Бистабильный переключатель
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ с памятью, сохраняющейся при отключенных источниках питания, включающий пластину полупроводника, компенсированного примесями, дающими глубокие уровни, например кремния, компенсированного золотом, на поверхности которого расположено два металлических электрода, один из которых является барьерным контактом, а другой омическим контактом, причем под омическим контактом в пластине полупроводника сформирован сильнолегированный n+ или p+ слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения числа переключений и снижения энергетических параметров переключения, сильнолегированная область выступает за размеры омического электрода в направлении к барьерному электроду не менее чем на 1,5 толщины слоя металла барьерного электрода.
Описание
Известны бистабильные переключатели с памятью, сохраняющейся при выключении напряжения питания, например, на основе полупроводниковых халькогенидных стекол.
Однако процесс запоминания в таких переключателях связан с фазовыми переходами в стеклообразном полупроводнике.
Известен также бистабильный переключатель с памятью, сохраняющейся при выключенных источниках питания, включающий пластину полупроводника, компенсированного примесями, дающими глубокие уровни, например кремния, компенсированного золотом, на поверхности которого расположено два металлических электрода, один из которых является барьерным контактом, и другой омическим. Под омическим контактом в пластине полупроводника сформирован сильнолегированный (концентрация атомов примеси более 1

Недостатками этого бистабильного переключателя являются небольшое число переключений (порядка сотен раз) и большие энергии переключения (ток переключения 200 мА, напряжение переключения 10-15 В).
Цель изобретения увеличение числа переключений и снижение энергетических параметров переключения.
Это достигается тем, что в предлагаемом бистабильном переключателе сильнолегированная область выступает за размеры омического электрода в направлении к барьерному электроду не менее чем на 1,5 толщины слоя металла барьерного электрода.
На чертеже показан бистабильный переключатель с выступающим за пределы омического электрода n+-слоем.
Бистабильный переключатель выполняют следующим образом. В полированную пластину 1 кремния марки КДБ-1 проводят диффузию золота, после чего методами фотолитографии и диффузии (ионного легирования) формируют сильнолегированные фосфором (N 1020 ат/см3) области 2. Затем напыляют алюминий толщиной 0,9-1,2 мкм, проводят окисление, фотолитографию и получают барьерный и омический электроды 3 и 4 соответственно.
Таким образом, при подаче напряжения, например при переводе переключателя из низкопроводящего состояния в высокопроводящее, выплескивающийся из барьерного электрода металлический "язычок" не достигает омического электрода, останавливаясь на границе n+-области.
При такой конструкции бистабильного переключателя увеличивается число переключений в 10-100 раз и снижается энергия переключения на 30-50% по сравнению с известным, в частности, за счет того, что не происходит переноса металла омического электрода к барьерному в процессе перехода из высокопроводящего состояния в низкопроводящее.
Предлагаемая конструкция бистабильного переключателя позволяет реализовать на одном кристалле матрицу памяти с электроникой обрамления на основе ТТЛ интегральных схем, создать, например, репрограммируемую память.
Рисунки
Заявка
2346256/25, 16.04.1976
Панфилов Б. А, Елинсон М. И, Симаков В. В, Воробьев А. В, Поветин А. В, Аникин В. К, Смакаева Р. У, Степанов Г. В
МПК / Метки
МПК: H01L 45/00
Метки: бистабильный, переключатель
Опубликовано: 19.06.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-578802-bistabilnyjj-pereklyuchatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Бистабильный переключатель</a>
Предыдущий патент: Аксиально-поршневая гидромашина
Следующий патент: Способ изготовления активного элемента лазера на основе кристалла фторида лития с центрами окраски
Случайный патент: Состав электродного покрытия