Патенты с меткой «у-адресацией»

Номер патента: 1347831

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин

МПК: H01L 33/00

Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...