Способ изготовления полупроводниковых приборов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 421304
Авторы: Анохин, Качурина, Немировский, Сопов
Текст
(51)4 Н 01 Е 21/2 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИН АВТОРСКОМУ С 8 ИДЕТЕЙЬСТВУ 781253/26-255,05,727, 11,86, Бюл, У 41.В.Сопов, Е.Е.Качуринаохин и Л,Н.Немировский21,382.002 (088.8) ни ости своист ния в с контактирующимиэлектриком, углстве 1-3 мас.Е. цы 2 С тличаюс целью предоткарбидов тугоесение слоев ме(54) ПРОВ ращени лавких путем термическоилов этих металталлов го раз нане жения ка 260-400 гир и й ов при(21) (22) (46) (72) 7) 1. СП НИКОВЫХ ние слое ванных У СОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУ РИБОРОВ использующий тугоплавких металлов леродом, о тличачто, с целью улучшеоспроизводздела металлроводникомводят в ко соб по п,1тем, что образовани еталлов, н уществляют42130.4 Техред Л.Сердюкова Редактор Л,Письман Корректор Т, Колб Заказ 6052/1 Тираж 643 ВИИК 1 И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Б, Раушская набц. 4/5Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к областиэлектронной полупроводниковои техники и может быть использовано при разработке новых полупроводниковых приборов, а также при усовершенствовании существующих.В настоящее время при изготовлении полупроводниковых приборов широко используются металлические покрытия (например, для маскирования придиффузии или ионной бомбардировке) иметаллические электроды из различных материалов, в том числе из молибдена и вольфрама.Тонкие слои этих материалов обладают хорошими маскирующими свойствами, но имеют плохую воспроизводимостьадгезии и недостаточную скорость травления, что ухудшает шумовые характеристики полупроводниковых приборов.В связи с этим в полевых МОП-транзисторах слои этих металлов используются только при изготовлении приборовдля вычислительной техники, где уровень шумов не имеет решающего значения, и практически не используютсядля изготовления малошумящих высоко-,частотных транзисторов,Целью изобретения является улучшение воспроизводимости свойств границы раздела металла с контактирующими полупроводником и диэлектриком.Для этого в процессе образования покрытия из вольфрама или молибдена на поверхности полупроводцика илиИОП-структуры в него вводят углеродв количестве 1-3 мяс./, который можетприсутствовать в покрытии как н виде 5 свободного углерода, тяк и в видесоединений его с вольфрамом или молибденом (карбидов вол 1 фрамя и молибдена).Это легко может быть достигнуто принанесении слоев вольфрама и молибдена известць 1 м способом термическогоразложения карбоцилов или смеси карбоцилов и хлоридов этих металлов(Ио(СО)ь и И(СО.Для введения необходимого количества углерода в металл процесс проводятпри температурах более низких, чемпри обычном процессе осаждения этихометаллов, т,е. ниже 450 С для молибодена и ниже 500 С для вольфрама.Практический диапазон температур лежит воинтервале 2 бОС для молибдена ис260-400 С для вольфрама.Предлагаемый способ сушсствецноулучшает свойства слоев молибдена ивольфрама, позволяет создать малошумящие транзисторы, а также обеспечивает высокую воспроизводимость адгезии и достаточную скорость травленияпокрытий,Изготовленць 1 е предлагаемым сносовбом образцы полевых транзисторов сизолированным затвором имеют малыйуровень шума и способны работать вобласти частот до 1000 мГц.
СмотретьЗаявка
1781253, 05.05.1972
СОПОВ О. В, КАЧУРИНА Е. Е, АНОХИН Б. Г, НЕМИРОВСКИЙ Л. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/283
Метки: полупроводниковых, приборов
Опубликовано: 07.11.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-421304-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых приборов</a>
Прибор для определения толщины слоя металла, подлежащего снятию при обточке вагонных и тендерных бандажей
Номер патента: 61437
Опубликовано: 01.01.1942
Автор: Тарасов
Метки: бандажей, вагонных, металла, обточке, подлежащего, прибор, слоя, снятию, тендерных, толщины
...на фиг. 3.Если допускается оставлять на гребне колеса ,после его обточки черновину с ограниченной глубиной и ограниченным местоположением, то восстановление .нормального профиля коласа может оыть выполнено со снятием слоя металла, имеющего в плоскости круга катания толщину у (фиг. 4), меньшую, чам вышеуказанная величина у на столько, чтобы после обточки колеса оставалась на гребне черно- вина с допустимой глубиной и допустимым местоположением. Оставление на гребне такой чернсвины позволяет сэкономить при обточке колеса некоторое количество металла и, следовательно, оно целесообразно.Приняв по данным практики, что остающаяся на гребне колеса после его обточки допустимая черновина может иметь глубину не более 1 ял и должна быть...
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Номер патента: 1702825
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев
МПК: H01L 21/60
Метки: полупроводниковых, приборов
...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...
Способ получения молибдена, вольфрама и хрома
Номер патента: 233646
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Белозерский, Браве, Кричевска
МПК: C22B 34/30, C22B 5/20
Метки: вольфрама, молибдена, хрома
...проводят в атмосфере окиси углерода или индифферентного газа, содержащего кислород или кислородсодержащие газы (например, углекислоту, окислы азота, воду), при температуре 300 - 1400 С.При этом металлические молибден, вольфрам или хром обрабатывают с добавкой кислорода, паров воды, углекислоты или других кислородсодержащих газов.П р и м е р 1. Карбонил молибдена подвергают термическому разложению, пропуская через нагретый до 1200 С материал с добавкой углекислоты (или азота, содержащего 2% кислорода и 2)(о углекислоты) в количеств; 5 л на 1 г получаемого металлического молибдена. В образовавшемся порошке содержится 0,02 оо углерода.П р и м е р 2. В процессе разложения карбонила вольфрама (условия аналогичны указаннлм в пр( 1)...
Способ неразрушающего контроля качества поверхностного слоя металла
Номер патента: 670868
Опубликовано: 30.06.1979
Автор: Белов
МПК: G01N 25/32
Метки: качества, металла, неразрушающего, поверхностного, слоя
...судить по величине суммарной термо-ЭДС на детали, сравнивая ее с суммарной термо-ЭДС ца эталоне из того же материала, обработанного по тому же режиму, который предусмотрен технологией для контролируемой детали, при этом эталон исследуют известными лабораторньвщ методами.При гиздичии близлежащих к обработанному участку поверхности детали участков необработанной поверхности контролирусмой детали,и при возможности его получения целесообразно для единого температурного поля в двух группах электродов заключать их в единый нагреватель 7, при этом влияние изменений температурного поля сводится к минимуму и конструкция датчика упрощается, а в схеме поддеркания точного значения температур электродов нет необходимости. Для более полного устранения...
Устройство для испытания защитных диэлектрических покрытий полупроводниковых приборов
Номер патента: 1045177
Опубликовано: 30.09.1983
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: диэлектрических, защитных, испытания, покрытий, полупроводниковых, приборов
...плоских закругленных металли.ческих электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрытия, введена подложкаиз диэлектрического материала, система электродов выполнена в виде ппротяженных центральных электродов,по обе стороны каждого из которыхразмещены щ боковых электродов, приэтом подложка расположена на систеЗ 5 ме электродов со стороны, противоположной исследуемому покрытию,выступы которого размещены в зазорах между соответствующими боковымии центральными электродами, величи на укаэанных зазоров равна ширинеобласти объемного заряда на поверхности р-и перехода полупроводникового прибора, а его протяженностьпериметру р-и перехода, причемудельиоесопротивление подложки определяется из соотношения ельные...
Предыдущий патент: Устройство для отделения сыпучего материала от газа
Следующий патент: Кольцевой клапан
Случайный патент: Пропиточно-красильный агрегат для ременной тесьмы