Арешкин

Номер патента: 1786413

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Арешкин, Герасимов, Гутман, Павлова

МПК: G01N 27/12

Метки: газов, концентрации

...измерения концентрации газов, позволяющей осуществлять достоверный контроль и управление составом и концентрацией газовой среды,Цель достигается тем, что устройство содержит изоляционную подложку с сенсорами на одной стороне и пленочным нагревателем на другой, причем подложка выполнена из поликристаллического оксида алюминия с нанесенным на нее подслоем из диоксида кремния, на нем размещены сенсоры, выполненные в виде параллельных прямоугольных полос из газочувствительного материала, поверх которого нанесены электроды на равном расстоянии друг от друга, образуя измерительные и эталонные сенсоры, последние покрыты диэлектрическим защитным слоем, устройство снабжено также датчиками температуры, размещенными между полосами...

Номер патента: 1761814

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Арешкин, Афанасьев, Гутман, Павлова

МПК: C23C 14/00

Метки: газочувствительного, элемента

...более шероховатой, Сопротивление и поверхностная проводимость такой пленки значительно увеличивается, что повышает ее чувствительность,Несмотря на ионную бомбардировку кислородом свеженапыленной пленки, ощущается его недостаток в структуре пленки - образуется низкоомная пленка с избытком цинка, Для дальнейшего улучшения качества пленки - повышения стабильности электропроводности, снятия механических напряжений и для продолжения процесса окисления, далее проводится отжиг в два этапа,Первый отжиг проводится в вакуумной камере в течение 25-30 минут, при том же давлении и температуре 400-450 С, затем следует охлаждение подложки с газочувствительной пленкой до 20-18 С. Повторный отжиг осуществляется фотонным нагревом в течение 25-30...

Номер патента: 1737261

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова

МПК: G01B 11/06

Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных

...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...

Номер патента: 1680634

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Арешкин, Арутюнов, Брагина, Горбатенко, Дыхно

МПК: C02F 1/12

Метки: вод, выпаривания, минерализованных

...3 распыляются навстречу дымовым газам, поступающим в скруббер через газоход 1,Попадая на нагретую в период прекращения подачи минерализованных вод практически до температуры дымовых газов насадку 2, минералиэованные воды нагреваются. После нагрева в результате контакта с дымовыми газами происходит политропический процесс увлажнения дымовых газов с обезвоживанием минерали1680634(ъ Чсподные ооосначенин исходные нинерализеданные деды дынодыв сазыееь доменный остаток зованных вод. Обезвоженный остаток скапливается в поддоне и выводится иэ него, а уходящие газы через газоход 4 выводятся в атмосферу. Через определенный интервал времени подачу минерализованных вод прекращают. В первое время после прекращения подачи минералиэованных вод...

Номер патента: 1539491

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Арешкин, Арутюнов, Котляр, Левин, Смарин, Шапиро

МПК: F28C 3/06

Метки: газов, тепла, утилизации, уходящих

...нагреви увлажнение эасасываемого из атмосферы воздуха и декарбониэация воды.Причем в отводящем патрубке 6 к воздуху подмешивается нагретый воздухв первом поверхностном теплообменнике 11. Скопившаяся в поддоне 9 водапараллельными потоками подается черезповерхностные теплообменники 11, 12в разбрызгивающее устройство 10 и вдеаэратор (не показан). Причем вразбрызгивающее устройство 10 поступает также химически очищенная вода, предварительно подогретая во втором поверхностном теплообменнике 12Нагрев части воздуха в контактном теп"лообменнике 1 суммарным объемом циркулирующей и химочищенной воды, а другой части воздуха - в поверхностном теплообменнике 13, только обЪемом циркулирующей воды с последующим их смешением перед подачей в топку(не...

Номер патента: 1426947

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Арешкин, Гайдукова, Горбатенко, Дыхно

МПК: B01D 1/00, C02F 1/02

Метки: вод, выпаривания, минерализованных, сточных

...7, и насосы 17Установка работает следующим образом.Исходные минерализованные воды подают в контактный подогреватель 7, где их нагревают уходящими газами и смешивают с циркуляционной водой, после чего насосом 17 последнюю подают В испаритель 8, в котором на не обходимом уровне поддерживают вакуум, В испарителе 8 происходит вскипание циркуляциоиной воды с последующей конденсацией вторичного пара во встроенном конденсаторе 9. Из испарителя 8 циркуляционная вода самотеком стекает в,сборник 14, а.оттуда по" дается в контактный подогреватель 7, Часть циркуляционной воды, сконцентрированной в испарителе, подают в контактный аппарат 4, где ее обез- воживают Охлаждение конденсатора 9 производят водой, которую после нагрева,)5 направляют в...

Номер патента: 1064322

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Арешкин, Афанасьев, Жданов, Шостко

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...поверхностное сопротивление двухслЬйнойсистемы при 20 оС должно быть равно 10удельному поверхностному сопротивлению системы при 120 С, т.е. с изменением температуры на ЭТ100 фС,удельное поверхностное со.ротивление двухслойной системы не должно 15изменяться.СледовательноЙ,Йз Ж Англ Эг)31 ,С:в вдйЗВИИз О) можно получить20фа й,й,- в+ Я + - 2:0ак,ая,Щ25Прежде чем провести дальнейаеепреобразование уравнения (2), рассмотрим, что собой представляетТКС каждогО из слоев. Значение ТКС.обозначим через Ф ., преобразования. будем вести с модулями я , что"бы ие учитывать знаки ТКС. По оп.ределению ТКС первого, слоя равен(3 где коэффициент1 л 1-лК=лс +Л 35Правильность формулы СЗ) прове-.ряют экспериментальным путем. Получено значение...

Номер патента: 618872

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Арешкин, Афанасьев

МПК: G01R 1/067, H01L 21/66

Метки: изготовлении, микросхем, резисторных, сопротивления, удельного

...нЕ позволяет сделать данную микроголовку с межзондовым расстоянием менее 200 МКМ.йоНаиболее близко к предлагаемому устройство для измерения, содержащее основание с окном и держатели.с расположенными в них зондами. 25 ень 29 (53) УДК 621,396,63лены кронштейны 4. На нем с помощью кронштейна 2 шарнирно и упруго установлен держатель 5 из электроизоляционного материала. На координатных столиках 3 с помощью кронштейнов 4 шарнирно и упруго установлены держатели 6. В каждый из держателей 5 и 6 впрессована металлическая втулка 7 с внутренней резьбой, по которой перемешается регулировочный винт 8 с головкой и гайкой 9 для подсоединения наконечников проводов измерительной схемы. На концах винтов, обращенных внутрь окна основания 1, установлены...