Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6)




Заявка
2528820/25, 19.09.1977
Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М. В. Ломоносова
Коршунов А. Б, Миркин Л. И, Тихонов В. Г, Короткова Г. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/268
Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев
Опубликовано: 20.09.2001
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-676109-sposob-polucheniya-inversnykh-sloev-v-poluprovodnikovykh-materialakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах</a>
Предыдущий патент: Система вытяжных трехвалковых калибров
Следующий патент: Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале
Случайный патент: Устройство для стопорения резьбового элемента