Банюлис

Номер патента: 526221

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Банюлис, Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/00

Метки: структур, транзисторных

...пластины сструктурой для создания эмиттерв и контакта базы.Нв поверхности кремниевой пластины1 методом объемной фотолитографии формируют структуру 2 из неоднород;ого 4 Опримесного стекла, содержащего легируюший слой 3 с базовыми примесями, например боросиликатное стекло, нанесенное центрифугированием из легирующихкомпозиций, слой 4, экрвнируюший про- ,4тив окислительной,атмосферы при термическом окислении, например влюмосиликатное стекло, нанесенное реактивнымраспылением, и маскирующий слой 5, например слой двуокиси кремния, нанесенный высокочастотным распылением. Приформировании структуры всегда образуется клин 6 травления, который обусловливается изотропным травлением и зависитот соотношений скоростей травления слоев, 65от...