Патенты с меткой «эпитаксильных»

Номер патента: 519045

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 21/20

Метки: газовой, многомлойных, наращивания, однослойных, полупроводниковых, селективного, структур, фазы, эпитаксильных

...друга изготов ляют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического 10 транспортного реагента лишь на локальных участках, расположенных зеркально-симметрично но отношению к предлагаемому расположению эпитаксиальных остр овков на поверхности подложки. , 15Л окализацию взаимодействия химического транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществляют путем маскирования всей поверхности источника с последую щим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участки на поверхности источника, Далее подготовленный источник сближают с очищенной 25 поверхностью подпожки и пои достаточно...

Номер патента: 940248

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Батенчук, Костюк, Лотоцкий, Тузяк, Ющук

МПК: H01F 10/14, H01F 10/16, H01F 41/22 ...

Метки: граната, железоиттриевого, основе, структур, термической, ферритовых, эпитаксильных

...эпитаксиальные струксостоящие из монокрнсталлической ппенви железо-иттроевого граната (ЖИГ) иподложки из моиокрнстапла галлий-гадлииневого граната (Г 1 Т) овентации 11вырапшвают путем изотермнческого погружения подложек в перенасыщенныйраствор-расплав ферритообразуюших окилов Г 80, гО.н флюса РЬО-В О пообщепринятой технологии. Промытые внчале в кипящей концентрированнойной киспоте, а потом в дистютпированнводе ФЭС подвергают сушке, после чеизмеряют топшину эпитаксиапьного сла также ширину кевой ферромагнитнорезоБансаТермическую обработку ферро-элитаскальной структуры осуществляют слепам путем,ФЭС помещают на платиновую подстку и загружают в кварцевую тРубу имещенную в холодную печь, Из баллоначерез редуктор по полиэтиленовой...