Патенты с меткой «многомлойных»

Номер патента: 519045

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 21/20

Метки: газовой, многомлойных, наращивания, однослойных, полупроводниковых, селективного, структур, фазы, эпитаксильных

...друга изготов ляют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического 10 транспортного реагента лишь на локальных участках, расположенных зеркально-симметрично но отношению к предлагаемому расположению эпитаксиальных остр овков на поверхности подложки. , 15Л окализацию взаимодействия химического транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществляют путем маскирования всей поверхности источника с последую щим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участки на поверхности источника, Далее подготовленный источник сближают с очищенной 25 поверхностью подпожки и пои достаточно...