Ахинько

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1628766

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин

МПК: H01L 21/18

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...

Номер патента: 407601

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ахинько, Богатырь, Бондаренко, Грудев, Гуменюк, Зильберг, Иванов, Изобретени, Максименко, Сошников, Тилик

МПК: B21B 27/10

Метки: 407601

...прижим, выполненный из антифрикционных, самосмазывающих или впитывающих смазку материалов, или в их комбинации, состоящий из переднего 2 и заднего 3 участков. Передний и задний участки прижима разделены пазом 4, который соединен с магистралью для подвода смазки штуцерами 5, при этом паз выполнен с односторонним скосом в направлении вращения валка, размер о которого равен около 0,2 радиуса /Ь валка, но не менее 2,0 мм, а размер 1 равен наибольшей ширине прокатываемого металла. В скосе прижима установлена планка 6, угол ечивае руемог ри наи едмет изоб тени Устройс смазки на прижим,0 страль дл во для нанесени валки при про оптированный в подвода смазк технологическои атке, содержащее корпусе, и магиотлич ающееАвторыизобретения А, П....