Янушонис

Номер патента: 1572622

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Савицкас, Черкис, Янушонис

МПК: A61H 1/02

Метки: вертикального, вытяжения, подводного, позвоночника

...32, который закрепляется на крючок 30 и висит в свободном положении без нагрузки; такое крепление позволяет вводить динамометр 32 в нагрузку только в процессе вытяжения больного путем зацепления к натяжному тросу 15 динамометра 32 крючком 3. Второй конец натяжного троса 15 крепится за барабан 5 1 О 15 20 25 30 35 лебедки 11 натяжения. На коромысле 29 устанавливаются подмышечные элементы 33, выполненные в виде продольных штанг 34 с закрепленными на них переставными упорами 35 и переставными рукоятками 36, Для вытяжения шейного отдела позвоночника на коромысло 29 устанавливаются подвески 3 с закрепленным на них шейным опорным элементом - воротником 38. Тросы 15, 22 и 23 и блоки 16, 17, 19, 14 и 18 с карабинами 39 образуют трособлочную...

Номер патента: 1379106

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Вайчюлене, Пашкявичюс, Рагульскис, Янушонис

МПК: B25J 15/00

Метки: манипулятора, схват

...с ними одним концом шарнирно, а другим концом звено 3 соединено с пластиной 4, выполненной из материала с термомеханической памятью и расположенной на жестком звене последующей фаланги.При этом звено 3 и пластина 4 подпружинены пружиной 5 относительно несущего их жесткого звена последующей фа.а(-ги и имеют возможность перемещения вдсль него.Схват работает следующим образом.Схват, закрепленный на руке манипулятора, подводится к детали, после чего к термочувствительным пластинам 4 подводится тепло. При достижениии температуры структурного превращения пластины 4 прояввяют эффект памяти формы, т. е. они стремятся принять первоначальную форму и начинают разжиматься. Когда усилие, развиваемое пластиной 4, становится больше суммарного...

Номер патента: 1363162

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Адомайтене, Пашкявичюс, Рагульскис, Янушонис

МПК: G05D 23/00

Метки: объекта, термоциклирования

...сплошными стрелками. В результате поворота барабанов 2 и 3 увеличивается угол ох" вата их лентой 4, что приводит к деформированию (растяжению) ленты 4,При достижении определенного уровня напряжений в ленте 4 ее материал начинает претерпевать прямое мартен- ситное превращение, которое сопровол; дается выделением значительного количества тепла. В результате внутреннего тепловыделения Температура ленты 4 возрастает по отношению к температуре среды, заполняющей камеру 9, Установленный на ленте 4 объект 8 испытаний в контакте с ней получает тепло и нагревается, При дальнейшем увеличении степени деформации ленты 4 мартенситное превращение распространяется на весь объем деформируемого участка ленты 4 и сопровождается дальнейшим выделением...

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/02

Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Номер патента: 526221

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Банюлис, Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/00

Метки: структур, транзисторных

...пластины сструктурой для создания эмиттерв и контакта базы.Нв поверхности кремниевой пластины1 методом объемной фотолитографии формируют структуру 2 из неоднород;ого 4 Опримесного стекла, содержащего легируюший слой 3 с базовыми примесями, например боросиликатное стекло, нанесенное центрифугированием из легирующихкомпозиций, слой 4, экрвнируюший про- ,4тив окислительной,атмосферы при термическом окислении, например влюмосиликатное стекло, нанесенное реактивнымраспылением, и маскирующий слой 5, например слой двуокиси кремния, нанесенный высокочастотным распылением. Приформировании структуры всегда образуется клин 6 травления, который обусловливается изотропным травлением и зависитот соотношений скоростей травления слоев, 65от...

Номер патента: 521802

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/473

Метки: базы, изготовлении, источника, селективного, структур, транзисторных, формирования

...областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легируюший и экранируюший слои имели бы одинаковые размеры, а ширина маскирующего слоя была бы меньше; их нв двойную ширину эмиттера, формируют с помощью травктеля, растворяющего маскирующий и легируюший спои со скоростью большей, чем экрвнируюший. Концентрированная фтористоводородная кислотаЛедянв уксусная кислотаОднопроцентный растворщавелевой кислоты Концентрированная ортофосфорнвя кислотаКонцентрированная фтористоводородная кислота с помощью травителя, растворяющего маокирующий и легируюший слой со скоростьюбольшей, чем экранируюший слой. 1 равление. производят травителем К, включаюшим О-травитель, в состав которого входит, об, ч:5Концентрированная...

Номер патента: 504434

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Беляускас, Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/64

Метки: неоднородное, объемной, примесное, стекло, фотолитографии

...системы остается недостаточной.Цель изобретения - создание примесного стекла для объемной фотолитографии, сочетаквяего свойства, необходимые для создания качественных транзисторных структур при субмикронной толщине слоя, что в свою очередь обеспечивает создание транзисторных структур микронных размеров. Это достигается размещени ду легирующим и маскирующимэкранирующего слоя, соетояще 30-95 вес.В окиси алюминия, остальное - двуокись кремния. Скорость про никновения окислителя в экранирующем слое с предпочтительным составом 80 вес.В окиси алюминия и 20 вес.Ъ двуокиси кремния более чем на два по рядка меньше скорости проникновения в слое термической двуокиси кремния такой же толщины, поэтому экранирую 1 щий слой толщиной 0,08-0,15 мкм...