Способ формирования эпитаксиальных структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий нанесение маскирующего слоя на кремниевую подложку, вскрытие окон в слое, введение легирующей примеси, отжиг для активации легирующей примеси, эпитаксиальное наращивание, создание нарушенного слоя на рабочей стороне подложки путем имплантации ионов нейтральной примеси, отжиг для образования геттерирующих центров, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур при одновременном упрощении способа, на кремниевой подложке дополнительно формируют p+ скрытый слой ионной имплантацией легирующей примеси через маску, нарушенный слой создают ионной имплантацией через ту же маску непосредственно после введения легирующей примеси, а отжиг для образования геттерирующих центров совмещают с отжигом для активации легирующей примеси.
Описание
Цель изобретения повышение качества структур при одновременном упрощении способа.
П р и м е р. В качестве подложки используют пластины кремния КДБ10, прошедшие операции формирования n+ скрытых слоев. На пластине формируют р+ скрытые слои имплантацией бора с энергией 75 кэВ и дозой 10 мкКл/см2. Непосредственно после имплантации бора, используя ту же маску, в области р+ скрытых слоев внедряют ионы аргона дозами 1015, 5
1015 и 1016 ион/см2. После удаления маски и промывки проводят отжиг для активации ионов бора и для генерации вторичных дефектов. Затем проводят эпитаксиальное наращивание разложением моносилана при температуре 1150оС. При этом вторичные дефекты р+ скрытого слоя наследуются растущим эпитаксиальным слоем. Толщина эпитаксиального слоя составляет 1,8 мкм, удельное сопротивление 1 Ом см.На поверхности эпитаксиального слоя формируют защитное покрытие SiO2-Si3N4. Затем формируют изолирующий заглубленный окисел толщиной 1,6-2,2 мкм путем вытравливания в кремнии канавок глубиной 0,5-0,8 мкм и окисления под давлением 2,5-10,0 атм при температуре 1000-1100оС. При этом в области р+ скрытого слоя осталась часть эпитаксиального слоя, содержащая структурные дефекты, являющиеся геттером быстродиффундирующих примесей и точечных дефектов. Геттер при этом максимально приближен к активным и пассивным элементам интегральной схемы и заключен внутри структуры.
Предложенный способ органично включается в существующий технологический цикл изготовления интегральных схем с р+ скрытыми слоями и изоляцией заглубленным окислом.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем с изоляцией заглубленным окислом. Цель изобретения повышение качества структур при одновременном упрощении способа. В качестве подложки используют пластины кремния КФБ 10, прошедшие операции формирования n+ скрытых слоев. На пластине формируют p+ скрытый слой имплантацией бора с энергией 75 кэВ и дозой 10 мкКл/см2 Непосредственно после имплантации бора, используя ту же маску, в область p+ скрытого слоя внедряют ионы аргона дозой 5
1015см-2 После удаления маски и промывки проводят отжиг для одновременной активации бора и генерации вторичных дефектов. Затем проводят наращивание эпитаксильного слоя и формирование изолирующего заглубленного окисла. При этом сам p+ скрытый слой и остающаяся над ним часть эпитаксиального слоя образуют эффективный геттер быстродиффузирующих примесей и точечных дефектов. Заявка
3841630/25, 08.01.1985
Прохоров В. И, Сазонов В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: структур, формирования, эпитаксиальных
Опубликовано: 20.07.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1422904-sposob-formirovaniya-ehpitaksialnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования эпитаксиальных структур</a>
Способ контроля дефектов слоев материалов
Номер патента: 894532
Опубликовано: 30.12.1981
Автор: Шепелев
МПК: G01N 27/26
...слоя в связи с тем, что частицы стекла или окисла металла заполняют поры и прочно удерживаются в них, тем самым загрязняют изолируюций слой. Кроме того, частицы, хотя и в незначительном количестве, осаждаются не только на дефектах, но одновременно и на бездефектных местах контролируемой поверхности.Ухудшение качества слоев материалов контролируемых известными способами исключает возможность проведения повторных и дополнительных исследований одних и тех же образцов, это в свою очередь ограничивает объем получаемой информации и понижает достоверность оценки дефектности исследуемого слоя, а также снижает объективность контроля в производстве изделий на основе контролируемых слоев материалов.Цель изобретения сохранение...
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
Номер патента: 1396023
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Денисов, Зельцер, Коряков, Сеничкина
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры
...совместно с таймером 51 преобразует последовательность поступающих импульсов в двоичный код, пропорциональный скоростисчета и через интерфейс 48 выдаетэтот код на ЭВМ 47, которая через интерфейс 48 осуществляет управление иобмен информацией с устройствамиблока 46. Управляощие сигналы и информационные коды, поступающие от ЭВМ47 через интерфейс 48 в устройство49 управления, преобразуются в нем внапряжения, необходимые для управления гониометром 10, на котором установлен кристалл-монохроматор 8.ЭВМ 47 сравнивает текущее значение интенсивности рентгеновского от -ражения от кристалла-монохроматора 8(1 ) со значением интенсивности от 1ражения лри точном брэгговском положении кристалла-монохроматора 8 (18 ),(лри О значение интенсивности...
Устройство для исследования структуры фонтанирующего слоя
Номер патента: 424050
Опубликовано: 15.04.1974
Авторы: Ихайлик, Кабалдин, Массообмена
МПК: G01N 15/00
Метки: исследования, слоя, структуры, фонтанирующего
...закрепленными на общем валу. ертеже изображено предлагаемое усто,ойство содержит корпус 1 с центральводом теплоносителя, заполнепньш слорнистого материала 2, газораспределию решетку в виде подвижных концентих цилиндров 3, снабженных зубчаты 1 ками 4, которые находятся в зацеплезубчатыми шестеренками, закрепленныобщсм валу 5.ериал с различными геометрическими рами и свойствами (кусковой, мслкодисй, сыпучий и т. д.) известными спосозагружают в корпус 1 определенной выматериал поддерживается во взвешенном состоянии теплоносителем, подаваемым через основание решетки, концентрические цилиндры которой перемещаются в осевом направлении через зубчатую передачу типа шсс терпя-рейка. Так как цилиндры перемещаются на различную высоту, то...
Устройство для выращивания рассады
Номер патента: 1831259
Опубликовано: 30.07.1993
Автор: Виноградов
МПК: A01G 9/02
Метки: выращивания, рассады
...он выступал за пределы плиты 11, накоторой установлен каркас 1, Это в случаеустановки на плите каркасов нескольких устройств позволяет производить одновременное смещение всех их короткихцилиндров 9 воздействием на штоки 10,При массовом производстве каркас устройства, изображенного на фиг,2, можетбыть изготовлен в виде развертки из влагостойкОГО картона или друГОГО влаГОстойкОГОлистового материала, которую изгибают исклеивают перед сборкой устройства, 25Выращивание рассады томата (фиг,1)Осуществляют следующим образом.Каркас и держатель слоя почвы устанавливают на основании 8 таким образом, чтобы нижние торцы стенок каркаса и ножек 7 30упирались в ее поверхность. При этом расстояние от верхних торцов стенок каркасадо верхней...
Способ изготовления биполярных интегральных транзисторов
Номер патента: 1135378
Опубликовано: 10.04.1996
Авторы: Коваленко, Лукасевич, Манжа, Патюков, Рябов, Щепетильникова
МПК: H01L 21/265
Метки: биполярных, интегральных, транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения...
Предыдущий патент: Устройство для термообработки подвесных изоляторов
Следующий патент: Лыжное шасси летательного аппарата
Случайный патент: Волокнистая масса для изготовления фильтр-картона