Сыноров

Номер патента: 1711271

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Бормонтов, Крячко, Сыноров, Чистов

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрику, контакта, полупроводнику, создания, электрического

...изобретения позволяетез,дополнительной операции напыления(71) Воронежский государственный университет им, Ленинского комсомола(56) Авторское свидетельство СССР М 995000, кл. 6 01 й 1/06, 1983,Авторское свидетельство СССР М 476517, кл. 6 01 й 1/06, 1975.(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИКУ ИЛИ ДИЭЛ Е КТРИ КУ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приконтроле технологических процессов в по-лупроводниковом приборостроении,Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.Сущность изобретения заключается втом, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление,равное 2-4 Н/мм, к поверхности полупро 2водника или диэлектрика и выдерживают...

Номер патента: 1411357

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Битюцкая, Бормонтов, Минасянц, Сыноров

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентирования

...методом направленной кристаллиза ии из расплава, диаметром 1 см и длинойсм раскалывают на несколько частей по лоскостям спайности. Каждый из полученых образцов имеет от одной до трех непааллельных плоскостей скола, на каждой из оторых имеются риски. На отколотых часях монокристаллов сошлифовывают и отолировывают медве площадки, перпендикуярные рискам на сколе. Окончательную поировку шлифов осуществляют пастой АМ ,5/О, Размеры шлифов Зх 5 мм. Затем осуествляют травление шлифов травителем, одержащим 10 мл 69,8%-ной азотной кисоты и 50 мл 45%-ной фтористоводородной ислоты (картина травления изображена на иг. 1) и травителем, содержащим 40 мл 9,8%-ной азотной кислоты и 10 мл 45%-ной тористоводородной кислоты (картина трав- ения...

Номер патента: 1051561

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Бормонтов, Сыноров, Худяев

МПК: G09B 23/18

Метки: прибор, учебный, физике

...в про рези,панели дисков, диаметр которых равен диаметру кругов, а средство для перемещения имитаторов электронов состоит из расположенного на тыльной стороне панели винта с гай кой и толкателем и подвешенных к панели планок, взаимодействующих с толкателем и штырями.На фиг.1 изображен прибор, вид спереди, на фиг.2 - то же, вид сзади; на фиг.Зто же, вид сверху) на фиг.4 - прибор выполненный из двух панелей.Учебный прибор по физике содержит панель 1, в котоРой выполнена 45 прорезь 2. На лицевой стороне панели 1 вдоль прорези 2 нанесено обозначение атомов в виде кругов 3. Имитаторы электронов выполнены в виде дисков 4, имеющих штыри 5. штыри 5 установленн в прорези 2., их диаметр 50 раввн диаметру кругов 3. На тыльной стороне...

Номер патента: 957255

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Суровцев, Сыноров, Худяев

МПК: G09B 23/20

Метки: прибор, учебный, физике

...каждая иэкоторых выполнена в данном случаеиз неподвижной с горизонтальным пазом на торце и подвижной части, выполненной из упругого материала, вертикальной рейки 8, скрепленной свободными концами упругих планок 5-7 иснабженной рычагом 9, двух дополнительных пластин 10 и 11, параллельных пластинам 5-7, прозрачного щита 12, параллельного щиту 2, ограничивающей пластины 13, вертикальныхпорпружиненных толкателей 14 и 15, 2расположенных над и под планками5-7, и шаров 16, расположенных меж.ду пластинами 5-10 и 7-11. Три упругие пластины 5-7 ограничивают зоны, имитирующие энергетичес- щкие эоны и середину запрещенной зоныполупроводника.Профилированнце щиты 3 и 4 имитируют электрическое поле.Шары имитируют носители зарядов.Работают с...

Номер патента: 903946

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гольдфарб, Рубинштейн, Суровцев, Сыноров

МПК: G09B 23/06

Метки: прибор, учебный, физике

...полупроводников ронно-дырочных переходов. П графического изображения за усвоение учебного материала Известен учебный прибор содержащий корпус с комплек903946 Формула изобретения ла, например листовой резины, в ниж-. ней секции корпуса расположена герметизированная камера 4, заполненная жидкостью, например водой, плотностьь которой больше плотности помещенных в нее шариков 5 и 6, размещенных в верхней секции корпуса, являющихся имитаторами дырок и электронов, На передней панели прибора, выполненной из оргстекла, обозначе О ны линия металлургического р - и перехода 7, уровни зоны проводимости Яо , валентной зоны Е 1 и уровня Ферми Ер , а также ширина запрещенной зоны Ь15У чеб ный прибор работ ает следу ющи м образом.Сдвиг зон йри...

Номер патента: 599662

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров

МПК: H01L 21/263

Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя

...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...

Номер патента: 588616

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Баев, Бурылин, Лавренов, Лындин, Пономарев, Сыноров

МПК: H03H 7/30

Метки: задержки, линия, электромагнитная

...расположение катушек, при которомоси каждых двух последовательно включенных катушек сдвинуты на расстояние, близкое к радиусу катушки, сводит к минимуму 5 паразитную индуктивную связь, которая является источником фазовых искажений. На чертеже изображено описываемое устройство, общий вид.Катушки 1 индуктивности расположены на 10 двух сторонах изолирующей подложкиобщейтолщины Ь, которая может состоять из двух пластин 2 и 3. Катушки 1 индуктивности расположены на двух сторонах изолирующих подложек 2 и 3 так, чтобы внешние и внутрен ние концы катушек, расположенных на подлояке 2, располагались соответственно внутренним и внешним концам катушек индуктивности, расположенных на подложке 3. Все соединения концов катушек 1 индуктивности 20...

Номер патента: 546948

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Мелиоранская, Сыноров, Чевычелов

МПК: H01G 4/255, H01G 4/33

Метки: конденсаторов, подгонки, тонкопленочных

...не за счет уменьшения площади верхней обкладки 4, а за счет увеличения толщины пленки 3 в области, прилегающей к торцевой поверхности верхней обкладки 4.При осуществлении юстировки номинала тонкопленочного конденсатора на величину менее 1 % от его первоначального значения избирают вариант, показанный на фиг. 3. Электролит 5 помещают на диэлектрическую пленку 3 на небольшом расстоянии от границы верхней обкладки 4 (фиг. 5), затем подают напряжение, превышающее напряжение формовки конденсатора на величину, соответствующую желаемому эффекту подгонки, в результате происходит окисление нижней обкладки 2.За счет эффекта растекания область окисления захватывает частично площадь нижней обкладки 2, лежащую под торцевой поверхностью...

Номер патента: 531250

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Глазнев, Сыноров, Шульгин

МПК: H03G 3/30

Метки: коэффициентом, регулируемым, усиления, усилитель

...с регулируемым коэффициентом усиления содержит дифференциальный каскад 1 на транзисторах 2 и 3 с генератором тока 4, цепь отрицательной обратной связи с выхода дифференциального каскада 1 на его вход через сумматор 5, датчик ока 6, состоаций из резистора 7 и опера. ционного усилителя 8, включенный последова. тельно в цепь питания дифференциального каска. да 1, и регулируемый усилитель постоянного наири. жения 9, через который выход датчика тока 6 соединен со вторым входом сумматора 5Работает усилитель следуняцим образом, Гитнал подается ня сенератор тока 4, я снимя. ется с корчекюря транзистора 3 лифференпияль ного кяскада 1 Кптффвциент передачи усилителя опх деляется няпряжением ня втором входе гуммато 1 а 5, устянявливаютцим...

Номер патента: 217552

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Гольдфарб, Гончаров, Крячко, Сыноров

МПК: H01F 41/14

Метки: нанесения, плазменного, пленок

...с целью упрощения процесса и улучшения его контролируемости и увеличения плотности покрытия, изготовляют твердый вкладыш из наносимого материала и вводят его в разрядную камеру плазматрона, а скорости эрозии вкладыша и нанесения пленки регулируют изменением температуры плазмы,о Известные способы плазменного нанесенияпленок заключаются в расплавлении наносимого вещества в разрядной камере высокочастотного безэлектродного плазматрона итранспортировке его к обрабатываемой поверхности с помощью струи инертного рабочего газа, например аргона,Однако в этих способах сложна система подачи наносимого вещества, мала контролируемость процесса и качество наносимых пленок 10невысокое.Для упрощения процесса и улучшения егоконтролируемости, а также...

Номер патента: 329582

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Асеев, Косой, Лобов, Сыноров, Чко

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсатор, тонкопленочный

...- 5 раз обивное я. ходится диэле слой металла ляет повысить без увеличени напряжение ко изобретения Предм Тонкопленочны сенных на диэле лических обклад покрытых слоем тем, что, с целью лпчения площади песен слой метал нане- металчатых, бийся ез увеик на, Асеев, В, В. Крячко, И Изобретение относится к электронной технике. Устройство может быть применено в гибридных СВЧ интегральных схемах.Известны тонкопленочные конденсаторы в виде нанесенных на диэлектрическую подложку гребенчатых металлических обкладок, покрытых диэлектриком.С целью повышения емкости без увеличения площади обкладок, на диэлектрик предлагаемого конденсатора нанесен слой металла.На фиг. 1 изображен конденсатор, вид сверху; на фиг, 2 - то же, поперечный разрез,На...

Номер патента: 149567

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Налетова, Сыноров

МПК: C08G 63/40

Метки: глифталевых, смол

...испытаний полученной смолы показали ряд преимуществ по сравнению с обычной глифталевой смолой. Так, ее применяют в качестве защитного средства полупроводниковых приборов, например германиевых триодов, работающих при повышенной влажности воздуха и температурах до 100 (в том числе в тропических условиях). особ получения глифталевых смол и лей и ангидрида, отличающийся тем с целью улучшения свойств смолы, в ка е сокомпонента используют нитрофтале ангидрид. Спгликочто,честввый присоединением заявкиИзвестны способы получения глифталевыхсмол из гликолей и ангидрида. Однако влагои температуростойкость этих смол, а такжеих адгезия к металлам и полупроводникамнедостаточны, 5Предлагаемый способ отличается тем, чтов качестве сокомпонента...

Номер патента: 117937

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Преснов, Сыноров

МПК: G01R 27/02

Метки: или, исследования, коллектор, кольцо, контакта, контактное, рабочая, свойств, системе, скользящего, щетка

...подключаются: один - к измерителю переходного сопротивления, а другой - к измерителю термоэлектродвижущей силы.На чертеже изображена электрическая схема предлагаемого устройства.На коллектор нли короткозамкнутое кольцо 1 наложены рабочие щетки 2, через которые проходит ток нагрузки, и вспомогательная медная щетка 3. Рабочие щетки 2 имеют по два отверстия, сквозь которые проходят зонды 4, выполненные в виде подпружиненных щеток, установлечных в общем корпусе, надеваемом на рабочую щетку.Один из зондов 4 и вспомогатсльиая медная щетка 3 включены в схему, измеряющую переходное сопротивление контакта в прямом н обратном направлениях. Эта схема содержи-. потенциометр 5, милливольтметр 6 и гальванометр 7, Другой зонд 4 и вторая...