Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 90 до 6 МВт/см2 при длительности импульса от 8


3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-i-n+-структур в кремнии, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 1,7 до 45 МВт/см2 при длительности импульса от 8


Заявка
2533866/25, 13.10.1977
Газуко И. В, Коршунов А. Б, Лукашова Н. Г, Миркин Л. И, Постников И. В, Шпирт В. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/268
Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных
Опубликовано: 20.09.2001
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-677597-sposob-polucheniya-ehlektronno-dyrochnykh-struktur-v-poluprovodnikovom-materiale.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале</a>
Предыдущий патент: Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах
Следующий патент: Способ получения -аминомасляной кислоты
Случайный патент: Исполнительный орган для нарезных работ