Берестенко

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 1497946

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Алексеев, Берестенко, Венедиктова, Горовой, Гуров, Самохин, Троицкий

МПК: C01B 21/076, C01B 31/30

Метки: карбонитрида, порошка, титана, ультрадисперсного

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНОГО ПОРОШКА КАРБОНИТРИДА ТИТАНА путем воздействия электрического разряда на парогазовую реакционную смесь, содержащую тетрахлорид титана, водород, углеводород и азот, в течение 10-3 10-2 с, отличающийся тем, что, с целью повышения окислительной устойчивости порошка карбонитрида титана на воздухе, в реакционную парогазовую смесь дополнительно вводят кислород в количестве, обеспечивающем атомные отношения 0 < [О] / [С] < 1 и 0 < [С] [О] / [Ti] < 1 и процесс ведут при энтальпии плазменной струи 1,8 3,1 кВт ч/кг.

Номер патента: 774140

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Берестенко, Гребцова, Коробов, Троицкий, Чукалин

МПК: C01B 21/06

Метки: нитридов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДОВ металлов, включающий пиролиз аммиачных производных титана, ниобия, алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, уменьшения примесей в нитридах, повышения содержания в них азота и увеличения удельной поверхности порошков, пиролиз аммиачных производных хлоридов ведут в потоке азотной плазмы СВЧ-разряда с температурой 2000 - 6000 К за время процесса 10-3 - 10-1 с.

Номер патента: 569105

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Берестенко, Гребцов, Домашнев, Лысов, Петров, Троицкий

МПК: C01B 21/06

Метки: нитридов, порошков, сверхпроводящих, тонкодисперсных

...способ полуперсных порошков свнитридов, напримерводородным восстанорида титана в поток ЛУЧЕНИЯ ТОНКОВЕРХПРОВОДЯЦИХ водородное восвание хлоридов котемпературной щ и й с я тем, ия критического ышения темпера- в в сверхпровотановление и и воздействии гнитного поля ц в течение569105 Редактор Е, Курасова Техред А. Кравчук КорректорС,шекмар заказ 787 . Тираж ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 звыделенной из СВЧ-разряда. Полученный нитрид титана представляет собойкристаллы кубической формы, среднийразмер около 500 А, содержание Т 1 И0,98-0,99, Критическая температура54,85...

Номер патента: 1549578

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Берестенко, Гуров, Троицкий

МПК: B01J 19/08

Метки: порошков, ультрадисперсных

...ики такой реакционной камеры выбираются из следующих соображений.щего ультрадисперсный порошок, число цилиндров желательно иметь не менее 6,Наиболее приемлемым диапазоном ве" личины Й с учетом доступности иэгото 5 вления традиционными механическими средствами следует считать 50-150 мм.Исходя из опьгга эксплуатации известных плазмохимических реакторов для получения ультрадисперсных порош ков в диапазоне реализуемых мощностей и производительностей и с учетом длины реактора (Ь) порядка 500 мм, ограниченной предельно допустимой степенью охлаждения реакционного потока в результате продольного градиента .температуры внутри реактора, наиболее целесообразным диаметром окружности Э следует, считать величину из диапазона 150-1000 ми....

Номер патента: 1135414

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Берестенко, Дзнеладзе, Лысов, Маторин, Невский, Петров, Сурис, Троицкий, Чукалин

МПК: H05H 1/24

Метки: высокодисперсных, порошков

...которого ус ны сепараторы и плазмотрон, а меньшем основании сборник пор при этом расстояние от выходи верстия дозатора до большег ния реактора составляет О, диаметра разрядной камеры трона.На чертеже приведен предпочтительный вариант выполнения предложенной установки.5Циркуляционный компрессор 1 с помощью патрубка присоединен к плазмотрону 2, представляющему собой волноводную камеру сверхвысокочастотного разряда. Дозатор 3 ввода исходных, 10 веществ в реактор 4 укреплен на верхнем фланце плаэмотрона. При этом реактор выполнен в виде полого усеченного конуса, на большем основании которого установлены сепараторы - ру кавные тканевые фильтры 5, количество которых выбирается в зависимости от производительности установки, и плазмотрон...

Номер патента: 1132746

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Берестенко, Боков, Бочканов, Носов, Сиедин, Федоров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: маски, негативной

...и продолжительность прививки 1"10 ч.При давлении мономера менее 01 Торр при продолжительности прививкименее 1 ч толщина маски получается недостаточной, так что выход за эти пределы практически нецелесооб-. разен. Процесс пострадиационной графт-полимеризации практически завершается в течение 10 ч, поэтому увеличение продолжительности не дает существенного выигрьппа.В предложенном способе, в отличие от известных, применяемая полимерная пленка не содержит летучих компонентов, не требует обработки в жидких мономерах и проявления в жидкомрастворителе. На фиг, 1-4 показана схема получения негативной маски согласно изобретению.На фиг. 1 изображена первая стадия- формирование полимерной пленки, содержащей молекулы полимера (Р). Полимер...

Номер патента: 543248

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Берестенко, Гребцов, Иванов, Купряшкина, Рябенко, Троицкий, Шалумов

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, кремния, тонкодисперсной

...может найти применение в волоконной оптике и для изготовления полупроводниковой керамики.ЬИзвестен.способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния путем окисления тетрахлорида кремния в потоке низкотемпературной плазмы электродугового разряда.Недостатком способа является загрязнение двуокиси кремния продукта мн эрозии металлических электродов плазменных генераторов электродуго" вого типа и хлором, образующимся при горении тетрахлорида.Известен способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния, заключающийся в окислении кремнийсодержащих соединений, например тетрахлорида кремния,в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме высокочастотного разряда, осуществляемого,в безэлектродплазмотроне.Однако чистота получаемой...

Номер патента: 697950

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Агальцова, Банников, Берестенко, Быков, Гайденко, Григос, Дударчик, Матвеева, Мягков, Саламатина, Сотников, Стремина

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, устройств

...изготавливают стеклянные пластины, затем одним из известных способов на них на. носят прозрачные электроды с требуемым рисунком. Приготавливается гель и его в виде пленки наносят на подложку, по толщине пленки механическим путем создают градиент скорости, который составляет для тонких пленок 10 - 10 сек-. Такой градиент скорости можно создать путем прямолинейного движения пластины из твердого или эластичного материала по пленке из геля красителя параллельно поверхности пластины, например, наложив на подложку с пленкой геля полированную стеклянную пластинку и сдвинув ее прямолинейно и параллельно подложке.Для обеспечения стандартных условий формирования пленки применяют центрифугирова. ние при ускорении 100-5000 м/сек, Изменяя...

Номер патента: 496853

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Банников, Берестенко, Быков, Мягков, Сотников

МПК: G02F 1/07

Метки: жидких, индикаторных, кристаллах, устройств

...вещества выбирают таким, чтобы на поверхности ванны образовался разреженный мономолекулярный слой. Поверхность, занимаемая мономолекулярным слоем, ограничена по параметру: с трех сторон краями ванны, а с четвертой стороны подвижным барьером, скользящим по краям ванны так, что вода легко проходит пол барьером при его движении. Для молекул поверхностно-активного вещества, находящихся на поверхности, барьер явчяется непроницаемым. Далее, контролируя поверхностное натяжение воды, уменьшают с помощью барьера площадь, занимаемую мономолекулярным слоем. При увеличении поверхностной концентрации молекул поверхностно-активного вещества возникает взаимодействие между молекулами мономолекулярного слоя, и они ориентируются...

Номер патента: 505034

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Берестенко, Володько, Гребцов, Никулин, Поташникова, Сорокин, Троицкий, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...6 - 12 Окись алюминия 8 - 40 Алюмоборосиликатное стекло 22 - 50 5 ТКС проводящего материала в этом случаеопределяется составом твердого раствора вуказанной системе,Используя титано-ванадиевые нитриды, удалось перекрыть диапазон номиналов рези сторов от 1 до 10" ом, сохраняя ТКС во всемдиапазоне на уровне +5 10 -град. -Приэтом для низкоомной шкалы (-10 ом) всложном нитриде преобладает ванадий(Т 1 ю,Рю,юК), а в высокоом ной шкале 5 (-10 ком) сложный нитрид содержит в основном титан (Т 1 ю,юлю,Ю)В качестве примера для полученной шкалы сопротивлений (от 1 )изготовлены резистивные слои, и о став, вес. %;Алюмоборосиликатноестекло 36 - 43Окись алюминия 8 - 12Титан 6 - 7Ванадий 30 - 39Азот 9 - 10В качестве примера для получения высокоомной...

Номер патента: 432220

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Белоусов, Берестенко, Бычков, Валеев, Васильев, Виниковский, Гордеев, Калачикова, Колесников, Королько, Машур, Мечев, Норильский, Овчинников, Шустицкий

МПК: C22B 15/06, C22B 23/02

Метки: бессемерования, горизонталбный, конвертер, поясомдля, фурменнб1м, цилиндрический, штейнов

...бессем штейнов, отличающсшся тем, что, с це лпчения производительности, он снао фоном для слива шлака во время д репленным на периферии днища над ным поясом, причем верхняя кромка го отверстия в канал сифона располо границе раздела штейновой п шлако а сливной порог сифона установлен в границы для создания гидравлическо ра и поддерживания необходимого жидких продуктов в конвертере. с присоединением заявки(32) Приоритет -Опубликовано 15.06,74. Известна конструкция горизонтального цилиндрического конвертера с фурсиенным пвясом для бессемерования штейнов, в которой слив шлака осуществляется через горловину при остановке дутья, в результате чего производительность конвертера снижается.В предложенной конструкции слив шлака производится без...

Номер патента: 429032

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Берестенко, Гуржеев, Захаров, Изобретени, Корсаков

МПК: C03C 23/00

Метки: окраски, состав, стекла12

...изобретения - сократить время окраски и повысить ее плотность.Достигается это тем, что состав дополнительно содержит металл в несвязанном виде при следующем соотношении компонентов, вес, %:Расплав соли металлаМеталл Для окраски стекла используют состав, приготовленный следующим образом: в кварцевом тигле расплавляют 5 кг бромистой меди при 550 С и добавляют 1 кг,гранулированной меди. После часовой выдержки при указанной температуре происходит гомогенизация расплава.Затем приступают к окраске стекла марки К - 8. Стекло предварительно нагревают до Н И-"Е -ь 1429032 до 200 С, помещают в расплав и выдерживают в нем в течение 3 мин. После этого вынимают из состава и охлаждают на воздухе.Застывщую соль удаляют путем растворения 5 в...