Барейкене

Номер патента: 1160907

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Барейкене, Бондаренко, Волков, Захарова, Ивакин

МПК: H01C 7/10, H01L 45/00

Метки: материал, памяти, токопроводящий, элементов

Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или...

Номер патента: 502301

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Бакутис, Барейкене, Валацка, Венисловене

МПК: G01N 25/16

Метки: герметического, коэффициента, линейного, расширения

...ла изобретсн Способ опреде циента линейног го слоя матери 20 подложку с из деформации изги ка, возникающег отличающий щения точности,25 ложки с равным сти, но с различи чины деформацического коэффия (ТКЛР) тонкоанесения его наР и регистрации образец-подложнии температуры, с целью повыриал на две под модуля упруго- и измеряют велиих систем. ления терми о расширени ала путем н вестным ТКЛ ба системы о при измене ся тем, что наносят мате и значениям ыми ТКЛР и изгиба обо Изобретение относится к способам и вания материалов с помощью те средств, Оно применимо к объектам тонких слоев и пленок.Известен способ определения терми коэффициента линейного расширения тонкого слоя, нанесенного на подлож вестным ТКЛР, основанный на реги изгиба...