Способ изготовления полупроводниковых приборов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) . (11) 01 1. 29 78, 21/18 1) 4 ЕННЫЙ КОМИ ЗОБРЕТЕНИЙ Т СССРТКРЫТИЙ ОСУДАРС О ДЕЛА О АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ й 7 - 31,ОЛУ.оло оров и хноло- сверхС 00 А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯПРОВОДНИКОВЪХ ПРИБОРОВ(57) Изобретение относится к технизготовления полупроводниковых приинтегральных схем, в частности к тгии изготовления фотоприемников и быстродействующих схем на подложках из антимонида индия. Цель изобретения улучшение параметров приборов. При изготовлении полупроводниковых приборов на подложке антимонида индия р-типа проводимости проводят ионную имплантацию донорной примеси в локальные области подложки. На поверхности подложки формируют окисел разложением тетракарбонила никеля при 80 - 180 С в смеси паров воды, кислорода и азота при расходе последних 5 - 20 и 10 в 2 л/мин соответственно. Скорость роста %0 при указанной температуре составляет 1000 А/мин. После нанесения пленки толщиной 1500 - 2000 А напыляют слой алюминия толщиной 1 мкм.1265894 формула изобретения Р Составитель М. Дудаков еда кто р В. Данко Техред И. Верес Заказ 5675/53 Тираж 643 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и оз крытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.Цель изобретения - получение диэлектрических слоев на поверхности антимонида индия с отрицательным встроенным зарядом.На границе раздела структуры %0 - 1 пЬЬ образуется отрицательный заряд, препятствующий возникновению инверсного слоя на поверхности антимонида индия. В результате этого устраняются паразитные токи утечки, неуправляемые электрическим полем, и тем самым обеспечивает расширение диапазона выходных токов в фотодиодах и МДП-транзисторах, содержащих структуру Н 10 - 1 пЯЬ.Подложку антимонида индия р-типа проводимости марки ИСДс концентрацией примеси Ма = (1 - 2)10" сми ориентацией (111) химически полируют в 6 Я-ном растворе брома в диметилформамиде при Т = 65 С в течение 40 мин, после чего ее помещают в реакционную камеру установки ЕТМ,2.030.015 и нагревают до 100 С. Затем производят продувку камеры потоками кислорода и азота, насыщенного водными парами, с расходом газов 5 - 20 л/мин и 1 О - 200 л/мин, соответственно, в течение 5 мин, Подают поток азота, проходящий через барбатер с терракарбонилом никеля % (СО) 4, с расходом 150 - 250 мл/мин.Скорость роста % О при указанной температуре составляет 1000 А/мин, После нанесения пленки толщиной 1500 - 2000 А напы Оляют слой алюминия толщиной 1 мкм. Способ изготовления полупроводниковыхприборов на подложке антимонида р-типа проводимости, включающий проведение ионной имплантации донорной примеси в локальные области подложки, формирование на ее поверхностях окисла, омических контактов к областям п-типа проводимости и подложке и металлического электрода на поверхности 20 окисла, отличающийся тем, что, с цельюулучшения параметров приборов, формирование окисла осуществляют разложением тетракарбонила никеля при 80 - 180 С в смеси паров воды, кислорода и азота при расходе последних 5 - 20 и 10 в 2 л/мин соответственно.
СмотретьЗаявка
3884728, 11.04.1985
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1631
БЕЛОТЕЛОВ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, ПАТРАЦКИЙ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПЕТРОВ ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/18, H01L 31/02
Метки: полупроводниковых, приборов
Опубликовано: 23.10.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1265894-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых приборов</a>
Свч-прибор о-типа
Номер патента: 969120
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Гехтерис, Гришаев, Тореев, Шаповалов
МПК: H01J 25/00
Метки: о-типа, свч-прибор
...в .чины и ширины зоны "всплеска" магнитногоСВЧ приборе О-типа, содержащем магнит- поля у коллектора,ную фокусирующую.систему с полюсными Тонкостенный цилиндр 14 выполненнаконечниками, коллекторную систему, ус- ступенчатым со стороны коллекторного потройство преобразования магнитного поля люсного наконечника.969120Втулка из немагнитного материала мо-, Ширина зон "всплесков" поля составляжет быть выполнена как из .проводящего. ет 10-30 протяженности области рассеяматериала (медь), так и из диэлектрИка. сия, а максимальные значения поля (0,1 6В первом случае указанный цилиндр 14 0,15 Тл) в них составляют 15 - 30 от значеслужиттрубкой дрейфа, а коллекторная си ния рабочего поля в области взаимодейстстема является одноступенчатой. Во втором...
Способ диагностики двумерной проводимости в полупроводниковых материалах
Номер патента: 1483409
Опубликовано: 30.05.1989
Авторы: Гореленок, Мамутин, Приходько
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости
...а затем ортогонально ему (вектор СВЧ-поля направлен перпендикулярно длине щели вдоль плоскости волновода). К образцу прикладывается постоянное электрическое поле. При этом образец 11 переходит в низкоомное состояние, что определяется из вольт-амперной характеристики, затем снимаются токовые зависимости СВЧ-шума в диапазоне токов 0,1 - 0,5 А при двух различных ориентациях образца 11 относительно щели, Анализ зависимостей, снятых для образца твердого раствора 1 по,гдГдаолтАв изорешеточного с 1 п Р, выращенного на полуизолирующей подложке 1 пР(Ге) кристаллографической ориентации (100), показывает, что первая носит монотонно возрастающий характер, вторая - насыщается. Первая зависимость показывает, что шнур либо расширяется в плоскости...
Прибор для измерения толщины жидкой пленки
Номер патента: 769407
Опубликовано: 07.10.1980
Авторы: Беркович, Емельянов, Матвеевский, Романов
МПК: G01N 3/56
Метки: жидкой, пленки, прибор, толщины
...зеркало 14 которого установлено на подпружиненном штоке 15,взаимодействующем с держателем образца5. На держателе 5 образца, трущегося вусловиях смазки, может быть выполненагрузовая площадка 16.Прибор работает следующим образом.Производят юстировку прибора, т. е. устанавливают интерференционные полостив поле зрения оптической трубки интерферометра 13 и приводят в соприкосновениешток 15 с держателем 5 образца 7. Грубая установка пар трения обеспечиваетсяопусканием кронштейна интерферометрадо размера 0,5 - 1 мм между сферическимиобразцами и поверхностью контробразца.Точная установка обеспечивается перемещением предметного столика 2 в вертикальном направлении, Радиус дорожкитрения устанавливается перемещениемпредметного столика в...
Электрический нагревательный прибор индукционного типа, служащий для нагревания окружающего воздуха
Номер патента: 15109
Опубликовано: 30.04.1930
Автор: Попов
МПК: H05B 6/10
Метки: воздуха, индукционного, нагревания, нагревательный, окружающего, прибор, служащий, типа, электрический
...7 - 4, соединенных мелщу собою угольниками 3 и тройникаии или угольниками 5.На железную трубу 2 плотно насажены диски 1, отлитые из чугуна или из другого металла с хорошеи тепловодностью и большим удельным сопротивлением, Ба трубу 7 надета катушка 8 с первичной обмоткой, соответствующиж образом изолированной и "э защищенной от механических повреждений. Обмотка катушки может состоять из нескольких секций, ток к которым подводится чере посредство контактов, укрепленных на изо лирующем основании. Во избежание рассеи вания магнитных линий, магнитный конту предпочтительнее связывать угольниками,не тройниками.Для увеличения площади сечения магнитопровода, трубы 2 и 4 и угольники 3 и отчасти 5, образующие в своей совокупности наружную...
Прибор лабораторного типа для сортирования зерна по длине
Номер патента: 20931
Опубликовано: 31.05.1931
Автор: Потапкин
Метки: длине, зерна, лабораторного, прибор, сортирования, типа
...опираясь на днище 11. Чтобы выделить из пше- ницы упомянутые продукты, следует доску 9 передвигать из конца в конец до выступов 17. При движении дырчатой доски 9 заполненные ячейки 5 увлекут за собой попавшие в них частицы и потащат их под щетку 7; частицы сортируемой смеси, не имеющие удлиненной формы, пройдут под щетку 7 и выпадут из ячеек под влиянием собственного веса, удлиненные же частицьв будут сдвинуты той же щеткой 7 и останутся внутри ящика (фиг. 1). После нескольких движений дырчатой доски 9 следует содержимое ящика встряхивать, что даст возможность всем частицам соприкоснуться с ячейками 5, и сортируемая смесь разделится на две фракции. При устройстве ячеек 5 для отбирания куколя, полевого горошка и им подобных по форме,...
Предыдущий патент: Устройство для определения тире спиралей
Следующий патент: Устройство для поэлементного доразряда аккумуляторных батарей
Случайный патент: Коробка перемены передач транспортного средства