Каряев

Намагничивающее устройство для магнитографического контроля цилиндрических изделий

Загрузка...

Номер патента: 1753391

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Каряев, Ковалев-Кривоносов

МПК: G01N 27/82

Метки: магнитографического, намагничивающее, цилиндрических

...этом устройстве используется один исКроме того, дополнительные электро- точник) в стали трубы будут протекать магниты предназначены для регулирования 35 соответствующие магнитные потоки, и в ремагнитного потока растекания, что позво- зультате, будут создаваться индукции В. лит обеспечить магнитное насыщение стали мэг., Вр, В (В ),трубы в недоступных для непосредственно- При сложении вектора индукции Вд (Вц) го намагничивания участках, и поэтому, воз- с вектором В получим вектор В (В ), поверЯможность обнаружения разрушений, 40 нутого в сторону обьема трубы, ограничен- расположенных и в этих местах, ного площадкой АВСО. Очевидно, что уголСердечники дополнительных электро- поворота вектора В(3) можно изменять магнитов выполнены из двух...

Состав для рабочего слоя носителя магнитной записи

Загрузка...

Номер патента: 992553

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Каряев, Путный, Сакварс, Тимофеев

МПК: C09D 5/23

Метки: записи, магнитной, носителя, рабочего, слоя, состав

...силой 250-340 Э 8,0-19,0Диалкилполигликоле"вый эфир ортофосфорнойкислоты 0,1-0,8Сополимер винилхлорида с винилиденхлоридом 10,0-20 0Дибутилфталат 0,1-0,8Бутилацетат 8,0-11,0Ацетон 8,0-11,0Толуол ОстальноеВ качестве сополимера винилхлорида с винилиденхлоридом используют сополимер марки ВХВД0 СТ б"01-19" 75,Состав готовят следующим образом.В шаровую мельницу емкостью 100 л загружают, вес.Ъ:Магнитнаяу"окисьжелеза (НсЭ) 10,0Магнитная-окисьжелеза(Нс-340 Э) 19,0Диалкилполигликоле"вый эФир ортофосфорной кислоты Магнитная -окись железа (Нс =фф 100-140 Э) Магнитная т "окись железа (Нс- 250-340 Э) Диспергатор - диалкилполигликолевыйэфир ортофосфорной кислоты Сополимер винилхлорида с винилиденхлорндом Дибутилфталат 0,1Бутилацетат...

Рабочий слой носителя магнитографической записи

Загрузка...

Номер патента: 949693

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Блок, Каряев, Путный, Сакварс, Тимофеев

МПК: G11B 5/68

Метки: записи, магнитографической, носителя, рабочий, слой

...Тираж 622 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор В. ПилипенкоЗаказ 5488/41 Рабочий слой выполнен в виде двух слоев 1 и 2, укрепленных на немагнитной основе 3 носителя магнитной записи, и состоит из магнитных частиц 4 гамма-окиси железа, равномерно распределенных в смеси сополимера винилхлорида с винилиденхлоридом, диалкилполигликолевого эфира фосфорной кислоты, дибутилфталата, бутилацетата, ацетона и толуола. При этом в одном из двух слоев 1 и 2 магнитные частицы 4 гамма-окиси железа выполнены с 10 коэрцитивной силой 60 Э и остаточной индукцией насыщения 400 Гс, а в другом - с...

Агрегат для поточного эмалирования труб

Загрузка...

Номер патента: 740864

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Белов, Каряев, Прокофьев, Савельев, Сиротинский, Смольников, Стрельцов, Тимонин, Язиков

МПК: C23D 11/00

Метки: агрегат, поточного, труб, эмалирования

...и обжига. Сушкаи обжиг покрытия осуществляются индукторами. На каждой технологическойпозиции имеются шахты 26, в которые 65 опускается труба, Кантователь 27 для перемещения труб иэ горизонтального положения в вертикальное состоит иэ стрелы 28 с роликами 29, снабженной нижним захватом"подпятннком 30 с встроенными кулачками 31 и захватом 32. Захват-подпятник 30 и захват 32 приводятся в движение любыми силовыми механизмами, например пневмоцилиндрами, и фиксируют трубу снебольшим зазором, Стрела 28 кантователя 27 находится в криволинейных направляющих 33 и 34, расположенных в параллельных плоскостях и связанас лебедкой 35. Направляющая 33 состоит из поднимающегося от конвейера 36 для подачи труб участка 37 и вертикального участка 38, а...

Способ получения полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 588851

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Геворкян, Голубев, Каряев, Шмарцев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводниковых, структур

...подложка пропускают импульсы пост оян ного электрического тока, имеющего такое направление, что на границе разде 20 ла источник - растворасплав выделяет", ся тэйло Пельтьеу а цю. 1"анице раствор расплав - подложка поглощается такое же количество тепла. Под .действием теп- ла Пельтье происходит растворение слоя 25 источника, толщина которого определяется количествам выделившегося тепла, т. е. величиной и длительностью импульса тока, В то же время на другой границе раздела температура понижается и раст- ЗО вор расплав оказывается нересьпценным относительно компонент, насыщавших жидкую фазу (компоненты твердого раствора А 6, бо, ЬЬ .). На подложке начинаетси, кристаллизация слоя твердого рствора, ЗЮ причем концентрация...