Патенты с меткой «малошумящих»

Способ изготовления малошумящих высокочастотных транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 764549

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Петров

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, малошумящих, транзисторов

...участок эмиттера 8.На фиг.З к базе в обьеме полупроводникового тела показана контактная р диффузионная область 9, Между р областью 9 и эмиттером 8 остается участок 10 в эпитаксиальной пленке 6, не залегированной в процессах диффузии.В каждой из областей эмиттера 8 базы 9 вскрыты контактные окна и осуществлена металлизированная разводка 11,П р и м е р, На высоколегированную подложку (р=0,001 Ом.см) осажда ют в и сокоомную р =1-3 Ом,см) пленку 2 эпитаксиального кремния того ке и-типа проводимости, После этого получают маскирующее покрытие 3 - путем окисления кремния в каомбинированной среде сухого и увлажненного кислорода при Т=1100 - 1200 С,.Фотогравировкой в окисле 3 вскрывают окно и проводят базовую диффузию бора - 4 (Ие 1 =1 10 см )...