Патенты с меткой «резонансно-туннельный»

Номер патента: 1558263

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/861

Метки: диод, пролетный, резонансно-туннельный

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД, содержащий между эмиттером и пролетным участком многослойную квантовую гетероструктуру, выполненную из полупроводниковых материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, так что слой более узкозонного полупроводника образует квантовую яму для носителей заряда, которая ограничена с обеих сторон потенциальными барьерами, образованными слоями более широкозонных материаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и максимальной рабочей частоты диода, один из упомянутых потенциальных барьеров, ограничивающий потенциальную яму со стороны пролетного участка, выполнен по крайней мере из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциала для основных носителей...

Номер патента: 1568825

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/73

Метки: резонансно-туннельный, транзистор

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий между полупроводниковыми слоями эмиттера и базы многослойную квантовую гетероструктуру из материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, включающую слой узкозонного материала, образующего квантовую яму для носителей заряда, ограниченную с двух сторон потенциальными барьерами, образованными слоями широкозонных материалов, отличающийся тем, что с целью повышения быстродействия транзистора, по крайней мере один из потенциальных барьеров, ограничивающих потенциальную яму со стороны базы, выполнен многослойным из полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциалов для основных носителей заряда на гетерограницах между слоями этих материалов и узкозонным слоем,...