Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах

Номер патента: 676109

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

Описание

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104 см2 с и слоевой концентрации электронов до 1014 см-2, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 20 до 280 кВт/см2 при длительности импульса от 6 10-3 до 0,8 10-3 с соответственно.

Заявка

2528820/25, 19.09.1977

Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М. В. Ломоносова

Коршунов А. Б, Миркин Л. И, Тихонов В. Г, Короткова Г. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

Опубликовано: 20.09.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-676109-sposob-polucheniya-inversnykh-sloev-v-poluprovodnikovykh-materialakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах</a>

Похожие патенты