Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с х у-адресацией
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют термическим окислением на всю толщину слоев при температуре 1033-1073 К в смеси азот-кислород с содержанием кислорода 40-60% после чего формируют адресные шины в Y-направлении.
Описание
Целью изобретения является улучшение выходных параметров и повышение процента выхода годных матриц излучающих диодов (ИД).
На чертеже представлена схематически монолитная матрица ИД, изготовленная предлагаемым способом, где введены следующие обозначения; 1 подложка i - СаАз; 2 проводящие каналы р GaAs: Ge; 3 изолирующие области; 4 Y-шина; 5 Х-шина; 6 световыводящее окно; 7 -p-Al0,2 Са0,8, As: Ge; 8 - p-AI0,1Ga0,3As: Zn; 9 n- AI0,6 Ga0,4As: Те.
Для примера предлагаемым способом создают матрицу ИД видимого диапазона на твердых растворах AlCaAs. В полуизолирующей подложке арсенида галлия марки АГП-5 формируют методом ЗПГТ при температуре 1250 К линейные проводящие каналы шириной 50 мкм с шагом 250 мкм перпендикулярно плоскости подложки на всю ее глубину с помощью линейных параллельных зон на основе галлия с добавкой германия в количестве 2 ат. Методом шлифовки и химико-механической полировки подложка утоньшается до 400 мкм и методом жидкофазной эпитаксии на ней наращивается структура типа: р-АL0,2Ga0,8As: Ge (5 мкм)- p-AI0,2 Ga0,8 As: Zn (3 мкм) n-AI0,6 Ga0,4 As: Te (5 мкм). На поверхность структуры методом ВЧ-распыления наносят маскирующее покрытие Si3N4 (0,3 мкм). С помощью фотолитографической техники в маскирующем покрытии создают окна для локального термического окисления и формируют изолирующие области в X- и Y-направлениях. Температура окисления 10ЗЗ К. Время окисления 30 мин. В качестве окисляющей атмосферы применена смесь азоткислород (50% кислорода). Омические контакты формируют методом фотолитографии. В качестве материала контакта к n-слою используют сплав Аu - Ge. а к р-слою АuСr. Двусторонняя X-Y- разводка формируется методом фотолитографии. В качестве материала разводки используют алюминий толщиной 1 мкм.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве как отдельных полупроводниковых приборов, так и монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений А3 В5. Целью изобретения является улучшение выходных параметров и повышение процента выхода годных приборов путем исключения двухуровневой разводки. Это достигается тем, что адресные р-шины 2 в Х-направлении формируются методом зонной плавки градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки 1. Рабочие элементы 6 с лицевой стороны выделяются локальным термическим окислением на всю толщину эпитаксиальных слоев при температуре 1033-1073 К в смеси азот-кислород с содержанием кислорода 40 -60%, которые в У-направлении со стороны эпитаксиальных слоев коммутируются одним из известных методов. 1 ил.
Рисунки
Заявка
4050883/25, 06.02.1986
Артамонов М. М, Емельянов А. В, Инкин В. Н, Шелюхин Е. Ю, Попов В. П, Лозовский В. Н, Ефремова Н. П, Ильичев Э. А
МПК / Метки
МПК: H01L 33/00
Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией
Опубликовано: 10.07.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1347831-sposob-izgotovleniya-monolitnykh-matric-izluchayushhikh-diodov-s-kh-u-adresaciejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с х у-адресацией</a>
Способ получения полупроводниковых приборов на основе соединений типа а в
Номер патента: 599659
Опубликовано: 30.07.1979
МПК: H01L 21/18
Метки: основе, полупроводниковых, приборов, соединений, типа
...с малыми размерами планарных р - п-переходов (менее 5 - 1 лгклг) их. элекг,рофизические характеристики лучптаготся, если с начала на поверхности полупроводника формируют непрерывный ряд твер,-дых растворов с шириной запрещенной зогны, возрастающей к поверхностги с градиентом 10" - 10 В/с 11, а затем образуют пла: нарный р - и-переход, например, путем ,диффузии примеси в структуру.В этом случае существенно уыеньшаетгся кривизна р - и-перехода и уменьшается угол выхода р - и-перехода на поверхность.В овязи с этим возрастает пробивное .нап 1)5 жение. Уменг,цгение кривизны р - п-перехода и угла выхода его ца паверхность вызвано особенностями диффузии примеси в такой структуре. Коэффициент диффузии примеси резко, возрастает с увеличением...
Охладитель полупроводникового прибора
Номер патента: 1746436
Опубликовано: 07.07.1992
Автор: Тепман
МПК: H01L 23/36
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора
...для установки на нем полупроводникового прибора. В конденсатор 25 ной части рабочей трубы в плотномтепловом контакте с ее внешней поверхностью расположены ребра 6, предназначенные.для отвода тепла во внешнюю среду.На фиг.З изображен охладитель полу 30 проводникового прибора. конструкция которого аналогична охладителю,изображенному на фиг.1. Отличие заключается в том, что в средней рабочей трубе 1замерзающий теплоноситель 2 заменен на35 незамерзающий теплоноситель 4,Работа охладителя, изображенного нафиг.1, заключается в том, что выделяемое.полупроводниковым прибором тепло черезего основание (изображенное пунктиром)40, передается основанию 5 охладителя и черезкорпус тепловых труб 1 и 3 отдается теплоносителям 2 и 4, Незамерзающий...
Прибор для определения направления звука
Номер патента: 5906
Опубликовано: 31.07.1928
Автор: Цейс
МПК: G01S 3/80
Метки: звука, направления, прибор
...1 и 2 могут поворачиваться в разветвлениях 11 ц 12 вилки вокруг горизонтальной осц 15, так что их отверстия, воспринимающие звук, могут быть расположены и по направлению высоты источника звука.Два воронкообразные звукоприемника6 и 7 звукоцрцемника высоты также лежат, и свою очередь, в разветвлениях 16 и 17 вилки, составляющей одно целое с диском 18 вращающимся вокруг той же осц 14., как ц диск 13, но независимо от него, Кроме того, воронки звукоприемников 6 и 7 могут поворачиваться в разветвлениях 16 ц 17 вилки вокруг горизонтальной оси 19, которая параллельна осц 15, когда направления обоих звукопрцемнцков в горизонтальной плоскостц совпадают. Воронкообразные приемники 6 и 7 звукоприемнпка высоты изогнуты так, что цх отверстия,...
Прибор для определения направления течения воды в потоке и его скорости
Номер патента: 20334
Опубликовано: 30.04.1931
Автор: Калелейкин
МПК: G01P 5/02
Метки: воды, направления, потоке, прибор, скорости, течения
...на тот или другой контакт, включая тем самым определенной величины сопротивление, которое соответствует определенному числу градусов, Величина этого сопро.тивления определяется помощью провода 12 (фиг. 5), подведенного к сопротивлению от штанги 13, или отдельного провода, дальше через мостик Уитстона, где в гв включен магазин сопротивлений, тождественный помещенному в коробке 7, В мостик 13 введены два сопротивления г, и г 4 с учетом сопротивления провода 12, Магазин сопротивлений в мо.стихе имеет такие же цифровые градусные значения, как и коробка 7, и служит для получения непосредственно цифровой градусной величины направления течения. Величина угла опреде.:ляется вращением ползуна по контактам .магазина сопротивлений в мостике...
Приспособление для установки подвижной система подвесного измерительного прибора в вертикальном направлении
Номер патента: 32629
Опубликовано: 31.10.1933
Авторы: Левицкого-Рогаль, Сергеев, Тимашев, Улитовский
МПК: G01D 11/02
Метки: вертикальном, измерительного, направлении, подвесного, подвижной, прибора, установки
...укрепленного под подвижной системой и наклонно расположенного под ним зеркала.Последнее служит для наблюдения за нижней поверхностью цилиндрического держателя зеркала, с целью определе- ния правильности установки прибора по концентричному расположению изображений кольца и нижней поверхностидержателя,На чертеже фиг. 1 и 2 изображают приспособление в двух проекциях..Держатель 1 зеркала 2 имеет донышко 3, расположенное с самым незначительным зазором над мостиком 4, в котором сделано отверстие 5, несколько большего диаметра, нежели диаметр цонышка 3, Под мостиком 4 расположено наклонное зеркало 6 под такимуглом, чтобы отражение отверстия 5 попадало ящего через н правильно, круга донышичным с изо" изобретения ре и авторскому свидетельству...
Предыдущий патент: Гидромеханическая трансмиссия транспортного средства
Следующий патент: Способ отрыва голов железобетонных свай и устройство для его осуществления
Случайный патент: Способ высокотемпературной термомеханической обработки штамповой стали