Риттенман

Способ изготовления высоковольтного диода

Загрузка...

Номер патента: 1250411

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Альтман, Головин, Дрозд, Риттенман, Рифтин, Церфас, Янкевич

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: высоковольтного, диода

...с ллуклу;у.л кч лл осуплссллъцлнслсъл прпллайкгл ь мкцллчлппэл с омпчсскллкллл колллаль х 111 111, 1 л 1 л 1 лк 11111 г 11 глпслл 3 хлсллльл полхлс прич лл ; -л-л 1. к лгллллллгльлся часль цлсллльл лм л мкл ллллло лльлллоцолл л;ллсклл.ллыл" л Б.1 25 л :3 нт м; рл-л улллролъалл, по ;лпллшллролкаль рсмллхл проп.лалзхлклллллн колллаклон к лслллс оса псрслрслаа плмуллролелмплллклплол слруклуръл.Нрпллир (Ъпмлгллаэл ллрлмлслтка была лэрокс лспа па учаслкс 1191 л 1 л 1 в.111111 лвьлслколло.ллл поло плода кп 117 1%ллслкилло.лллллыссл л лГэлл кп поло прибора соглоял п: 111 крсклллллспых крпсла.л.лл: с рчъллслтсхлхлохл, сол-лллллслл ллл.л ллоьхлл-длоллдлгссльлло проьнгоплшл НКЛЗ. 11 а лорпах сллл.пллллх;л лзлллл.=;лсллл...