Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур

Номер патента: 745297

Авторы: Кокин, Лукасевич, Любушкин, Манжа, Назаров, Чистяков

Описание

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.

Заявка

2692063/25, 06.12.1978

Кокин В. Н, Лукасевич М. И, Любушкин Е. Н, Манжа Н. М, Чистяков Ю. Д, Назаров С. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур, транзисторных

Опубликовано: 10.06.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-745297-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-tranzistornykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур</a>

Похожие патенты