Бистабильный переключатель с памятью

Номер патента: 659034

Формула

БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ, сохраняющейся при отключенном источнике питания, содержащий пластину полупроводника, компенсированного примесями, например, кремния, компенсированного золотом, на поверхности которой расположены два металлических электрода, один из которых является барьерным, а другой омическим, причем под омическим электродом сформирован сильнолегированный слой, который выступает за границу омического электрода по направлению к барьерному не менее, чем на 1,5 толщины слоя металла барьерного электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения сопротивления в низкопроводящем состоянии, сильнолегированный слой отделен от полупроводника пластины слоем полупроводника противоположного типа проводимости.

Описание

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств, переключателей.
Известны бистабильные переключатели с памятью, сохраняющейся при выключении напряжения питания, например, на основе полупроводниковых халькогенидных стекол. Процесс запоминания в подобных переключателях связан с фазовыми переходами в стеклообразном полупроводнике, что и предопределяет основные недостатки данного класса приборов.
Известен также бистабильный переключатель с памятью, сохраняющейся при отключенном источнике питания, содержащий пластину полупроводника, компенсированного примесями, например, кремния, компенсированного золотом, на поверхности которой расположены два металлических электрода, один из которых является барьерным, а другой омическим, причем под омическим электродом сформирован сильнолегированный слой, который выступает за границу омического электрода по направлению к барьерному не менее, чем на 1,5 толщины слоя металла барьерного электрода.
Недостатком известного бистабильного переключателя является малая величина сопротивления в низкопроводящем состоянии.
Целью изобретения является увеличение сопротивления в низкопроводящем состоянии.
Это достигается тем, что сильнолегированный слой отделен от полупроводника пластины слоем полупроводника противоположного типа проводимости.
На чертеже показан бистабильный переключатель.
У бистабильного переключателя n+ слой сформирован на р-слое в n-полупроводнике.
На чертеже приняты следующие обозначения: 1 пластина кремния n-типа, компенсированного золотом; 2 слой р-типа; 3 сильнолегированный n⁺ слой; 4 омический электрод; 5 -барьерный электрод.
В случае полупроводника пластины р-типа сильнолегированный слой р⁺ отделен слоем полупроводника n-типа.
Изготовление бистабильного переключателя данной конструкции производят известными технологическими методами. Минимальные размеры слоя полупроводника противоположного типа проводимости определяются технологическими возможностями (фотолитография, диффузия, ионное легирование и др.).
Предлагаемая конструкция бистабильного переключателя позволяет увеличить сопротивление в низкопроводящем состоянии в 10-100 раз, а коме того, позволяет увеличить сопротивление между двумя омическими электродами близкорасположенных бистабильных переключателей, что облегчает возможность формирования на основе данных бистабильных переключателей матриц репрограммируемых полупроводниковых запоминающих устройств (РПЗУ) с большим объемом памяти.
Это происходит за счет того, что при подаче считывающего сигнала, цепь между двумя любыми электродами омических контактов бистабильных переключателей содержит два встречно включенных p-n-перехода и объем компенсированного кремния, а цепь между омическим и барьерным контактами бистабильного переключателя содержит встречно включенные барьер Шоттки, р-n-переход и компенсированный полупроводник.
Помимо указанных преимуществ бистабильного переключателя с памятью в соответствии с изобретением, подбирая материал барьерного электрода, можно всегда сделать так, что при формовке или включении на барьерный переход будет подаваться прямое смещение, что дает возможность использовать полупроводник с меньшей концентpацией атомов компенсирующей примеси, что, в свою очередь, облегчает формирование диодов и транзисторов с удовлетворительными, например, для ТТL логики характеристиками.
Отмеченные выше преимущества позволяют увеличить отношение сопротивлений в низкопроводящем и высокопроводящем состояниях, улучшить электрическую развязку различных элементов матрицы РПЗУ за счет увеличения сопротивления между омическими контактами. На основе описанных бистабильных переключателей можно формировать матрицы РПЗУ с большим объемом памяти.
1. Минаев В. С. Обзоры по электронной технике, сер. Материалы, вып. 15 (252), 1974, c. 38-57.
2. Авторское свидетельство СССР N 578802, кл. H 01 L 45/00, 1976.

Рисунки

Заявка

2529165/25, 05.10.1977

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Панфилов Б. А

МПК / Метки

МПК: H01L 27/24, H01L 45/00

Метки: бистабильный, памятью, переключатель

Опубликовано: 19.06.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-659034-bistabilnyjj-pereklyuchatel-s-pamyatyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Бистабильный переключатель с памятью</a>

Похожие патенты

Устройство для зажигания газоразрядных приборов с поджигательным электродом типа игнитрона

Номер патента: 60218

Опубликовано: 01.01.1941

Автор: Александров

МПК: H02M 1/02

Метки: газоразрядных, зажигания, игнитрона, поджигательным, приборов, типа, электродом

...4.В устройстве по фиг. 1 газоразрядный прибор 1 типа игнитрона содержит в себе аиод 2 и поджига- тельный электрод Зпогруженный в жидкий катод 10. Анодная цепь игнитрона питается от источника переменного тока, например, трансформатора 4. В анодную цепь включена полезная нагрузка 5. Хотя на фиг. 1 показана однофазная схема выпрямления, однако, вообще говоря, здесь может быть любая многофазная схема.Напряжение к цепи поджигательного электрода подается от источника б переменного тока; этот источник представляет собой понижающий трансформатор, в первичную цепь которого включено то или иное устройство 7, обладающее униполярной проводимостью, при помощи которого получаются узкие импульсы тока. Первичная цепь трансформатора 6, в свою...

Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления

Номер патента: 1581149

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H01L 29/04

Метки: восстановлением, высоковольтный, диод, обратного, резким, сопротивления

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...

Блок переключателей с индикацией положения каждого переключателя

Номер патента: 691949

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Бульбочка, Смирнов, Шаталов

МПК: H01H 21/36

Метки: блок, индикацией, каждого, переключателей, переключателя, положения

...1 показана кинематическая схема предлагаемого блока переключателей; , на фиг. 2 схематически изображен элементпредлагаемого блока в разрезе.В блоке переключателей на валу 1, имеющем винтовую нарезку, установлена каретка 2 с возможностью ее перемещения вдоль упомянутого вала по его винтовой 2 нарезке. На неподвижную ось 3 свободнонасажены роторы 4, 5 переключателей, выполненные в виде шестерен с установленными на них щетками (не показано). На каж69949 Формула изобретения Фиг,ф здый ротор насажен циферблат 6 для индикации положения каждого переключателя.На печатных платах 7, 8 размещены неподвижные контакты и схемные элементы.На валу 9 подвижно установлен связанныйс кареткой 2 кулачок 10 с воэможностьюперемещения вдоль этого вала. Осевые...

Способ определения пластичности сварного соединения

Номер патента: 1809359

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Нейфельд, Пуйко, Рахманов, Сбарская

МПК: G01N 3/20

Метки: пластичности, сварного, соединения

...окружающейсреды - +20 С.Результаты испытания приведены в таблице.Сравнение полученных результатов. проводили по группам образцов, испытанных при одинаковой температуре, Результаты испытания показали, что при нанесениипаза на расстоянии менее 0,2 с(1,5 мм), (примеры 1 и 2) - невозможно обеспечить выполнение качественного сварного соединенияиэ-за образования дефектов в сварном шве,а следовательно и невозможно достовернб15 ценить его пластичность,При выполнении паза на расстоянии более 0,4 с (6 мм), (примеры 7 и 8), при выпол-нении паза длиной 1=62 мм 1 Зс(1+сд а ). 13) - жесткость напряженного состояния научастках образца по обе стороны от прорезинастолько близка, что при этом значительнотеряется точность аппроксимации и досто 25...

Бистабильный переключатель

Номер патента: 578802

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Аникин, Воробьев, Елинсон, Панфилов, Поветин, Симаков, Смакаева, Степанов

МПК: H01L 45/00

Метки: бистабильный, переключатель

БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ с памятью, сохраняющейся при отключенных источниках питания, включающий пластину полупроводника, компенсированного примесями, дающими глубокие уровни, например кремния, компенсированного золотом, на поверхности которого расположено два металлических электрода, один из которых является барьерным контактом, а другой омическим контактом, причем под омическим контактом в пластине полупроводника сформирован сильнолегированный n+ или p+ слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения числа переключений и снижения энергетических параметров переключения, сильнолегированная область выступает за размеры омического электрода в направлении к барьерному электроду не менее чем на 1,5 толщины слоя металла...

Предыдущий патент: Активный элемент окг

Следующий патент: Планирующий парашют

Случайный патент: Агрегат для контактной многоточечной сварки

В верх страницы