Тадахару

Номер патента: 1435162

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Акио, Тадахару, Ютака

МПК: F16L 11/04

Метки: разрезной, рукав

...пористых элементов могут служить неорганические материалы, например, стеклонолокно или теплостой- щкая смола.Один из двух пористых элементов выступает за боковую кромку листа на расстояние, превышающее ширину двух пористых элементов в соединенном состоянии (фиг. 2). Б предпочтительном варианте это расстояние составляет 30 мм. Соединение пористых элементов 2, 3 с боковой кромкой листа осущест. вляют приклеивачием с помощью ленты 6 из пластического материала,без поперечных связей, содержащей агент, обеспечивающий образование поперечных связей. Для этого между одчой стороной удлиненного элемента 3 илистовым материалом 1 и между другой сто" роной элемента 3 и лентой 7 из пластического материала без поперечных ф связей помещают ленту 6,...

Номер патента: 640686

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковое

...8 Ртипа обеспечивает общий контакт всей площади и представляет собой сильно легированную бором область. Содержание примесей на поверхности приблизительно 5 К 10" см .Алюминиевый коллекторный электрод 9 формируется под поверхностью подложки 1. Алюминиевый базовый электрод 10 образуется на базавой области 8, алюминиевый эмиттерный электрод 11 - на сильно легированный эмиттерной области 5.Слой из двуокиси кремния служит для пассирования и покрывает сверху всю поверхность прибора.Слой 2 У в -типа и слой 3 Р -типа образует коллекторно-базовый переход 12. Слой 3 и слой 4 У в -типа образует эмиттерно-базовый переход 13. Слой 4 и слой 5 У+-типа образует 1. - Н-переход 14 для примесей того же типа (1. - Н определяет две граничащих области с...

Номер патента: 626713

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковый, прибор

...слоя Р-типа проводимости. Области 5, 16 и 22 созданы метолом диффузии..50В варианте, показацном,на фиг. 4, дополнительная область примыкает к области 7 ц области 8 базы. Базовый электрол может наноситься не только на области 7 базы, цо ц нд дополнительную область 30.В варианте по фиг. 5 нд цновсрхцосги сла оо легированного слоя 4 эмцттерд р зчещаетс 5 Л 011-срчктчр(мстг-Окцсг-цогъ и роцолцик .уцрвгяоццц ,скгр. 631, цпоц.снцый о алюминия, ц слой 32 двуокиси Г рсчцця вч(стс со слоем 4 эчиттерд Обр,.( к)т МОП-струит ру. Прц прГклалы );ниц здрднее выбранных значений ндпряж(цця к уцрсвл 5 оцс)у эгектролу 31 цод ц Г, роцьц) слоем 32 процсхолцт образовне барьер 3 . СЛОЙ 32 называется тдкм(е цц(рс,ым слосч, облдстькэ истовения цлц Г)Г.Г "Ь...