Инвертор
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
Инвертор на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шоттки с нормально закрытыми и открытыми каналами, выполненными на структуре, содержащей подложку из арсенида галлия, на которой последовательно расположены первый нелегированный слой арсенида галлия, первый сильнолегированный слой арсенида галлия, второй нелегированный слой арсенида галлия и контакты стоков, истоков и затворов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой мощности и уменьшения разброса параметров, между вторым нелегированным и первым сильнолегированным слоем арсенида галлия расположены два смежных слоя, один из которых является третьим нелегированным слоем, а другой вторым сильнолегированным слоем с типом проводимости, противоположным типу проводимости первого сильнолегированного слоя, при этом толщина второго нелегированного слоя составляет 
толщины сильнолегированных слоев противоположного типа проводимости одинаковы и составляют 
при концентрации примесей в них 1017-1020 см-3, толщина третьего нелегированного слоя составляет 
при этом затворы объединены, а области истоков и стоков выполнены в виде сильнолегированных областей взаимно противоположного типа проводимости и имеют глубину до первого нелегированного слоя.
Описание
Целью изобретения является уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров. На чертеже представлен инвертор. Инвертор состоит из полуизолирующей подлюки 1 арсенида галлия, на которой расположен первый нелегированный слой 2 арсенида галлия толщиной2000
с фоновой концентрацией примесей донорного типа1014см-3. На слое 2 расположен первый сильнолегированный слой 3 n-типа проводимости толщиной 30 
с концентрацией примесей 1020см-3. Третий нелегированный слой 4 арсенида галлия толщиной 1000 
с фоновой концентрацией примесей 1014см-3 расположен на слое 3. На слое 4 расположен второй сильно- легированный слой 5 арсенида галлия р-типа проводимости толщиной 30 
с концентрацией акцепторных: примесей 1020см-3. На слое 5 расположен второй нелегированный слой 6 толщиной 600 
с фоновой концентрацией примесей 1014см-3. Области истоков 7, стоков 8 простираются в глубину вплоть до первого нелегированного слоя 2. Между соседними транзисторами с разного типа проводимостью областями истоков и стоков выполнена гальваническая связь 9. Гальваническая связь 1О соединена с затворами 11.Инвертор работает следующим образом.
При подаче на затвор транзистора напряжения (1:1,5) В канальное взаимное обеднение слоев снимается и электроны подтягиваются к
+n -СаАs слою. р-п-переход смещается в прямом направлении и наступает вырождение в n -слое по электронам. Тогда, если области исток, сток имеют проводимость n-типа, то в транзисторе (Т2) возникает проводящий канал n-типа. В случае подачи на затвор отрицательного напряжения, превышающего некоторое пороговое значение, образуется канал "дырочного" типа проводимости в транзисторе со стоком и истоком р-типа (Т1). При этом область канала, прилегающая к сильнолегированному слою типа проводимости, противоположного типу проводимости истока, стока, не участвует в переносе тока по каналу. При подаче сигнала одной полярности, превышающего пороговое значение, открывается только тот транзистор, который имеет тип проводимости истока, стока, противоположный полярности подаваемого на затвор напряжения питания, т.е. при положительном (отрицательном) напряжении открывается транзистор Т, (Т2).Изобретение может быть использовано в системах связи, в запоминающих системах в качестве ключевого или усилительного элемента. Цель изобретения - уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров инверторов по площади кристалла. Инвертор состоит из полуизолирующей подложки 1 арсенида галлия, первого нелегированного слоя 2 арсенида галлия, толщиной 2000
, с фоновой концентрацией примеси донорного типа 1014см-3, первого сильнолегированного слоя 3 n-типа проводимости, толщиной 30 
, с концентрацией примеси 1020см-3 третьего нелегированного слоя 4 арсенида галлия толщиной 1000 
с фоновой концентрацией примеси 1014см-3, второго сильнолегированного слоя 5 арсенида галлия р-типа проводимости, толщиной 30 
, с концентрацией акцепторной примеси 1014см-3, второго нелегированного слоя 6 арсенида галлия, толщиной 600 
с фоновой концентрацией примеси 1014см-3, из областей истоков 7, стоков 8, простирающихся в глубину вплоть до первого нелегированного слоя 2; между соседними транзисторами с разного типа проводимостью областями истоков и стоков выполнена гальваническая связь 9 и 10, между их затворами 11, а также между стоком одного 8 и истоком другого 7. 1 ил. Рисунки
Заявка
4373817/25, 04.02.1988
Родионов А. В, Свешников Ю. Н, Емельянов А. В, Кравченко Л. Н, Зыбин С. Н, Ильичев Э. А, Инкин В. Н, Полторацкий Э. А, Шмелев С. С
МПК / Метки
МПК: H01L 29/80
Метки: инвертор
Опубликовано: 10.06.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1649973-invertor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Инвертор</a>
Способ измерения толщины слоев полупроводниковых материалов
Номер патента: 446743
Опубликовано: 15.10.1974
МПК: G01B 11/06
Метки: полупроводниковых, слоев, толщины
...таким образом, чтобы поверхности его слоев былй параллельны направ 1 о лению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.Описываемый способ прост взксплуатации и не требует химичвстб КОй ПОдГОтОВКИ ОбраэцОВ.Принципиальная схема измеренияпо предложенному способу показана на чертеже.Свет от источника 1 проходит 20 через конденсор 2, поляризатор 3,образец 4, анализатор 5, фокусирующую систему б и попадает на регистрирующее устройство 7.ИсследуемыИ образец 4 помещают 25 между скрещенными поляризатором 32 2 б 7 Составитель А, С Э ЛИ НРедактор С,ХОЙфИЦ Текред Н .СОНИНЭ Заказ 4 З Изд. И )Я Тираж Щ) Подписиое ЦНИИПИ Государствеияого комвтета Совета Мииистров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113...
Способ определения толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкциях и устройство для его осуществления
Номер патента: 1713448
Опубликовано: 15.02.1992
Авторы: Габор, Дьердь, Каталин, Мария, Янош
МПК: G01B 7/06
Метки: конструкциях, полупроводниковых, слоев, слоистых, толщины
...спонтанно возникающий между раствором, электролитом 2,и полупроводниковой поверхностью образца 6, - это равновесный потенциал раствора, его величину указывают по отношению ккаломельному электроду 4,Для осуществления измерений необходимо выдержать некоторые условия:а) полупроводник относительно графитового электрода 3 независимо от типа проводимости должен иметь положительноенапряжение для тогочтобы могло осуществляться анодное травление;б) при использовании материалов и-типа полупроводник для того, чтобы процесстравления мог протекать, должен освещаться светом большей или такой же по величинеэнергии, что и запрещенная зона полупроводника, для обеспечения образования необходимых для протекания травлениянеосновных носителей заряда...
Способ контроля толщины слоев при изготовлении интерференционных покрытий
Номер патента: 1392530
Опубликовано: 30.04.1988
Автор: Глебов
МПК: G02B 5/28
Метки: изготовлении, интерференционных, покрытий, слоев, толщины
...р и м е р, Предлагаемый способ50 реализован при изготовлении многослойных интерференционных фазоизотропных зеркал на длину волны 632,8 нмодля угла падения света 45 . 3 еркала6 имели конструкцию вида П (ВН) В, где П - подложка из кварцевого стекла;55 ВН - четвертьволновые чередующиеся слои из материалов двуокиси циркония ЕгО с ВПП и двуокиси кремния Б.О с НПП, имеющие показатели преломления и= 1,95 и п о = 1,45. Зеркала наносили методом электронно-лучевого испарения в вакууме на установке типа ВУА, оснащенной системой фотометрического контроля толщин слоев в режиме измерения пропускания. Нанесение зеркал проводили на ненагретые подложки при времени нанесения четвертьволновых слоев 30-40 с для Б.О и 100-120 с для ХгО . КО, размещенные в...
Устройство для регулирования толщины слоя жидкости
Номер патента: 1267371
Опубликовано: 30.10.1986
Автор: Красников
МПК: G05D 9/00
Метки: жидкости, слоя, толщины
...возможность перемещения относительно корпуса 9 задртчика. Лимб 13 микрометрического Зо винта 1 О через шестеренчатую передачу 14 соединен с валом 15, на котором закреплен блок 16 трособлочной передачи 17, трос 18 которой закреплен на станине 6 и соединен с упомя З нутым блоком 16, который связан также с пружиной 19, закрепленной относительно корпуса 9 эадатчика, Пластина микровыключателей 12 через рычаг20 соединена с датчиком толщиныслоя 2.Устройство для регулирования толщины слоя жидкости работает следующим образом,Жидкость, толщину слоя которой необходимо регулировать, поступает налоток 4 и воздействует на датчиктолщины слоя 2, в результате измененияпараметров жидкости, например вязкости, изменяется толщина слоя жидкости,протекающей по...
Способ измерения толщины слоя ферромагнитного материала
Номер патента: 1374038
Опубликовано: 15.02.1988
МПК: G01B 7/06
Метки: слоя, толщины, ферромагнитного
...участок с площадью Я на торце слоя, который будет равен:Фю - К 2 В,. Я К В 61, (2) тгде К - коэфАициент, учитывающийформу образца, т.е. коэффициент размагничивания формы при намагничивании образца в другом направлении;6 - ширина элементарного участка, расположенного на торце слоя,т.е. толщина слоя ферромагнитногоматериала;1 - длина площадки на торце слоя.Разделив величину остаточного магнитного потока Ф , снимаемого стэлементарного участка площади Я наторце слоя, на величину остаточногомагнитного потока Ф с элементарного участка площади Я на поверхностиконтролируемого Аерромагнитного слоя,нанесенного на немагнитную основу,получим усредненное по длине значениетолщины слоя, т.е,Ф 1 В Я К В ..К 1где К = - --= сопят - конструкЕЪ...
Предыдущий патент: Автоматическая система катодной защиты от коррозии корпуса ледокола
Следующий патент: Устройство для подачи деталей
Случайный патент: Непосредственный преобразователь -фазной системы напяжений одной частоты в -фазную систему напряжений другой частоты