H01C 7/10 — реагирующие на приложенное напряжение, т.е. варисторы

Номер патента: 119602

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Новицкий, Осадчий

МПК: G01R 17/10, H01C 7/10

Метки: безинерционное, диодах, полупроводниковых, сопротивление

...управляемого сопротивления может быть создан целый ряд приборов с быстродействующим автоматическим уравновешиванием для измерения электрических и неэлектрических величин как с амплитудной, так и с частотной или временной модуляцией,На чертеже приведена схема быстродействующего моста с автоматическим уравновешиванием для работы с измерительными преобразователями активного сопротивления.В качестве сопротивления одного из плеч этой мостовой схемы использовано предлагаемое безынерционное сопротивление Й, состоящее из четырех диодов, включенных по схеме моста. Напряжение с выхода мостовой схемы через усилитель УС подается на фазочувствительный выпрямитель ФЧВ; выходной ток последнего представляет собой постоянный управляющий ток 1...

Номер патента: 197724

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Караченцев, Коломиец, Поташев

МПК: H01C 7/10

Метки: l-(+, й-1гг, о•, ьйь

...токопроводящие полосы 5 - 8 на торцах тела варистора - рабочие электроды,Выполнение электродовзволяет применять много ляемыи варистор в различных вариантахсхем путем переключения выводов от полос всоответствии с новой заданной схемой.Если полосы 1, 2 и 3, 4 н соответствующиеим полосы на противоположных гранях, образующие управляющие электроды, отключитьодну от другой, а полосы 5, 6 использоватькак управляющие электроды, то полосы 7 и 8будут рабочими электродами. Аналогично мо 10 гут быть использованы и четыре полосы противоположной грани. Взаимное влияние этихдвух управляемых варисторов, расположенныхна противоположных гранях тела варистора,практически ничтожно, так как сопротивление15 между токопроводящюш полосами 5 - 8...

Номер патента: 267725

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Караченцев, Поташев

МПК: H01C 7/10

Метки: 267725

...приводящим материалом, увеличивает длину рабочих кромок электродов, что снижает сопротивление между рабочими и управляющими электродами. Форма канавок может быть различной, например волнообразной, П-образной, в виде отрезков прямой линии, расположенных под углом друг к другу и т, д. Форма рабочей кромки одного рабочего электрода повторяет форму рабочей кромки противолежащего управляющего электрода, а расстояние между рабочими кромками сохраняется одинаковым. Так, в приведенном варианте полосы, образующие управляющие электроды, выполнены в виде отрезков прямой линии, расположенных под углом друг к другу.в верхчей ча варистора, пр 6 еспечения Полосы 10, 12, 14, расположенные сти цилиндрической поверхности и низких напряжениях для...

Номер патента: 305512

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вольфсон, Пельцман, Помухин, Туман, Эдил

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: линия, механизированная, поточная

...21.На выходе контрольно-измерительных устройств 17 расположены устройства 22, обеспечивающие финишные операции изготовленияваристоров и включающие в себя соединенныедруг с другом устройство 23 маркировки и сушки, устройство 24 визуального контроля, устройство 25 окончательной разбраковки и устройство 26 упаковки готовых изделий.Общая система управления линией включает в себя пульт управления 27, электрическисвязанный посредством счетно-решающегоблока (на чертеже пе показан) с упомянутыми устройствами линии, и световые информационные табло 28, отражающие в процессеизготовления данные о количестве варисторови сменное задание выпускаемого номинала,данные о температурных режимах, выполнении плана на линии выпуска, времени...

Номер патента: 333611

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Кример

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: варисторов

...обжига в окислительной среде, либо в восстановительной среде при более низких температурах, чем температура основного высокотемпературногоо обжига.Пр и мер, Способ изготовления варисторов на основе карбида кремния и глины в качестве связки включает формовку, предварительный обжиг на воздухе, высокотемпературный обжиг в окислительной среде, осуществ ляющийся при температурах 1100 - 1400 С. Если в результате отказывается, что сопротивление заготовок выше требуемого, т. е. номинальное напряжение выше требуемого, то осуществляется повторный высокотемпературный обжиг в той же окислительной среде при более высоких температурах, либо в среде водорода,при более низких температурах, чем температура основного обжига. В...

Номер патента: 333614

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бронников, Дидковска, Кисель, Климов

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: диэлектрик, керамический

...итал а.ктрик имеет нла диэлектрич 1. Керамния конденна основе ти феррониоокислов свии тантала,уменьшенияпотерь, онлития. ческии диэлектрик дл саторов с управляемой вердого раствора фер бата свинца, полученно нца, бария, железа, тит отличающийся тем, чт тангенса угла диэл содержит титанат баредостаточно еских по 10В целях уменьшения танг трических потерь в конденс мый керамический диэлектр содержит титанат бария иКерамический диэлектрик товлен из исходных компоне количественных соотношениокись свинцаокись барияокись железаокись титанаокись ниобияокись лития ектрик с управляемойающийся тем, что онпоненты в следующихениях, вес. %:63,10 - 58,60,0,43 - 4,51,11,27 - 10,48,0,22 - 2,35,9,40 - 8,72,0,08 - 0,87 амическииюпоп.1,т исходнь венных сь...

Номер патента: 341095

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Всг, Кример, Курбатова, Ядтшт

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: нелинейных, резисторов(варисторов

...1, - ток в,прямом направлении;1 з - ток в обрат 1 ном направлении.Далее испра 1 вляют асимметрию подачей на варистор одного или,нескольких импульсов ,напряжйния в лтрямом нйправлйнии (при й ложительной начальной асимметрии) и в о ратином направлении (при отрицательной начальной асимметриями). Импульсы напряженная подают от предварительно зарякенного конденсатора с емкостью 5 - 10 лткф. Величина импульсов не должна превышать амплитуду напряжения импульсной тренировки в,процессе изготовления, при озготовлении по технологии, исключающей тренировку, амплитуда корректирующих импульсов не должна превышать четырехкратного номинального напряжения варистора. Количеспво однополярных импулысов возрастает с увеличением начальиой асим 1 метрии и...

Номер патента: 414636

Опубликовано: 05.02.1974

МПК: H01C 7/10

Метки: 414636

...что значительно ухудшает параметры варисторов.Цель изобретения - обеспечение работываристора на повышенных частотах - достигается тем, что варистор выполнен из стеклообразного полупроводникового материала в 15форме бусинки с расположенными в нем двумя проволочными перекрещенными электродами,Такое размещение электрода делает минимальной площадь их соприкосновения, что позволяет снизить до минимума реактивные составляющие и обеспечить работу варистора наповышенных частотах.На чертеже показан предлагаемьп варистор. 25 аристор состоит из двух перекрещенных олочных электродов 1, 2, расположенных синке из стеклообразного полупроводника чя прочности конструкции поверхность буи покрыта компаундом 4 (эпоксидная а, норакрил). Высокоомный...

Номер патента: 419987

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Андреев, Ефимов, Зайденман, Музалев, Прокопец, Соболь, Соминска, Чижик

МПК: H01C 7/10

Метки: пленочное, сопротивление, управляемое

...сопротивления.На подложку 1 цз стекла илн ситалла способом вакулного напыиоенпя последователыно 10 нанесены контактная пло 1 цадка 2, пленка хрома - резцстивцый электрол 3, плевка твердого электролита 4. верхняя плоскость которой расположена пол углом к плоскости рсзистивного элокт 1 рода пленка серебра - уцравзяю ший электрол 5.Управляемое сопротивленце Работает следующим образом.Управля 1 О 1 цее напряжение подается наэлектроды 3 и 5, при этом отрицательным яв ляется резистивный электрод 3. Положптельные ионы Ар+ с электрола 5 под действием приложенного электриеского поля Осаи(да 1 отся на резистнвцом электроде 3 в вцле нейтральны:( атомов Ао. Толщина этой плснкп 25 Ад п 1 ропорциональна величине управляющегонапряжения и...

Номер патента: 1064324

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абдинасыров, Генин, Козлова, Цванкин

МПК: H01C 7/10

Метки: варисторов, композиция, резистивная

...прохождении тока в двух .направлениях: в одном 1,1) ток проходит вдоль плоскости пластины перпендикулярно направлению деформации, а в другом 1 Ц- вдоль направления деформации, т.е. перпендикулярно поверхности пластины. Экспериментально установлено, что частицы графита ориентированы Таким образом, что кристаллографические плбскости 002) расположены преиму- щественно перпендикулярно направлению силы сжатия с различной степенью дисперсии. Дисперсию ориентаций частичек графита характеризуют углом К между средним положением, параллельным направлению сжатия, и максимальным отклонением нормали к плоскостям 002) от среднего поло жения. Угол К определяют с помощью рефлекса 002 на рентгенограммах, снятых с первичным рентгеновским пучком,...

Номер патента: 1089631

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Авдеенко, Глот, Ивон, Катков, Макаров, Чакк, Черненко

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: нелинейных, резисторов

...заключаются в низком коэффициенте нелинейности и высокой электропровод- ности нелинейных резисторов.Цель изобретения - увеЛичение коэффициента нелинейности и уменьшение электропроводности в слабых полях +Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовле О ния нелинейных резисторов, включающеДополнительная Кс эффициент териообработка нелинейности при 700 ОС в те- при плотносчевие 1 ч ти тока10 А/сиф му приготовление керамической шихты из смеси оксида цинка с добавками оксидов металлов прессование заготовок резисторов высокотемпературный обжиг и дополнительную термообт аботку, последнюю осуществляют в тмосфере чистого кислорода при давении ЗбОторр или в атмосфереатого воздуха при давлении 1520- ,6080 торр.Проведение...

Номер патента: 1302338

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Газарян, Гарагашев, Гусейнов, Курбанов, Мамедов, Монастырева, Шахтахтинский

МПК: H01C 7/10

Метки: варисторов, композиционный, материал

...крем(и 51 и ермаия В ком пОзиционцых мат(- рид.1,х 5+ПВДФ(кривая 1). + +1 ЭВ 1 (крцв 151 2:, С)с+1 ВДФ г,кривая 3) и С.(С+1 ЭВГ 1 (кривая 4); ца (1)иг. 2 -- здвиРмост хствцтсльцости Ванцсторо (тг срсднР(х рдзмсрОВ частиц кр(.Мци 51 и Гсрм(1- ция в ком цозициоццых материалах 81+ -1- П ВДФ ( кри В(я), 8+ГЭВ 1 ( криВая 2), .(Сс-1 ВД (кривая 3) ц С)с++ПЭВП (кривая 4); на фиг. 3 - - зависимость от напряжения сопротивления композиционных материалов 81+ПВДФ (кривь 1 - 5 для примеров 1 - 5 таблицы);5на фиг. 4 - зависимость от напряжения сопротивления композиционных материалов Сгс+ПВДФ (кривые 1 - 5 для примеров 6 - 10 таблицы); на фиг. 5 -- зависимость от напряжения сопротивления композиционных матсриалов 8+ПЭВГ (кри- О вые- 5 для примеров 11...

Номер патента: 1749922

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Макаров, Попович, Тронтель

МПК: H01C 7/10

Метки: варисторов, оксидно-цинковых

...Адсорбция кислорода приводит к появлению отрицательного заряда на поверхности зерна, в результате чего возрастает высота потенциальнога барьера. Масс-спектраметрические исследования оксидно-цинковой керамики для варисторав показали, чта при ее нагревании в вакууме выше 150 С основ1749922 Составитель Ю. КандрахинаТехред М.Моргентал Коррект Демч ак Заказ 2598 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина нь 1 м газом, который выделяетсяявляется СОг, который адсорбирован на границах зерей оксида цинка. Адсорбция СОг(который всегда присутствует в атмосфере) на поверхности зерен 7 пО в...

Номер патента: 1452375

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Квасков, Сидоренко

МПК: H01C 7/10

Метки: нелинейных, оксидно-цинковых, резисторов

Способ изготовления нелинейных оксидно-цинковых резисторов, включающий операции обработки порошка оксида цинка, смешивания его с добавками, прессования заготовок резисторов, обжига, нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного электрического сопротивления и увеличения коэффициента нелинейности при плотности тока более 100 А/см2, операцию обработки порошка оксида цинка осуществляют в восстановительной среде при температуре в диапазоне 400 - 900oC.

Номер патента: 1160907

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Барейкене, Бондаренко, Волков, Захарова, Ивакин

МПК: H01C 7/10, H01L 45/00

Метки: материал, памяти, токопроводящий, элементов

Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или...