Активный элемент преобразователя динамических деформаций
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДИНАМИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ, содержащий поляризованную сегнетоэлектрическую пленку цирконата-титаната свинца на металлической подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при изгибах и после нагревов выше температуры точки Кюри материала, толщина сегнетоэлектрической пленки находится в интервале от 0,07 до 2,0 мкм.
Описание
Целью изобретения является повышение чувствительности активного элемента преобразователя при изгибах и после нагревов выше температуры точки Кюри материала.
На фиг. 1 схематически показан активный элемент преобразователя динамических деформаций; на фиг.2 зависимость пьезомодуля d33 (в относительных единицах) поляризованных пленок ЦТС от толщины пленки; на фиг.3 зависимость отношения d33/d33o пленок ЦТС от толщины, где d33 величина пьезомодуля пленки после нагрева выше температуры Кюри материала и охлаждения; d33о величина пьезомодуля до нагрева.
Устройство содержит поляризованную пленку цирконата-титаната свинца 1 толщиной 0,07-2,0 мкм, нанесенную на фольгу из нержавеющей стали 2. На поверхности пленки напылен металлический электрод 3.
Сегнетоэлектрические пленки ЦТС получают ВЧ-катодным распылением стехиометрических мишеней. После напыления верхнего электрода нижним электродом служит подложка пленки поляризуют приложением серии импульсов постоянного электрического поля напряженностью Е5
107 В/м при комнатной температуре (длительность импульсов 15 с, скважность следования импульсов 2), а затем искусственно состаривают при температуре 
350 К в течение 20 ч для стабилизации пьезоэлектрических характеристик. Пьезомодули структур определяют квазистатическим методом.На фиг. 2 видно, что в области толщин, меньших 0,07 мкм, пьезочувствительность пленок резко снижается. Этот результат обусловил нижний предел толщин пленок, при которых достигается положительный эффект. В области толщин пленки d > 0,07 мкм пьезомодуль пленок практически не зависит от толщины d, вплоть до 10 мкм.
Из фиг. 3 видно, что у пленок ЦТС толщиной d
2 мкм, как и у объемных образцов (керамики), имеет место деполяризация при нагревах выше Тк, а пленки толщиной менее 2,0 мкм после нагрева выше Тк и последующего охлаждения сохраняют значения пьезомодуля, близкие к начальному (т.е. d33/d33o 1).Важной характеристикой активного элемента является устойчивость к действию изгибных напряжений, что позволяет его использовать при измерении динамических деформаций поверхностей изменяющейся кривизны.
Результаты испытаний активных элементов на устойчивость к изгибам отражены в таблице, где приведены значения относительных пьезомодулей пленок различных толщин при разных радиусах прогиба R. Активные элементы с пленками толщиной 0,07 мкм <d<2 мкм cохраняют чувствительность при приборах вплоть до радиуса 2 мм. Например, активный элемент, содержащий поляризованную пленку ЦТС толщиной 1,8 мкм, нанесенную на металлическую фольгу, выдерживает изгибные деформации вплоть до радиуса кривизны 2 мм без разрушения и ухудшения чувствительности, т. е. практически не уступая гибкости полимерных пьезокерамическим преобразователям на основе пленок ПВДФ.
Изобретение относится к измерению механических колебаний твердого тела, а именно к пленочным преобразователям динамических деформаций, предназначенным для преобразования динамических деформаций измеряемых объектов в электрические сигналы. Целью изобретения является повышение чувствительности при изгибах и после нагревов выше температуры Кюри материала. Активный элемент выполнен в виде поляризованной сегнетоэлектрической пленки цирконата титаната свинца на металлической подложке. Толщина сегнетоэлектрической пленки составляет 0,07 - 2,0 мкм. Это обеспечивает стабильность поляризованного состояния пленки при изгибах и нагревах. Активный элемент позволяет измерить динамические деформации поверхностей меняющейся кривизны в широком температурном интервале без деполяризаций. 3 ил. 1 табл.
Рисунки
Заявка
4167877/25, 25.12.1986
Ростовский государственный университет им. М. А. Суслова
Свиридов Е. В, Бирюков С. В, Мухортов В. М, Дудкевич В. П
МПК / Метки
МПК: H01L 41/113
Метки: активный, деформаций, динамических, преобразователя, элемент
Опубликовано: 20.07.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1496577-aktivnyjj-ehlement-preobrazovatelya-dinamicheskikh-deformacijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Активный элемент преобразователя динамических деформаций</a>
Буферное запоминающее устройство на полупроводниковых динамических элементах памяти
Номер патента: 1525744
Опубликовано: 30.11.1989
МПК: G11C 11/401
Метки: буферное, динамических, запоминающее, памяти, полупроводниковых, элементах
...адрес) или триггера 25 (еслипоследнее слово имеет нечетный адрес), логическая "1" с выхода Ц, через элемент 2 ИЛИ 30 поступит на входС триггера 21. Поскольку в этомслучае на вход 1 этого триггера свыхода счетчика 20 слов) подаетсялогическая "1", то триггер 21 будетпереведен в состояние "1"Появляющаяся при этом на выходе "Запретзапроса слова" логическая "1" запрешает запрос нового слова, После возвращения триггера 39 в состояние"0" на выходе "Окончание операции"появляется логическая "1", что свидетельствует об окончании обменамассивом информации.Регенерация информации, хранящейся в элементах 64 памяти, осуществляется для каждого адреса строки сигналом БАБ, Адреса строк формируютсяразрядамиО - 71 счетчика 7 адресов регенерации....
Оперативное запоминающее устройство на динамических элементах памяти
Номер патента: 982089
Опубликовано: 15.12.1982
Авторы: Верстаков, Крыликов, Преснухин
МПК: G11C 11/34
Метки: динамических, запоминающее, оперативное, памяти, элементах
...группы соединен с вто 89 4рым входом блока управления, первымвходом элемента И первой группы и втоым входом элемента И третьей группы,ыход второго триггера третьей группыподключен к третьему входу блока управления и вторым входам элементов Ипервой и второй групп, управляющие входы триггеров одноименных групп объединены и подключены соответственно кшестому, седьмому и восьмому выходамблока управления, девятый выход которого соединен с информационным входомодного из триггеров первой группы, информационные входы первых триггеровдругих групп являются входами устройства,На фиг. 1 изображена структурная схема ОЗУ на динамических элементах памяти; на. фиг, 2 - часть схемы на фиг. 3.(раскрыта структура блока управления),Устройство содержит...
Устройство для измерения толщины смазочной пленки в очаге деформации
Номер патента: 629441
Опубликовано: 25.10.1978
Авторы: Колесниченко, Мазур, Мелешко, Титов
МПК: G01B 7/00
Метки: деформации, очаге, пленки, смазочной, толщины
...устройство для измерения толщины смазочной пленки в очаге деформации между валком прокатно.го,стана и прокатом,Оно состоит из электроизолированных контактных щупов 1 и 2, устанавливаемых соответственно в валках 3 и 4, расположенных симметрично относительно оси проката. Щупы электрически соединены с осциллографом 5 через сопротивления Р и И и электронный усилитель 6, а вторым полюсом является деформируемый металл.Устройство работает следующим об629441 авитель А. Болоздыняхред Н. Бабурка Корректор И. Гок Сос дактор Т. Шагова Те 6057/37 Тираж 872 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 в СС ПП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 прокатываемый образец...
Активный элемент полупроводникового квантового генератора
Номер патента: 673103
Опубликовано: 25.02.1980
Авторы: Баранов, Гончаров, Дедушенко, Плетнев
МПК: H01S 5/30
Метки: активный, генератора, квантового, полупроводникового, элемент
...в веществе пассивного слояс атомным номеромбольшим атомногономера материала активного слоя.Активный элемент полупроводниковогоквантового генератора представлен на 2 Офиг. 1, Он состоит из подложки 1, водновода активного элемента 2 и слоя вещества покрьггия 3 с атомным номеромбольшим, чем атомный номер материалаволновода.25Сечение упругого рассеяния элементов на атомах пропорционально атомному номеру в квадрате, в сечение неупру.гого рассеяния - первой степени, поэтому в нанесенном слое упругое рассеяниепреобладает над неупругим, вследствиечего энергия электронного пучка, проходящего нанесенный слой и попадающего в активный элемент, меняется мало,а угловое распределение уширяется значительно. Это ведет к увеличению долиэнергии,...
Интегральный динамический элемент
Номер патента: 559381
Опубликовано: 25.05.1977
Авторы: Гайворонский, Каляев, Самойлов
МПК: H03K 3/286
Метки: динамический, интегральный, элемент
...триггерными связями, резисторы 15 и 16 коллекторных нагрузок,напряжение 17 источника питания, инверсный выход 18 и прямой логический выход19 логического элемента.Устройство работает следующим образом,В работе динамического элемента можно выделить два режима; режим образования (записи) логической функции и режимвременного хранения полученной. логическо 4функции,Тактирующее напряжение поступает навход 4 (на обьединенную пару эмиттеров11 и 12). Информация в прямом коде подается на входы 1, 2, и 3, а в инверсном-на 5,6 и 7,Установка нового состояния триггерапроисходит при подаче положительного тактирующего импульса напряжения на эмиттеры 11 и 12, которые закрываются. Информация поступает на входы в парафазномкоде. Единица информации...
Предыдущий патент: Жаровая труба камеры сгорания газотурбинного двигателя
Следующий патент: Многослойнное гетерогенное изделие конструкционной оптики
Случайный патент: Скважинный сепаратор