Шелюхин

Номер патента: 1277842

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин

МПК: H01L 21/46

Метки: диодных, матриц

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...

Номер патента: 1378740

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/18

Метки: лазер, периодической, структурой

Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм,...

Номер патента: 1347831

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин

МПК: H01L 33/00

Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...

Номер патента: 1393291

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, полевым, управлением

Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под...

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1391424

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Жуков, Иванютин, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, полевым, управлением

Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...

Номер патента: 951314

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Козлов, Новиков, Пилюгин, Сычков, Шаповалов, Шелюхин

МПК: G06F 11/28

Метки: отладки, программ

...входу 12 на регистр б подается адрес считываемой ячейки ОП, а по входу 14 на блок - команда обращения, По сигналу конца цикла памяти, поступающему с второго выхода блока 4 на третий вход блока 5, в последнем вырабатываются сигналы разрешения, поступающие с его первого выхода на регистры б и 7, и управления, поступающие с третьего выхода блока 5 на третий вход блока 4. Сигналы разрешения подключают регистры б и 7 к первым адресному входу и информационным входу и выходу ОП. Сигналы управления открывают первыи вход блока 4, и команда обращения с входа 14 поступает на блок 4. По этой команде БУ вырабатывает сигналы управления ОП для считывания информации, поступающие с первого 20 выхода блока 4 на управляющий вход блока 3 памяти....

Номер патента: 211678

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кабул, Мельниченко, Шелюхин

МПК: H01J 21/10, H01J 21/36

Метки: волн, диапазона, сантиметрового, триод

...зазором.Длина внутрилампового контура выбираетсятакой, чтобы начало зазора, находящегося в 10 конце контура, располагалось вблизи от первого узла напряжения для средней частоты заданного диапазона.Зазор между анодом 2 и сеточным цилиндром б образует участок линии с мальсм волно вым сопротивлением, играющий роль элемента, трансформирующего мощность из контура, находящегося внутри лампы, во внешний контур. Коэффициент трансформации определяется,длиной и шириной зазора и устанавливает ся таким, чтобы лампа,перестраивалась в заданном диапазоне и, отбираемая из внешнего контура в нагрузку мощность была максимальной для всего диапазона перестройки триода в целом. Коэффициент трансформа ции и диапазон перестройки триода можно менять, изменяя...

Номер патента: 210224

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кабул, Мельниченко, Шелюхин

МПК: H03B 5/18

Метки: генератора, коаксиальный, колебаний, контур, сверхвысокочастотных, триодного

...Резонансноесопротивление описываемого контура близко 15к резонансному сопротивлению четвертьволнового контура. Вблизи первого узла напряжения контура помещается емкость, котораяделит контур на две части. Часть 1 контура,соответствующая обычному четвертьволновому контуру, как правило, лежит внутри лампы (промежуток анод - сетка триода) и определяет резонансное сопротивление анодногоконтура в месте включения электронного прибора. Она отделяется от остальной части 2 25контура, находящейся снаружи лампы, емкостью, образуемой шайбой 3, надетои навнутренний проводник 4 коаксиальной линии,Часть 2 контура служит для отбора мощности и настройки генератора на заданную частоту с помощью плунжеров 5. Емкость, образуемая шайбой 3, является...