Патенты с меткой «галия»

Способ получения безводного фосфата галия

Загрузка...

Номер патента: 715475

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Ещенко, Печковский, Становая

МПК: C01G 15/00

Метки: безводного, галия, фосфата

...при 100-150 ОС, фильтрацией,отмывкой и сушкой продукта.Способ заключается в следующем.Нитрат галлия растворяют в фосфорной кислоте при мольном соотноше(61) Дополнительное к авт. свид-ву-Редактор С. Патрушева Техред М.Кузьма КорректорН, Задерновская Заказ 9610/3 Тираж 565ЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб;, д. 4/5 Подписное Филиал ППП Патент , г. Ужгород, ул. Проектная,:,л;": 4 ф ношения приводит к резкому снижению выхода продукта вследствие увеличения растворимости безводного фосфата галлия за счет появления избыточного количества ионов водорода в растворе.Полученный раствор выдерживаютопри 100-150 С. Понижение температуры уменьшает скорость процесса, при...

Способ определения редкоземельных элементов в соединениях галия и иттрия

Загрузка...

Номер патента: 990668

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Антонов, Штенке, Шульгин

МПК: C01F 17/00

Метки: галия, иттрия, редкоземельных, соединениях, элементов

...соотношение компонентов кристаллофосфора, мас. 3; окись 20 галлия 50-66; окись иттрия 34-501 окись тербия 0,00001-0,02 у окись празеодима 0,00001-0,02 у окись европия 0,00001-0,02. Изменениепроцентного содержания основных компонентов оксида галлия и оксида иттрия от оптимальных приводит к ухудшению преде" лов обнаружения РЗЭ в 2-10 раз. Иэ данных табл. 1 следует, что при содержании РЗЭ выев указанных пределов наблюдается концентрационное гашение и нарушается линейная зависимость между интенсивностью люминесценции и концентрацией РЗЭ, при содержании РЗЭ менее указанных пределов интенсивность люминесценции снижается, что нв позволяет устойчиво зарегистрировать ее на используемом оборудовании.При тВмпвратурах прокаливания ниже 1350 С...

Травитель для прецизионного химического полирования монокристаллов антимонида галия и твердых растворов на его основе

Загрузка...

Номер патента: 1135382

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Лазарев, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, галия, монокристаллов, основе, полирования, прецизионного, растворов, твердых, травитель, химического

...и 457-ного ра 40створа плавиковой кислоты НР при соотношениях компонентов, указанных впримерах 1-5. Используются реактивы .марок ОСЧ или ХЧ (молочная кислота)и деионизованная вода марки АТравление поверхности монокристал 45лов СаЯЬ.Образец, например монокристаллическую пластину СаЯЬ ориентации100) или 111 В толщиной 400 -600 мкм, предварительно подвергнутую химико-механическому полированию (ХМП), очищают от поверхностныхзагрязнений, помещают во фторопластовую кассету и подвергают химико-динамическому полированию вначале в55 известном составе травителя (1) или(2) с большой скоростью травления35382 43 мин; обработка в концентрированной НГ - 5 мин, промывка в воде2-3 мин, сушка в центрифуге - 2 мин.Такая последовательная обработкапри...