рабоает следующим образом.Рентгеновские лучи от источника 3 огра-З 5ничиваются по расходимости коллиматором 4,кристалл-монохрома 1 ором 1 и падают подуглом дифракции Ч для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2. Кристалл располо Ожен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5,...
Устройство для определения степени совершенства кристаллографической текстуры в отдельных участках листовых магнитных материалах
Номер патента: 662887
Опубликовано: 15.05.1979
Авторы: Корзунин, Ляпунов, Уварова, Щербинин
МПК: G01R 33/12
Метки: кристаллографической, листовых, магнитных, материалах, отдельных, совершенства, степени, текстуры, участках
...кольцевого постоянного магнита. Через отверстие 6, выполненное в магнитопроводе, проходит ось 7 электродвигателя 8. На оси 7 установ - леныизолированные от нее токосъемныекольца 9, с которыми соединены выводы измерительной катушки 5, К токосъемным кольцам посредством токосъемных щеток (на фиг. не показаны) подсоединен измерительный блок 10.Устройство работает следующим образом.Датчик устанавливают на исследуемыйлист и включают напряжение питания двигателя 8, посредством которого приводится 15 во вращение измерительная катушка 5. При выбранной конструкции нам агничивающей системы внешнее магнитное поле в каждой точке участка исследуемого металла, приходящегося на место зазора между кольцевым постоянным магнитом 1 и магнитопроводом,...
Способ определения степени совершенства кристаллографической текстуры рулонного ферромагнитного материала
Номер патента: 748232
Опубликовано: 15.07.1980
Авторы: Кожевников, Корзунин, Рубцов, Чистяков
МПК: G01N 27/86
Метки: кристаллографической, рулонного, совершенства, степени, текстуры, ферромагнитного
...показаныследы 4 полюсов электромагнита, измерительная катушка 5, движущаясяпоЛоса 6 проката,Кривая 1 показывает зависимостьнормальной составляющей вектора10намагниченности от угла перемагничивания образца с совершенной текстурой типа (110) (100) - плоскостьобразца совпадает с диагональнойплоскостью куба (110), а направление 15прокатки с направлением легкогонамагничивания, т.е. с ребром куба (100)Кривая 2 характеризует материал сменее совершенной текстурой того 3)же типа. Расчет и эксперимент показывают, что обе кривые имеют рядэкстремумов, Первый минимум у нихрасположен под углом между направлением прокатки и направлением внешнего поля, равным 25,5 О, при этомамплитуды кривых 1 и 2 в этой точке "-"-различны, т.е. по величине минимумана...
Устройство для исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 855457
Опубликовано: 15.08.1981
Авторы: Адонин, Батурин, Михайлов, Титов, Фокин
МПК: G01N 23/22
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного
...излучения, кристалл-монохроматор 2, коллиматор 3, исследуемый,монокристалл 4, установленный н держателе с гониометрическим устройством (не показаны), детектор 5 рентгеновского излучения, оптический детектор б, прерыватели 7 и 8, первый из которых установлен на пути падающего на исследуемый монокристалл 4 рентгеновского пучка, а второй установлен на пути люминесцентного излучения исследуемого монокристалла, идущего на оптический детектор б, Прерыватели 7 и 8 выполнены н виде дисков, синхронно вращающихся от привода 9, и снабжены отнерстиями (или системами отверстий) 10 и 11.Устройство работает следующимобразом.Монохроматизиронанный коллимиронанный пучок рентгеновского излучения падает на исследуемый монокристалл 4 под бреггонским...
Способ исследования структурного совершенства поверхностного слоя монокристалла
Номер патента: 894500
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Александров, Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Лобанович, Фалеев
МПК: G01N 23/207
Метки: исследования, монокристалла, поверхностного, слоя, совершенства, структурного
...с энергией25 кэВ при дозах 3,110 см- и6,210"ф см . Измерения производились на трехкристальном спектрометре при использовании СцК,- излучения и симметричного отражения типа (Ш),На Фиг.б показана серия спектровкремния облученного ионами бора сдозой 3,1 10" см-, а на фиг.7представлены хвосты двухкристальной кривой отражения от этого кристалла, причем пунктиром показанакривая отражения до облучения. Изфиг,7 видно, что при углах, меньшихбрегговского, появляется дополнительная область днфракции, тогда какс другой стороны кривая отраженияпрактически совпадает с кривой от"ражения ненарушенного кристалла.Этот факт находит четкое выражениев трехкрнстальных кривых, полученных предлагаемым способом, При по"вороте кристалла в сторону большихуглов...
Рентгеновский спектрометр для исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 894502
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Суходольский, Шилин
МПК: G01N 23/207
Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного
...на собственном поворотном держа" теле 13, установленном на держателе 8.Все держатели 3, 5, 8, 13 снабжены, как это принято в дифрактометричес- фо кой аппаратуре, средствами юстировки кристаллов путем их перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, как зто, например, реализовано в известном устройстве, 65 Спектрометр работает следующим образом.Рентгеновский пучок от стационарного источника 1 падает на первый кристалл-монохроматор 2, установленный в отражающее положение, например, с помощью детектора (не показан), Отраженный от кристалла-монохроматора 2 рентгеновский пучок падает на воторой кристалл-монохроматор 4,установленный параллельно монохроматору 2 с помощью поворотной платформы 6 и поворотного держателя 5. При этом...
Способ определения степени совершенства кристаллографической текстуры в отдельных участках целых листов магнитных материалов и устройство для его реализации
Номер патента: 896585
Опубликовано: 07.01.1982
Авторы: Корзунин, Римшев, Уварова, Чистяков
МПК: G01R 33/12
Метки: кристаллографической, листов, магнитных, отдельных, реализации, совершенства, степени, текстуры, участках, целых
...способа не учитывать.Как видно на фиг. 1, при угле Ч= - величина четвертой гармоникиУ4равна нулю, а величина второй гармоники максимальна. Поэтому, измерив значение Э под углом - к направлеЛ:4нию прокатки, мы получаем амплитудувторой гармоники. Максимальное значение четвертой гармоники наблюдаемУпод Углом 8 . Измеряемое значение Угпри этом угле складывается из амплитуды четвертой гармоники А и амнли(.туды второй гармоники А, умноженнойна величину з 1 п М/з 1 п 2 Ч ( Ю- значение угла, при котором максимальнаявторая гармоника) . Отсюда следует,Б 1 пУчто А,:Э-. А ., т.е. вычитаяз 1 приз измеренного под углом - значениями8 15 опре)деленную ранее амплитуду А,помноженную на коэффициент з 1 пЧ/з 1 п 2 Ч,получаем значение амплитуды...
Рентгеновский спектрометр для исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 898302
Опубликовано: 15.01.1982
Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Шилин, Якимов
МПК: G01N 23/207
Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного
...содержит стационарный источник рентгеновского излучения 1, первый кристаллмонохроматор 2, установленный в поворотном держателе 3, второй кристалл-монохроматор 4, установленный в поворотном держателе 5, который расположен на поворотной платформе 6, Исследуемый монокристалл 7 установлен в поворотном держателе 8, когорый расположен на второй поворотной платформе 9, Оси поворотов платформ б и 9 совпадают с осью поворотадержателя 3 первого кристалла-монохроматора 2, Дифрагированное исследуемым монокристаллом 7 излучение регистрируют детектором 10, который установлен с возможностью поворота относительно оси поворота держателя 8 исследуемого монокристалла 7 В спектрометр могут быть введены дополнительные детекторы для целейнастроики...
Способ исследования структурного совершенства пьезоэлектрических монокристаллов
Номер патента: 935759
Опубликовано: 15.06.1982
Авторы: Адамян, Безирганян, Заргарян
МПК: G01N 23/205
Метки: исследования, монокристаллов, пьезоэлектрических, совершенства, структурного
...топограмму получают в условиях воздействия на исследуемый монокристалл постоянного электростатического поля.На чертеже показана схема получения рентгеновской топограммы методомЛанга..Рентгеновский пучок 1, прошедшийчерез коллимирующие щели 2, падает35под брегговским углом на исследуемый пьезоэлектрический монокристалл3 с косым срезом, помещенный междупрозрачными для рентгеновского излу 40чения обкладками конденсатора 4, накоторые подается постоянное напряжение от источника (не показан), Прошедший через коллимационную щель 5,задерживающую также первичный пучок1, дифрагированный пучок 6 рентгенов 45ского излучения попадает на рентгеновскую пленку 7 Монокристалл 3 ипленка 7 во время съемки топограммысовершают...
Способ исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 957077
Опубликовано: 07.09.1982
Авторы: Безирганян, Кочарян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного
...ленточный пучок 1 рентгеновского излучения направляют под углом Вульфа-. Брэгга на плоский монокристалл 2. Дифрагированный. монокристаллом 2 пучок 3 рентгеновского излучения падает на клиновидный монокристалл 4. Монокристаллы 2 и 4 установлены на независимых осях поворота (не пока заны)двухкристалльного спектрометра. Дифрагированные клиновидным моно- кристаллом 4 пучки 5 и б регистрируют с помощью рентгеновской пленки. При наличии разориентации монокристаллов 2 и 4 в дифракционной картине присутствует картина муара с маятниковыми полосами.В случае идеальных кристаллов (не имеющих решеточных поворотов, растяжений и сжатий) вершины маятниковых полос должны быть расположены на центральной линии 00 отраженного от системы пучка, так...
Способ исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 1035489
Опубликовано: 15.08.1983
Авторы: Аветисян, Безирганян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного
...причем рентгеновский пучок направляют под угломВульфа-Брэгга к выбранной системе кристаллографических плоскостей идеального монокристалла и регистрируютдифракционную картину за исследуемым монокристаллом, по которой судят о его структурном совершенстве Г 23В известном способе повышение чувствительности достигается за счетдифракционного увеличения получаемойдифракционной картины эа исследуемым объектом ( монокристаллом) с помощью более. толстого совершенногомонокристалла.Однако известный способ не позволяет исследовать незначительные нарушения кристаллической решетки исследуемого монокристалла.Цель изобретения - повышение чувствительности способа,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу исследованияструктурного...
Способ определения степени совершенства кристаллической структуры диэлектриков
Номер патента: 1104403
Опубликовано: 23.07.1984
Авторы: Бершов, Брик, Ищенко, Матяш
МПК: G01N 24/10
Метки: диэлектриков, кристаллической, совершенства, степени, структуры
...диэлектриков, включающему регистрацию спектров электронного парамагнитного резонанса образца, проводят вторичную регистрацию спектров электронного парамагнитного резонанса при воздействии на образецвнешним электрическим полем, напряженность Е которого должна удовлетворятьусловию2 к т =0,6,30 к - постоянная Больцмана;Т - температура кристалла;с - дипольный момент,и по изменению интенсивности сигналовэлектронного парамагнитного резонанса,по сравнению с интенсивностью сигналов35 электронного парамагнитного резонансапри Е =О, находят Ло . - ширину функциираспределения внутренних электрическихполей, по которой из соотношения Еср=-определяют величину напряженности сред 40 него внутреннего электрического поля Еср,которая характеризует степень...
Способ оценки совершенства кристаллического строения минералов
Номер патента: 1117516
Опубликовано: 07.10.1984
Авторы: Красников, Лапушков, Тумуров
МПК: G01N 27/00
Метки: кристаллического, минералов, оценки, совершенства, строения
...электрического сопротивления и определяют зависимость величины СКС от величины остаточного электрического сопротивления, При измерении К ток через образец фиксируют через две минуты после включения н 2 О напряжения. Получаем кривую, изобра- женную на фиг. 1, Левая часть кривой соответствует скрытокристаллическим образованиям, правая часть кривой - совершенным кристаллам 25 гидротермальных мес торождений. Затем на исследуемых образцах кварца, при прочих равных условиях (напряжение питания, температура, время измерения и т.д.) измеряют остаточное электрическое сопротивление и по найденной зависимости (фиг. 1) определяют величину СКС.Приведенная на фиг. 2 зависимость начальнсго электрического сопротив 35 ления от суммарной концентрации...
Рентгенографический способ исследования структурного совершенства монокристаллов (его варианты)
Номер патента: 1133520
Опубликовано: 07.01.1985
Авторы: Асланян, Безирганян, Заргарян
МПК: G01N 23/20
Метки: варианты, его, исследования, монокристаллов, рентгенографический, совершенства, структурного
...дифракцию лентообраэного падающего пучка на ступенчатый кристалл в двух случаях: первичный пучок падает с 1 О гладкой стороны монокристалла (фиг.1), первичный пучок падает со ступенча- той стороны монокристалла (фиг. 2). При лентообразном падающем пучке 15поперечное сечение пучков, дифрагированных в ступенчатых мозаичных и со,вершенных монокристаллах, будетиметь вид, показанный на фиг. 5-12,где обозначены . ступенчатый моно Окристалл 1, первичный пучок 2, поперечное сечение 3 дифрагированногопучка, когда первичный пучок падаетс гладкой стороны, поперечное сечение 4 дифрагированного пучка, когда 25первичный пучок падает со- ступенчатойстороны,Поперечные сечения пучков, дифрагироваиных в мозаичных и совершенных монокристаллах,...
Устройство для исследования структурного совершенства тонких приповерхностных слоев монокристаллов
Номер патента: 1173278
Опубликовано: 15.08.1985
Авторы: Афанасьев, Имамов, Ле, Мухамеджанов, Челенков, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, приповерхностных, слоев, совершенства, структурного, тонких
...вторичной эмиссии ввиде газопроточной камеры, в которойрасположены держатель образца иэлектрод, держатель образца выполненв виде установленной на валу рамки,на которой расположен электрод, приэтом часть вала выведена из газопроточной камеры и снабжена устройствомдля его вращения,На фиг.1 схематически изображенопредлагаемое устройство, на фиг,2 -детектор вторичных излучений. Устройство содержит источник излучения 1, коллиматорные щели 2, кристалл-монохроматор 3, детектор вторичной эмиссии 4, установленный на гониометрической головке главного гониометра 5, и детекторы прошедшего б и дифрагированного 7 излучений.Детектор вторичной эмиссии (фиг,2) представляет собой цилиндрическую камеру 8 с крышкой 9, внутри которой расположена рамка...
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
Номер патента: 1226210
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Денисов, Зельцер, Ковальчук, Сеничкина, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры
...О перемещения крчсталла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществляется с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 55 без нарушения вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10 мм рт.ст.Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, загрузочно-передающий манипулятор 41, устройство 42 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 43.Устройство работает следующим образом.Сформированный устройством 1 рент. геновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение,...
Способ контроля степени совершенства металлических монокристаллов
Номер патента: 871692
Опубликовано: 30.07.1986
Авторы: Безуглый, Бурма, Гришин, Кабанов
МПК: H01L 21/66
Метки: металлических, монокристаллов, совершенства, степени
...взаимодействуют с вызвавшим их ультразвуком. Это взаимодействие проявляется резкими пиками поглощения ультразвука на зависимости Ы (у), где о - коэффициентпоглощения ультразвука; М - угол отклонения между векторамии Н отперпендикулярности (р - волновой вектор звука, М - вектор напряженностимагнитного поля). При этом, если кристаллическая решетка образца близка к совершенной, то н а угловой зависимости Ы И) наблюдается одна пара15 пиков поглощения, расположенных посимметрично относительно направлений открытости, Если образец имеетмозаичную структуру, т,е. состоит изблоков, которые взаимно разориентиро 20 ваны на определенные углы, то на угловой зависимости Ы (%) будет наблюдаться столько пар пиков поглощения,сколько блоков попадет в...
Способ контроля структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 1255906
Опубликовано: 07.09.1986
Авторы: Гуреев, Даценко, Кисловский, Кладько, Низкова, Прокопенко, Скороход, Хрупа
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристаллов, совершенства, структурного
...исследуемого кристалла, позволяет использовать немонохромати 906 4участвует в Формировании дпфрагированных пучков с интенсивностями 1э 1и 1соответственно в эталонном иисследуемых образцах, а также неизвестную аппаратурную функциюи, которая оказывается практически одинаковой в эталонном и исследуемом образцах. Измерить для каждой 1 величину 11 в первичном пучке гри наличии падающего полихроматическогопучка с расходимостью к 8, значительно превышающей область углов интерференции исследуемого кристалла,не представляется возможным,Использование в качестве падающего первичного пучка рентгеновскихлучей немонохроматизированного излучения непосредственно от источникасущественно упрощает схему измерений. В этом случае полностью...
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
Номер патента: 1396023
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Денисов, Зельцер, Коряков, Сеничкина
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры
...совместно с таймером 51 преобразует последовательность поступающих импульсов в двоичный код, пропорциональный скоростисчета и через интерфейс 48 выдаетэтот код на ЭВМ 47, которая через интерфейс 48 осуществляет управление иобмен информацией с устройствамиблока 46. Управляощие сигналы и информационные коды, поступающие от ЭВМ47 через интерфейс 48 в устройство49 управления, преобразуются в нем внапряжения, необходимые для управления гониометром 10, на котором установлен кристалл-монохроматор 8.ЭВМ 47 сравнивает текущее значение интенсивности рентгеновского от -ражения от кристалла-монохроматора 8(1 ) со значением интенсивности от 1ражения лри точном брэгговском положении кристалла-монохроматора 8 (18 ),(лри О значение интенсивности...
Способ исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 1402873
Опубликовано: 15.06.1988
Авторы: Казимиров, Ковальчук, Чуховский
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного
...от его положения, соответствующего максимуму интенсивностидифрагированного им излучения, отраРженный от исследуемого образца пучокнаправляют на кристалл-анализатор подуглом к его поверхности, большим Вз,выделяют диффузный максимум и измеряют его интегральную интенсивность,из акоторой находят относительную величину дефектной области исследуемогокристалла, 5 ил,1402873 разца первого и второго типа соответственно. ф о р м у л а изобретения Способ исследования структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что рентгеновский пучок от источника направляют на 10 кристалл-монохроматор, установленный под брэгговским углом 0 = 9 в, отраженный от первого кристалла пучок направляют на исследуемый образец, повернутый на заданный...
Способ контроля структурного совершенства монокристаллов твердых растворов, метастабильных при комнатной температуре
Номер патента: 1427268
Опубликовано: 30.09.1988
Авторы: Александровский, Дьяков, Рубинина, Яковлева
МПК: G01N 25/02
Метки: комнатной, метастабильных, монокристаллов, растворов, совершенства, структурного, твердых, температуре
...элементов. 5Целью изобретения является расширение класса контролируемых образцов монскристаллов и обеспечение неразрушающего контроля.Способ осуществляют следующим об разом,Г Кристалл твердого раствора помещают в печь и отжигают при температу,ре Т соответствующей двухфазной об ласти. При этом происходит выпадение второй фазы. Кристалл отжигают в течение времени й, которое зависит от температуры отжига. С ростом времени отжига растет размер частиц второй 2 О фазы поэтому минимальнал длительность отжига определяется мЬментом, когда размер частиц становится порядка длины волны оптического излучения ( 1 мкм), а следовательно, частицы становятся видны в оптическом Микро,скопе. После декодирующего отжига кристалл помещают в микроскоп,...
Способ определения структурного совершенства кристаллов
Номер патента: 1437752
Опубликовано: 15.11.1988
Авторы: Бершов, Ганеев, Кувшинова, Мейльман, Слицан
МПК: G01N 24/10
Метки: кристаллов, совершенства, структурного
...кварце вторая линияЗПР це дол.,ца наблюдаться. Появление второй пинии ЭПР означает присутствие индивидов в образце, а относительная интенсивность этой липин 1 о, =- 3,5/(42+3,5) = 0,08 определяет объемную долю двойниковых включений (87) в измеренном кристалле.П р и м е р 2, Методом ЭПР па частоте 9,3 ГГц проводили измерение структурного двойникования кристалла коруцда, активированного примесью хрома (рубина). Образец мог содержать двойниковые включения, ориентированные симметрично основному индивиду относительно плоскости (1012).Для измерений использовали одну из наиболее сильных линий известного спектра ЭПР хрома в рубине, достигающую максимума по полю В в параллельной ориентации при В = 3220 Гс,Исследуемый образец...
Способ контроля структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 1497533
Опубликовано: 30.07.1989
Авторы: Адищев, Верзилов, Воробьев, Потылицын
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристаллов, совершенства, структурного
...определения интегральной ширины профиля, как впрототипе, Так же замечено, что угловая ширина центрального минимума несколько уменьшается с уменьшениембрэгговского угла отражения.Чувствительность и точность способа будут определяться угловой шириной центрального минимума, статистическими ошибками измерений, разрешением детектора, а также методическими погрешностями (угловой расходимостью пучка заряженных частиц,многократным рассеянием и др.). Дляисключения методических ошибок исследуется профиль углового распределения от эталонного кристалла, который считается совершенным, имеет такие же размеры и располагается нэксперименте в той же геометрии, чтои исследуемый.ПКИ образуется по всей толщинекристалла, на пути пролета черезнего...
Рентгенографический способ исследования структурного совершенства сверхрешеток
Номер патента: 1543313
Опубликовано: 15.02.1990
Авторы: Айвазьян, Безирганян, Заргарян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, рентгенографический, сверхрешеток, совершенства, структурного
...направляющие косинусыТдпадающей и дифрагированной волн;К - волновое число;х - модуль действительнойгЪчасти Фурье компонентыполяризуемости.В случае сверхрешетки каждому сателлиту в первом приближении соответствуют свои значения м,и х6 О рТон ТЬ 1 Ье = 24 Уп 2", Нх",. ОЕсли рассматривается симметричная схема дифракции, то также можно положить.= у, и );= ., т,е, экстинкционная длина практически не зависит от углов падения и отражения. Минимальная длина экстинкции определяется максимальным значением х , т.е. при нулевом или одном из первых сателлитов, и составляет такую же величину, что и в случае идеального кристалла - несколько микрон.При резко асимметричной схеме дифракцииУю 1 ф Хоф 03 мс 10Учитывая, что с увеличением номера сателлита...
Способ анализа структурного совершенства кристаллических материалов
Номер патента: 1800339
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Горбань, Самсоненко, Тимченко, Токий
МПК: G01N 24/10
Метки: анализа, кристаллических, совершенства, структурного
...вызвавших данный спектр, см з;Анализируют поликристаллическую алмазну 1 о пленку, синтезированную из газовой фазы по известной технологии, Методом ЭПР на частоте 35,5 ГГц проводили измерение плотности дислокаций в поли- кристаллической алмазной пленке, синтезированной из газовой фазы с плоскостями роста (И 1. Образец мог содержать дислокации, лежащие в плоскос;ях (И), ,ориентированные в направления 110. ввввй бразые дмежду ний и(56) Авторское свидетельство СССМ 546814, кл. О 01 М 27/78, 1977Авторское свидетельство СССМ 1437752, кл, О 01 И 24/10, 198 НАЛИЗА СТРУКТУРНОГО ВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ1800339 Составитель С.ГорбаньТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар Редактор Заказ 1160 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...