Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИА.ЛИСТИЧЕСКРЕСПУВЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В и А.Г.ЖД8 ТОДЫ ИЗПОЛУПРОВКТРОНИЩ А,С.Веденеетон Дж,В, МКИХ СВОЙСТВая Радиоэле иередни" 981,(71) Институт рАН СССР(51)(57) УСтРОГСТЕПЕНИ КОМПОЛУПРОВОД л. п 37-30адиотехники и злектрани аидетельстао ССС" 01 М 27/ОО, 1983,СТВО ДЛЯ ОПРЕДЕ,1 ЕИГЯПЕНСАЦИИ ПРИМЕСЕЙ 61 РА сгъруквщ.; ъле дуемый и зталонный образцы, к холлсвске контактаи которых подключены усилители ЭЦС Холла, а к тОкОВым контактам эталон" НОГО Образца подклгочен истОчник тока, О тл ича Гощееся тем,что, с цель,оупров;е. НИЯ И ПОВЫШВНИЯ ОПВРЗТИВНОСТИ И ТОЧНОСТИ измерений, в него дополнительно введен дифф 8 р 8 нциальный Операционный усилитель к инвертирующему и наин: ртпруго .",е- :дУ В ОД;, К ОРОГ; ПОДК.,цл.,В.ХРУСИЛИТ 8 ЛПД,Э (, ОЛЛа, а ВЬХОД ЛИЦ 8 Вен- ального ОперационнОГО усилител гоелйне.П 8 РЗЫИ ТОКОВЫИ К: ПАКТОМ ИССЛВ зУВАЛОГО С- РаЗВа, К В ОРОъ :".КОВОфУ КонтаКТУ КОТСРОПОДКЛГОЧен ИЗИВРтеЛЬ ОКЗ..ель изобрет 8 ния упрОЩРниеповы ШВНИ 8 ОП 8 РДТИВНОСТИ И ТОЧНОСТИ ИЗМ 888 ний,Ня чертеже показано устрой:тво для опоеделрния степени компенсации примесей в полупроводниках.Оно содержит Эталонный 1 и исследуемый 2 образцыусилители ЗДС Холла Э и 1 источник тока 5 Эталонного образца, дФ 8- ренциальный операционный усилитель б, измеритель 7 тока исследуемо-О образца.УстгОЙстВО работает следиУци 4 Обрд" ЗОМ,Отношение коэфф 4 циентов усиления усилителей задаот равным отношенио толц 4 Н исследуемОГО 2 и зталоннОГО 1 ООэазцсв соответственно, ОперационньЙ усилитель 6 вырабатывает выходноЙ сигнал таким образом, чтобы обеспечить равенство выходного напряжения усилителя ЭДС Холла 4 исслРДуемОГО Образца и выхОДного напряжения усилителя ЗДС Холл" 3 ЭталонОГ,1 оразцд 1, ри Этот; Обеспа 114- Дается Оав 1 с.;О1 де,".з, "- .Озффицие ты усил 81 ия усгл 178 ПЕт;.-,",С Холла .1 и 4,ц 1 И н . ЗДС ХО;тЯ ЗтаЛОННОГО; :,.Л 6 ДУ 6 МОГО ООРЯЗ 1 ОВ,ГоскоьуЪ1 г 1 - 1 э;, ,.1 1ГД 8 Оэт И СТОЛЦИНЫ ЭТЯЛОННОГО ИССЛ 8 ДУ 6- мого обгазцов соответственно.тоОэт В,.э.С Ь, Ц 1По ОтнгцениО измеренных в Одной температурноЙ точке из области выморажи. Дания прим 8 си значений ЗДС;.Огля т 1.эт,/Чн, ЗЯДДННЫХ ЗНДЧДНИЙ ТОКОВ/1 эт и известных толщин образцов сэт,с, а Такгке известному значенио степени компенсации Кэт Эталонного образца рассчитьвде-ся степень компенсацииг,: /эт дэ(, 1:, .".- -Ц)1 Чл (з эт 1 ГД 8 Иэт - ТОКИ Ч 6 РЕЭ ИЗМЕРЯЕМЫЙ И ЗтаЛОН- ньй Образцы соответс Денно,Одс Д.;ляЭ 1 ве пор,дот выражен 8 ДгЯ ОГ Ределений исОмОЙ стРГ 8 ни ком" пенсации К, 1;с в. - ,3 Я;,убь:наяадиозлектроника, 1981,Ц 1, с, 3-50,г 7 ОР;.Х - . СВИДГГГОЛЬС ВО С .СЕ М 407 А 55 ,:. 6 01 Г, 2700. 1980,в О) ро ьд Г "ш "Диз еря 4 ыпдоаметр - ток исследуемого образца,Яки,1 1-боаГ 4 .1, сл 1 и.,48 ръ 4 ыпа 1,1487 ООВ СОХ Р:; 16 НО СДВО 8, Я ТЯ".же УП РОЩ 8113 РЯС 81 г.ЯЯ фОРМУЛЯ, Э 7 С ПОЗДО.яетОДЬсить Опора ивНОСТЬ ИЗ 18 ое 11 й и ТОЧ1 Ост.Опг" 3.;ле 5: с 8,18;Комгенсяции Кпри 146 рнс в двя :язя1 р и м 6 р, Усилители ,":,ЦС Холла 3 и 4сооиРЯОт ГО стандаР 71181,:. схе 48 Д 44 феР 84 цияльОГО услителя ня Операционных усиЛИТЕЛЛХ. КОЗф,)Ицэ 81 Т усилення СЗусиитеЯ;1 Холла . этдлоннОГО ОбразцаГ 1 б 4 ОЯ:От равным едини 8 Коэс;,Фицестугэл 611 Гl сэитРП 5""., Хгллд 4 вбира 1- , СэтГГ 1 г 13."51,),Ги э П ыт.нияхТехред М.Моргентау Корректор О, Густи Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035. Москва, Ж, Раушская наб., 45
СмотретьЗаявка
3825029, 12.12.1984
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Бугаев В. И, Веденеев А. С, Ждан А. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: компенсации, полупроводниках, примесей, степени
Опубликовано: 15.10.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1241946-ustrojjstvo-dlya-opredeleniya-stepeni-kompensacii-primesejj-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках</a>
Предыдущий патент: Полимерная композиция для покрытий
Следующий патент: Способ получения кристаллической кремниевой пленки
Случайный патент: Гидросистема