Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале

Номер патента: 677597

Авторы: Газуко, Коршунов, Лукашова, Миркин, Постников, Шпирт

Описание

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 90 до 6 МВт/см2 при длительности импульса от 8 10-3 до 0,5 10-3 с соответственно.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-i-n+-структур в кремнии, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 1,7 до 45 МВт/см2 при длительности импульса от 8 10-3 до 0,5 10-3 с соответственно.

Заявка

2533866/25, 13.10.1977

Газуко И. В, Коршунов А. Б, Лукашова Н. Г, Миркин Л. И, Постников И. В, Шпирт В. А

МПК / Метки

МПК: H01L 21/268

Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных

Опубликовано: 20.09.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-677597-sposob-polucheniya-ehlektronno-dyrochnykh-struktur-v-poluprovodnikovom-materiale.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале</a>

Похожие патенты