Патенты с меткой «планарным»

Номер патента: 1307606

Опубликовано: 30.04.1987

Автор: Романов

МПК: H04N 9/28

Метки: кинескопа, лучей, планарным, прожекторов, расположением, сведения, статического, электронных

...6 -9, На внутренней поверхности многополюсных кольцевых магнитов 1-4 расположены выступы ограничителей 10-13вращения. Цилиндрический держатель 5имеет на своей внешней поверхностивыступы ограничителей 14-2 вращения. На фиг. 2 и 3 показаны многополюсные кольцевые магниты 1 и 2, выполненные в виде четырехполюсных кольцевых магнитов, а на фиг.4 и 5 многополюсные кольцевые магниты 3 и 4, выполненные в виде шестиполюсных кольцевых магнитов. При этом угол с между выступами ограничителей 14 и 15 или 16 и 17 вращения для многополюсного кольцевого магнита 1 или 2 а между выступами ограничителей 18и 19 или 20 и 21 вращения для многополюсного кольцевого магнита 3 или 4 тронных прожекторов при неточном его изготовлении. Угол р принимают равным с...

Номер патента: 1474768

Опубликовано: 23.04.1989

Автор: Мельников

МПК: H02P 8/30

Метки: планарным, шаговым, электродвигателем

...а выход - к входу порогового элемента.Устройство работает следующим образом.20 На отрезке времени 0 - й действующий со стороны механизма 3 наякорь 1, разворачивающий момент Мменьше момента М поэтому импульсыисточника 10 проходят через распре делитель 11 импульсов и усилитель12 мощности на фазные обмотки. В зависимости от заданного задатчиком 13направления движения (например, логической "1" - вперед, логического 30 "0" - назад) якорь совершает необходимые перемещения. С момента времени С, (фиг.2) разворачиванций момент М р становится больше допустимого М В результате на выходе порогового элемента 20 формируется управляющийсигнал и ключи 1 8 и 19 размыкаются, подача импульсов на распределитель 11 прекращается. При...

Номер патента: 1499538

Опубликовано: 07.08.1989

Автор: Семакин

МПК: H05K 13/00

Метки: выводов, демонтажа, микросхем, планарным, расположением

...4 3 149953Изобретение относится к радиои электроприборостроению, в частности к технологии демонтажа радиоэлементов с печатных узлов.Целью изобретения является уменьшение трудоемкости монтажа и устранение при этом механических првреждений выводов и корпуса микросхем.На фиг. 1 показано устройство, общий вид; на фиг, 2 - устройство в рабочем положении.Устройство содержит винт 1 и пру-жины 2 и 3. Концы 4 и 5 пружин имеют соответственно Ь-образную и -образ 15 ную формы, Винт со стороны головки имеет цилиндрическую канавку 6. Устройство работает следующим образом. гоСжимают концы пружины 2 и вводят их под выводы микросхемы так, что конец 4 упирается в изгиб выводов, а конец 5 - в корпус микросхемы, аналогично устанавливают пружину 3,...

Номер патента: 1539953

Опубликовано: 30.01.1990

Автор: Мельников

МПК: H02P 8/00, H02P 8/30

Метки: воздушной, опоре, планарным, шаговым, электродвигателем

...числу импульсов, поданных на 5вход + , т.е, величине перемещения,и иВыход генератора 73 подключен к одному из входов элемента И 74, к второму входу которого подключен нулевой разряд реверсивного счетчика 71. Выход элемента И 74 через логический элемент И 75 одновременно соединен с входом распределителя 67 импульсов и с входом "-" реверсивного счетчика 7 1В состав канала 65 входят пороговый,элемент 76, на вход которого подается сигнал с выхода первого суммирующего элемента 77, Суммирующий вход элемента 77 соединен с задатчиком 78 допустимого по условию движения разворачивающего момента И, а вычитающий вход соединен с датчиком 79 момента,Выход задатчика 78 допустимого момента соединен с УРРВ 80 через элемент 25 И 84 и усилитель 82,...

Номер патента: 1601732

Опубликовано: 23.10.1990

Автор: Мельников

МПК: H02P 8/00, H02P 8/30

Метки: планарным, шаговым, электродвигателем

...46 с входом элемента И 33, выход которого соединен с ключом 24, При организации защиты от разворота якоря с помощью кратковременного увеличения тока в обмотках и по второму каналу 7 управления в него вводится блок 47, аналогичный по структуре с блоком 48 первого канала 6 управления.Устройство работает следующим образом,Когда действующий на якорь 1 со стороны манипулятора 3 разворачивающий момент меньше, чем момент, задаваемый задатчиком 26, импульсы источника 8 проходят через распределитель 9 и усилитель 10 мощности на фазные обмотки 11 ШД. Якорь 1 с манипулятором 3 совершает движение в направлении, определяемом задатчиком 18, Как только разворачивающий момент, определяемый датчиком 29, станет больше заданного блоком 26, подача...

Номер патента: 1758703

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андриевич, Шумик

МПК: H01J 29/50

Метки: лучевых, планарным, прожекторов, расположением, трубок, цветных, электронно, электронно-оптическая

...диафрагмы образует поля со слабым нарушением осевой симметрии поля, направление и величина которого определяется ориентацией и высотой отгибов диафрагмы, что позволяет изменять сечение пучка в области линзы подфокусировки из круглого в эллиптическое и тем самым как бы ввести предскажение формы пучка перед входом в главную асимметричную комбинированную фокусирующую линзу, искажающее действие которой, обусловленное ее асимметричностью из-за перекрывающихся отверстий первой чашки, и компенсируется выбранным направлением и величиной преискажения (регулируемого),Выполнение корректирующей диафрагмы с взаимно перпендикулярной ориентацией отгибов центрального и крайних отверстий обусловлено различиями в условиях фокусировки центрального...

Номер патента: 1389611

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/76

Метки: легированием, планарным, полевой, транзистор

1. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ, содержащий расположенный на подложке активный слой с омическими контактами истока, стока и барьерным контактом затвора, включающий моноатомный слой с примесными атомами, отличающийся тем, что, с целью увеличения крутизны, линейности переходной характеристики и предельных частот усиления по току и по мощности, активный слой выполнен из варизонного полупроводника с шириной запрещенной зоны, монотонно убывающей от границы активного слоя с подложкой к поверхности активного слоя.2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что активный слой выполнен из нескольких слоев варизонного полупроводника.