Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.
Описание
Целью изобретения является упрощение способа, повышение точности и увеличение используемой площади кристалла.
П р и м е р 1. Берут безрельефные эпитаксиальные структуры, представляющие собой эпитаксиальный слой толщиной 1,8 мкм с удельным сопротивлением 1,5 Ом
см n-типа проводимости, выращенные на подложке ЭКДБ-10, в которой перед эпитаксией были сформированы скрытые слои n-типа с помощью имплантации ионов сурьмы (Д=600 мкКл/см2, Е=75 кэВ, отжиг в О2, 1200оС, 4 ч) и p-типа с помощью имплантации ионов бора (Д=10 мкКл/см2, 100 кэВ, отжиг в О2, 1100оС, 90 мин). Перед разгонкой скрытых слоев окисел с подложки удаляют. Процесс анодирования проводят в концентрированной плавиковой кислоте при комнатной температуре при плотности анодного тока 10-40 Ма/см2, до получения окрашенной пленки пористого кремния. Обычно процесс выращивания пористого кремния проводят в течение 30-120 с. Окраска (т.е. толщина) пористого кремния, выращенного над скрытыми слоями, отличается от окраски пористого кремния соседних областей, что позволяет определять положение скрытого слоя.П р и м е р 2. Анодированию подвергают эпитаксиальные структуры, подготовленные аналогично примеру 1. Процесс выращивания анодного окисла осуществляют в растворе 20% серной кислоты при комнатной температуре при постоянном напряжении 35-50 В, до появления окрашенной пленки окисла на поверхности эпитаксиальной структуры. Среднее время анодирования составляет 5-10 мин. Толщина анодного окисла, выращенного над скрытыми слоями, существенно отличается от толщины окисла соседних с ними областей, что создает различную окраску, по разности которой легко определить положение скрытого слоя.
Заявка
3877379/25, 04.04.1985
Прохоров В. И, Романова Т. Н, Янсон В. Ю
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным
Опубликовано: 27.06.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1277840-sposob-opredeleniya-polozheniya-i-formy-skrytykh-sloev-na-kremnievykh-poluprovodnikovykh-podlozhkakh-s-ehpitaksialnym-sloem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем</a>
Способ определения толщины поверхностного слоя с отличной от объема структурой
Номер патента: 1504607
Опубликовано: 30.08.1989
Авторы: Алехин, Выбойщик, Зайцев, Кришталь, Мерсон
МПК: G01N 29/04
Метки: объема, отличной, поверхностного, слоя, структурой, толщины
...си калы АЭ. Припеки сигналов АЭ послойную полировку прекращаю-. Образец бе изменения структуры нагружают и опр=деляют напряжение, соответствующе возникновению устойчивого аку тико-змиссиоккого излучения, ; . За."ем с образца, имеющего поверхностный слой неизвестной толщины с отличной ст объема структурой, удаляют (например, электрополировкой) поверхностный слой толщиной Ь нагружают этот образец (с учетом изменения сечения после полировки) до напряжеия Б., и во время нагружекия регистрируют сигналы АЭ. Если при этом нагружекии сигналы АЭ не зарегистрированы, то образец разгружают, удаляют с его дополнительно слой толщиной Ь и вторичко наггружают до напряжения 0 , . ДаннуюСоставитель К, Хилков Техред М.Дидык Корректор Т.Малец...
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел полупроводник
Номер патента: 1082253
Опубликовано: 27.05.2012
МПК: H01L 21/66
Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник
Номер патента: 1238630
Опубликовано: 27.06.2012
Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько
МПК: H01L 21/66
Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.
Способ локального сухого травления слоев окисла кремния
Номер патента: 1304666
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин
МПК: H01L 21/265
Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления
1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...
Электрохимический способ контроля пористости термически выращенных пленок диоксида кремния на кремнии
Номер патента: 1649616
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Горбань, Завадовский, Тягушева, Шаповалов, Ясинский
МПК: H01L 21/66
Метки: выращенных, диоксида, кремнии, кремния, пленок, пористости, термически, электрохимический
...не происходит. Для увеличения разрешения способа площадь рамки ограничивающая электролит, составляет 6 см. В замкнутую2цепь включают миллиамперметр. От источника питания подают напряжение из расчета 3 В на 0,01 мкм толщины окисла. Во время исследования напряжение в цепи ПДЭ-системы поддерживают постоянным. Через 40-50 с производят измерение тока, протекающего в замкнутой цепи ПДЭ-системы при нормированной площади структуры Б-БхО, ограниченной рамкой, Легко определить предельно допустимую площадь всех пор на исследуемой поверхности окисла. Так, предельно допустимая пористость БхО принята 15 см , следовательно на площади 6 смколичество пор составляет 90. Предельно допустимая площадь пор 649616 4определяющей предельно...
Предыдущий патент: Преобразуемый несущий винт
Следующий патент: Способ измерения коэффициента остаточного поглощения в пассивных затворах на основе кристаллов lif с f-2 центрами окраски
Случайный патент: Цепная пила