Полевой транзистор с планарным легированием

Номер патента: 1389611

Формула

1. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ, содержащий расположенный на подложке активный слой с омическими контактами истока, стока и барьерным контактом затвора, включающий моноатомный слой с примесными атомами, отличающийся тем, что, с целью увеличения крутизны, линейности переходной характеристики и предельных частот усиления по току и по мощности, активный слой выполнен из варизонного полупроводника с шириной запрещенной зоны, монотонно убывающей от границы активного слоя с подложкой к поверхности активного слоя.
2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что активный слой выполнен из нескольких слоев варизонного полупроводника.

Описание

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний.
Цель изобретения увеличение крутизны и линейности переходной характеристики.
На чертеже изображен предлагаемый полевой транзистор.
Полевой транзистор содержит подложку 1, активный слой 2, омические контакты 3, 4 истока и стока, барьерный контакт 5 затвора, моноатомный слой 6 с примесными атомами. В отсутствии напряжения исток-сток электроны заполняют узкий канал 7 вблизи поверхности активного слоя.
В качестве подложки 1 может быть использован полуизолирующий GaAs, на который наносят активный слой 2 из твердого раствора Al_xGa_1-xAs, причем х изменяется от х 1 у границы активного слоя с подложкой до х 0 у верхней границы активного слоя. Зависимость от толщины эпитаксиального слоя может быть линейной, квадратичной или подобрана таким образом, чтобы обеспечить линейность переходной характеристики транзистора. После нанесения части активного слоя толщиной (20-100) нм производится формирование моноатомого слоя 6 с примесными атомами, содержащего донорные примеси, например Si, с поверхностной плотностью n

(3-5)

10¹² см^-3, а затем наращивают остальную часть активного слоя толщиной (10-100) нм. На поверхность активного слоя 2 наносят омические контакты истока, стока и барьерный контакт затвора.
В отсутствие напряжения между истоком и стоком U_и-е электроны заполняют канал 7 вблизи поверхности активного слоя. При U_и-е > 0 электроны при их движении между омическими контактами истока и стока разогреваются и приобретают энергию, достаточную для заполнения состояний с большей энергией. Это позволяет им смещаться в активном слое 2 ближе к моноатомному слою 6 с примесными атомами. Вместе с тем достаточно быстрое увеличение х при увеличении расстояния от поверхности активного слоя 2 предотвращают проникновение электронов в непосредственную близость к моноатомному слою 6 с примесными атомами, что уменьшает примесное расстояние, увеличивает подвижность и дрейфовую скорость электронов, а значит и предельные частоты по току и по мощности. Поскольку электроны не проникают также к нижней границе активного слоя 2, то отпадает необходимость в буферном слое, что упрощает конструкцию полевого транзистора.
В транзисторе с планарным легированием данной конструкции отсутствует буферной слой, переходная характеристика может быть сделана линейной, а предельные частоты усиления по току и по мощности полевого транзистора увеличены в 1,5-2 раза при температуре 300 К и в 3-5 раз при 77 К.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Цель изобретения увеличение крутизны, линейности переходной характеристики, предельных частот усиления по току и по мощности, что достигается выполнением активного слоя из варизонного полупроводника, у которого максимальная энергия дна зоны проводимости расположена на границе активного слоя с подложкой, монотонно убывая к поверхности активного слоя. Активный слой выполнен из более чем одного слоя варизонного полупроводника. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Рисунки

Заявка

4088910/25, 11.07.1986

Кальфа А. А, Тагер А. С

МПК / Метки

МПК: H01L 29/76

Метки: легированием, планарным, полевой, транзистор

Опубликовано: 20.07.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1389611-polevojj-tranzistor-s-planarnym-legirovaniem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полевой транзистор с планарным легированием</a>

Похожие патенты

Способ определения антитромбопластиновой активности биологически активного вещества

Номер патента: 1675767

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Колотилов, Кубраченко, Липкань, Максимов, Мхитарьян

МПК: G01N 33/48

Метки: активного, активности, антитромбопластиновой, биологически, вещества

...готовятрабочий раствор зтанолэ концентрации0.02 г/мл, 0,5 мл обьема когорого смецива 45 50 тромбопластина) до 47 с указывает на умеренный антитромбопластиновый эффект феноптина в условиях прямого взаимодействия препарата с тромбопластином.В табл.1 представлена сравнительная характеристика известного и предлагаемого способов.Влияние температуры и длительности инкубации реакционной смеси препарата унитиола с тромбопластином на время свертывания бестромбоцитарной субстратной плазмы (с), и =- 22 показано в табл.2.Достоверность различий определяют по отношению к контролю (контролем для чистого тромбопластина на физиологичеют в 0,5 мл 0,04 -ного раствора стандартного тромбопластина, содержащего в этом объеме чистого вещества 0,2 мг/мл....

Фотометрическое устройство для измерения и управления толщиной оптически активных слоев

Номер патента: 1584759

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Альфонс, Хорст

МПК: G01B 21/08

Метки: активных, оптически, слоев, толщиной, фотометрическое

...информа цию об оптических свойствах соответствующего объекта и не требуют уженикаких сравнительных измерений с образцами и т.п.Не обязательно усиленную измери тельную величину 1 от покрытого слоемобъекта запоминать в запоминающемустройстве. После калибровки устроиства без дальнейших сложностей можнозамеренную величину 1 сразу преобразовать с помощью вышеуказанных операций и вывести на индикацию. Однакоцелесообразно измеряемую величинутакже запоминать в запоминающемустройстве, так что она может бытьопрошена для различных счетных операций спустя какое-то время.Снаружи вакуумной камеры 2 расположен источник 6 света, от которого5 сконцентрированный световой пучок 7 измерительного света идет в направлении на окна 3 и 4. Измерительный пучок...

Электрод с активным слоем

Номер патента: 247250

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Жук, Кирилюс, Матвейчук

МПК: C25B 11/06

Метки: активным, слоем, электрод

...изготовленгнитного поля,поверхности элегического ферр для электрохпи 1 ийся тем, что, ия, он снабжен служащим для строда активноомагнитного поИзобретение относитсяимических производств, в рукциятм электродов.Известен электрод с активным слоем для электрохимических процессов.С целью упрощения изготовления предложенный электрод снабжен источником магнитного поля, удерживающим на поверхности электрода активный слой каталитического ферромагнитного порошка. Конструкция 1 электрода позволяет изготовлять его из любого металла с нанесением на него ферромагнитных катализаторов,На чертеже изображены электроды в нескольких конструктивных вариантах. 1В вариантах а и б электрод представляет собой трубку 1 с закрытым концом, помещенную на...

Электрод с активным слоем

Номер патента: 597744

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Дузь-Крятченко, Кирилюс, Томилов

МПК: C25B 11/02

Метки: активным, слоем, электрод

...другом случае с первмешиванием электролита на известном. электроде, в третьем случае - с перемешиванием электролита и с использованием предлагаемого электрода.Результаты по скорости восстановления представлены на фиг. 3, 4, 5 в виде графиков. По оси абсцисс отложено количество катализатора, ао осиординат - скорость восстановления. 4Кривая 1 соответствует проведению процесса без перемешивания электролита.Кривая 2 - проведению процесса с перемешиванием электролита и с использованием известного электрода,Кривая 3 - с перемешиванием электролита и с использованием предлагаемогоэлектрода.На фиг. 3 - представлены данные поэлектровосстановлению окиси мезитила;на фиг, 4 - данные по электровосстановлению метилпропилкетона; яа фиг. 5 - данные по...

Способ формирования активного слоя металлосплавного катода

Номер патента: 1086479

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Калинин, Коновалов

МПК: H01J 9/04

Метки: активного, катода, металлосплавного, слоя, формирования

...отношения прироста эмиссионного (в мА) тока к величине температурной ступени 2.10 .После этого дополнительно увеличивают температуру катода на ъеличину нестабильности источника накала в условиях эксплуатации прибора и выдерживают до получения требуемого вакуума.Использование данного способа формирования эмиссионной поверхности катода в процессе изготовления прибора позволяет более точно определить индивидуальный рабочий температурный режим, увеличивает надежность катода эа счет исключения перегорашщ держателя катода и нарушения геометрической формы эмиссионной таблетки. 1 10864Изобретение относится к электроннойтехнике, в частносщ к технологии изготовления узлов электровакуумных прибор св.Известен способ активирования оксидных...

Предыдущий патент: Устройство для изготовления многотраверсных цилиндрических сеток

Следующий патент: Способ разработки неоднородных нефтяных пластов

Случайный патент: Способ пуска печи кипящего слоя с теплоотводящими элементами

В верх страницы