H01L 21/473 — состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла

Номер патента: 175142

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Новиков, Русаков

МПК: C25D 11/32, H01L 21/473

Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур

...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...

Номер патента: 570130

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Бахрюков, Морозов, Суворов, Тюремнов

МПК: H01L 21/473

Метки: вакуумная, диэлектрическая, паста

...от температуры ев разложения и ограничивается технологией изготовления приборов. С ростом температур 25 оку57 О 130 Составитель В, МякиненковРедактор Р. Пурнам Техред Н, Бабурха Корректор М. Демчик Заказ 3067/46 Тираж 976 ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 смол в количестве 25-60% от общего вес пасты.Медленная испаряемость лака позволяет через один трафарет получить более 300 отпечатков, в низкая,температура разложения позволяет достигать более полного его выго рания и , следовательно, лучших вакуумных свойств. Р условиях ионной бомбардировки диэлектрические покрытия рабочих частей...

Номер патента: 521802

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/473

Метки: базы, изготовлении, источника, селективного, структур, транзисторных, формирования

...областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легируюший и экранируюший слои имели бы одинаковые размеры, а ширина маскирующего слоя была бы меньше; их нв двойную ширину эмиттера, формируют с помощью травктеля, растворяющего маскирующий и легируюший спои со скоростью большей, чем экрвнируюший. Концентрированная фтористоводородная кислотаЛедянв уксусная кислотаОднопроцентный растворщавелевой кислоты Концентрированная ортофосфорнвя кислотаКонцентрированная фтористоводородная кислота с помощью травителя, растворяющего маокирующий и легируюший слой со скоростьюбольшей, чем экранируюший слой. 1 равление. производят травителем К, включаюшим О-травитель, в состав которого входит, об, ч:5Концентрированная...