Фотодиод
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(59 а ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) ФОТОДИО (57) Изобрет е относится к полупро ским при водниковым фоникам оптическ оэлектрич ого излуч ляется по зобретения я овой чувстви льности емновог ет снижения иод выполнен на основе икового кристалла. Он переход, полевой электр рическую пленку. Пленка над выходом р-и-переход ность. Полевой электрод виде двух концентрически с зазором между ними, Ши не более ширины области ряда в месте выхода р-и- поверхность. Каждый элем электрическим выводом. агепС майе1 ЕЕЕ. 3. ой978, Ч. Э.К Тга ойейесСог С 1 гси 1 йз р. 19,х элементов рина зазора объемного за переходент снаб ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ 03637/24-25логия полуп ческих приб дио, 1970,ЯсЬгооег з 1 дсоп рЬо Яо 1 Ы.-Ясае ЯС, Ио 1 ения. Целью ышение порофотодиода за тока, Фото- полупровододержит р-ид и диэлеквразмещена на поверх- выполнен в1256108 Составитель П. БирюлиТехред А.Кравчук Корректор Л. Пилипенко дактор А. Са Заказ 4831/ 2 Тираж 643ВНИИПИ Государственногопо делам изобретений13035, Иосква, Ж, Рауш ПодписноеР омитета Соткрытийкая наб.,4/ Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная,Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения.Цель изобретения - улучшение пороговой чувствительности фотодиода 5 за счет снижения темнового тока,На чертеже изображена структура. предлагаемого фотодиода.Фотодиод содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором выполнен 10 р-и-переход 2, слой диэлектрика 3, кольцевой полевой электрод 4, выполненный в виде двух концентрических элементов 5 и 6, разделенных промежутком 7, электрическое выводы от 15 элементов полевых электродов 8 и 9, электрические выводы от р до и областей 10 и 11.1 1П р и м е р. В фотодиоде, структу О ра которого изображена на фиг, 1, полупроводниковый кристалл из кремния и-типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Ом см, диэлектрик -25 двуокись кремния, элементы полевого электрода выполнена из поликремния и разделены слоем двуокиси кремния, полученной окислением поликремния одного из элементов полевого электрода.Величина зазора между элементами полевого электрода равна О, 1 мкм. Формула изобретения Фотодиод на основе полупроводникового кристалла, содержащий р-п-переход и размещенные над выходом р-пперехода на поверхность диэлектрическую пленку и полевой электрод, о т -л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения пороговой чувстви-тельности за счет снижения темново-,го тока, полевой электрод выполнен ввиде двух концентрических элементовс зазором между ними, ширина которого не менее величины, обеспечивающейэлектрическую изоляцию между элементами, и не более ширины области объемного заряда в месте выхода р-и-перехода на поверхность кристалла, приэтом каждый элемент снабжен электрическим выводом,
СмотретьЗаявка
3703637, 23.12.1983
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3726
ТАУБКИН ИГОРЬ ИСААКОВИЧ, АНДРЮШИН СЕРГЕЙ ЯКОВЛЕВИЧ, ЛЮСТРОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 31/06
Метки: фотодиод
Опубликовано: 07.09.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1256108-fotodiod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотодиод</a>
Предыдущий патент: Масс-спектрометр
Следующий патент: Ферритовый переключатель
Случайный патент: Состав для удаления лака с ногтей и кожи