Патенты с меткой «свч-транзисторных»

Номер патента: 669995

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Иванов, Толстых

МПК: H01L 21/22

Метки: свч-транзисторных, структур

...структуры, средней части, а также последующую диф- .. Кремниевую пластинус эпитаксиальной фузию для создания эмиттерной области,. 40 пленкой 1 п-типа проводимости подвергают После окончания первой. стадии базовой термическому окислению в комбинировэн-. диффузии осуществляют локальное удале- ной среде увлажненного водяными парами ние боросиликатного стекла в местах буду- кислорода или в среде азота, аргона и сухого щего расположения эмиттера, затем ведут кислорода при 1100-1200 С до получения вторую стадию в окислительной атмосфере. 45 окисла 2 толщиной.не менее 0,45 мкм, масЗа счет перехода сильнолегированного . кирующего от последующей диффузии, В поверхностьюслоякремниявокиселдости- выращенной пленке вскрывают. окна под...