Токопроводящий материал для элементов памяти

Номер патента: 1160907

Авторы: Барейкене, Бондаренко, Волков, Захарова, Ивакин

Описание

Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или вольфрам; 0,1 x 2; 0,1 y 1.

Заявка

3607328/21, 15.06.1983

Институт химии Уральского научного центра АН СССР, Институт физики полупроводников АН ЛитССР

Волков В. Л, Бондаренко В. М, Захарова Г. С, Ивакин А. А, Барейкене Р. М

МПК / Метки

МПК: H01C 7/10, H01L 45/00

Метки: материал, памяти, токопроводящий, элементов

Опубликовано: 27.01.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1160907-tokoprovodyashhijj-material-dlya-ehlementov-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Токопроводящий материал для элементов памяти</a>

Похожие патенты