Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним

Номер патента: 1037039

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Волохов, Дорогой, Пинягина, Попова, Шименкова

МПК: F27B 15/00

Метки: кипящего, печь, полидисперсного, слоя, термообработки

...такихаппаратон может достигать свыше 10 м.Цель изобретения - уменьшение габаритон и улучшение условий обслуживанияПоставленная цель достигается тем,что в печи кипящего слоя для термообработки полидисперсного материала, содержащей вертикальную шахту с газораспределительной решеткой в основании, ныполненной с трубчатыми вставками, высота которых после довательно уменьшается к выгрузочному отверстию, размещенному в цент" ре решетки, и с загрузочным устрой" ством в боковой стенке шахты, трубча тые вставки расположены, параллель- бО ными и -рядами н направлении спи-.рали Архимеда к выгрузочному отверстию,. причем высота вставок -го ряда равна максимальной высоте вста вок Остальных рядов. На фиг.1 изображена печь, видсверху, на фиг.2 - то...

Номер патента: 976274

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Ванжа, Дорогой, Завражин, Митрохин, Мудрый

МПК: F27B 15/00

Метки: кипящим, многозонная, печь, полидисперсного, слоем, термообработки

...7, примыкающее внизу к куполу,н верхней части сопряжено с коленом8, которое внизу примыкает к пылеуловителю б. Пылеуловитель б соединенгазоходом с центробежным пылеуловительным циклоном 9, который, в своюочередь, гаэоходом соединен с электрофильтрами 1 на чертеже не показаны).Колено 8, примыкающее внизу к пылеуловителю б, внешней стенкойсоединено с входным патрубком дополнительно установленного на уровнеэтого колена пылеуловительного циклона 10, выходной донный патрубоккоторого переточным устройством 11соединен с переточным устройством3 иэ зоны 1 подогрева в зону 2 обжига на участке его, находящемся вышезапорного клапана 4.В колене 8 перед входным патрубком дополнительного циклона 10 установлена жалюзийная решетка 12,Печь работает...

Номер патента: 1686290

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Баскаков, Воинов, Филипповский

МПК: C21D 9/52, F27B 15/00

Метки: кипящим, проволоки, слоем, термообработки

...рядами отверстий, подрешеточную камеру 8.Взаимное расположение электронагревателя 2, воздухораспределительной решетки 3 и обрабатываемой проволоки 9 показано на фиг. 2.Установка работает следующим образом.Проходящий по трубкам электронагревателя 2 воздух нагревается и идет на ожи,кение слоя мелкодисперсного материала 4. Так как электронагреватели 2 установлены над рядами отверстий решетки 3, то выходящие из отверстий решетки 3 струи воздуха будут препятствовать образованию застойных зон материала 4 вокруг электронагревателей 2. Технический эффект обеспечивается тем, что проволока по мере ее продвижения потребляет неодинаковое количество тепловой мощности на разных участках установки. Причем на начальном (по ходу движения проволоки)...

Номер патента: 300870

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алымова, Букина, Петров

МПК: G03C 8/52

Метки: гидрофобного, диффузионного, одноступенного, приемного, слоя, фотопроцесса

...механическую прочность при действии сильнощелочного проявителя во время фотографической обработки и после нее и не требует нанесения защитного лакового покрытия. П р и м е р 1. На баритованную бумажную фотоподложку или триацетатную кинопленочную основу наносят грунтовый слой поливом 14%-ного раствора полибутилметакрилата в смеси этилового эфира (60 об.%) и этилового спирта (40 об. %). Условия полива выбирают таким образом, чтобы на бумажной фотоподложке получился слой полибутилметакрилата толщиной 14 - 16 мк, а на пленочной основе - слой толщиной 6 - 8 мк. Затем на грунтовый водоустойчивый слой, нерастворимый в этиловом спирте, наносят приемный слой поливом раствора следующего состава: Содержание веществаКоличество...

Номер патента: 1752142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Барабанов, Матвеев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: p-канальных, бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БИС, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя нитрида кремния, вскрытие в нем окон, противоинверсионное легирование кремния, формирование фоторезистивной маски для получения активных областей, легирование активных областей, формирование полевого и подзатворного оксида кремния, создание контактной металлизации и межсоединений, отличающийся тем, что, с целью изготовления интегральных схем с повышенным уровнем напряжения питания за счет повышения пробивных напряжений активных областей и пороговых напряжений паразитных транзисторов, окна в слое нитрида кремния вскрывают только над полевыми областями, проводят противоинверсионное легирование только на участках полевых областей, выращивают полевой...