Способ изготовления полупроводниковых кристаллов

(Я)Я НО 1 Ьг 1 ИЗОБРЕТЕНИ И ПАТЕН Комитет Российской Федераци о патентам и товарным знака(78) Коломицкий Николай Григорьевич; Астапов Борис Александрович(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ(67) Использование: в микроэлектронике, в частности в процессах разделения попупроводниковыхпластин на кристаллы. Сущность изобретения: способ предусматривает нанесение на поверхность пластины слоя неблагородного металла ЧЪ - ЧИ группы толщиной 0,2 - 2,5 мкм и формирование с помощью фоторезиста необходимого рисунка При этом на незащищееые места поверхности пластины наносят второй спой металла 1 Н - Ю группы толщиной 1,0 - 30,0 мкм После разделения пластины на отдельные кристалаи химической резкой проводят снятие верхнего слоя металла химическим путем 2 зпф-лы, 1 табл;ггЭР; Г;,;: )1 Цг(Е О ( Р Г(1;.т, ( : .31 с 010 3 рл в гсЯл, е коГ,; :. ;3 Г)гб)г( яг) ЛР а1;.": / ЗР(1 ТИГГП СГОЯггГ гр . ;5;1 )Г)Л Чгг,);Г:;Рх; Г:, Ий ( г -Г)С(33;Г Г , г П)СГ/1 )РЗГ.".ЛГ(я Ц 11 ЦЛЭСт 1Ч;.:(.3 3, гг /330 3 (3(Ц 1 3 )СЕИЕ 1. 3(/ЕР(:(:С)Я С 3 НСЛОЭГ;: Г)Л1 сгу)/3: Р П(.)Р), Р)д ЬС 3)Л;1 ОГ (3:./ 7(3 у(КЭ)трй сло13 Гг ллд главои )гдгруцгы 1 У(ру)цы, 1 е)саву/,3;Ь 1 ия г,. Отп)Г):331.3 цт(дС(1 гУ РД/гЛЛ.)(. 5/(3 ТД/1/У 1РДтс/ЕГ по, ледуЙ п) бст 03( крс(дг ло(; в г рекС(цл(;)дст воре уксусной кислоты и/илцр (с)горР в:)/чиВсе Г (ПОЛОГчески(, Опера(и леГкоцодддотся механизации и автоме 33(зэц 131,5 испол зуОтся в технологии изготовленияи/и пе)ибоОв и не уждэОтся в слОжномспециальном оборудо)а 515. Однако укдзэнНг)Я ПОСЛЕДОВДТЕ/ЬНОС) Ь ГСХНОЛОГИЧЕСКИХопераций с использое)я(ием данных )иетэллов и тра)ителей позволяет получить высоковольтные прибпры, не устуэк)щие цосвоим Р)ектротехническим параметрам и/цприбордм. Содержа;)л( в свпел составеДОЕГОЦЕННЬЕ МОТЕ)/ЭгЬЬ Нс 3(301(МЕ(3 ЗОЛОТО,О /,5 длцз ц ПРД/1/) Гэ(ог технического ре 1;Е;3;Г( 3(Д ( 00 5 Е 5 ( ЛИ(7 (Р 1 ЕР(0 "СУ(ЦРС )вЕ Ь(Е С гЛИЧИя" ПОдЗЭЛ, ЧТО ИЗВЕСТПЬ(Есн(длоги це содержат ре(Даний с совокуцноСТ О СУ.ЕСТЕРННЫХ ПРИЗ 1(ЯКОВ, ОТЛИЧ: 10 ЦИХ1 ).0 зяяилл(,мо техни лскос рев/ение цт прото) ИПЯ.П р ( гх е р 1. Д(д/Ог, Нд крел 1(иеву 0Ц/РГТИНУ Г; )-Ц)(РгУОДО(1 ГДЛЬВЭНИЧЕСКИ 11спг)собом наносят слой никеля тол(Диной 12) (л(, НдИлеву 0 цовг)х)ость с пмо 1 ь 0)Г)ДЫ, СУ)1 ДТ и Г 1 гРРДД 0 Г НЭ СГ)РКУ (1/П ЦРИ- боцо(.П р и л е р 2. Прототип. Н;. ремниевуои/Лст/313 у с р-и" Г(ереуйдом Гя/ьдн 3 Рск 1 МС 3СО(.л)Г . 1/)130 СЯ 1 СГ 1 ЛВ ОЛО)0-ЗИСМУТ ТОЛ 3(,1(ОЦ.,З 5(М. Д Л(ЕТДЛЛИ 1 РСКу 10 ПОВЕРХ10 ность нднг)сят слой )Отор(.з)стэ с 1)П,су(/д(, д,с 30(ируОт. проявляк)т ц зддубли"1 Яг)37( 1/.)Г (;р; уг)Р 190" С. Плдст 11(ы рястрделиедОт и трдвителе13-;1-1 Г4 зСИГ)4 =- 2:г 1:4 в течение45;.О ми С г олученных кристаллов в1 0;)1 О (1 (г О ;) м а (и д г с н и м Я От фото 1) ез 1 т, ис 1. вд 0 Г в 2-х едн.(дх холодной иОдной горей децонзов/л(ной водь и сук;д г,отоеы,;ристяллы цреда 01 (э сборку50 и Герл;е(из;циГ),П р ( г 1 (7 р1 д обе сторО( ы крмн 3 РВОЙцле;313(ь г: р (313)хо/Ом наносят слОЙ хи/5 -2 С, продолжигелл(ость 4,5 м(н, Посл (аРсе(Ия рвого слоя никеля пластин(1 моот 2-х Вд(не)У холОДНОЙ и ОДнойБДП) ГОЛРй ДЕИПНИ)О( "(Г 3 БГ)/)Ь и1 д )Г)/цас Евлах ют пж)( Ни ц( р БОГО . ол 1 ИГЕЛ Л П ГРДС БОДОГ(ЭД; ИЛИ ДЭОД (1 Г( ИО С в ) асеие 10 лпн.)Осг)а е)3:игг)ппя наносят 3 тОГ)г)1 с)ОЙ Пикс)лл Б тах жа с/)О Билх, Гри времени никалир(3 Едне 20 мип получают слой икалл 2,0;,)мк Ос)еации пролЬвки са. Жа. ч)о и с)ри перво,.) пикалировднии. Нс) БГе.х ГтсД)1 х и рог )е(дки Б дРО(иэовдпнОЙ БОДГ кс)чсгт 30 и 30 ьвки 10 контролировали омностью Бодн:) протока, котордл должна составлять валии у,е ме 30неа 1 1 О О(, На сплошном слое (икаля с обеих сторон плас сиы (орсл;(От необхг- димьй рисунок иэ 0)торз)стд ФП, Нд 15 ЦРЭД)ЦИ(нс.Пыа фТОГ)ЕЭПСтЕ(Ьа Пола,)Х ОСТИ НДОСЛТ Г/О Гс)л3 Д 3 ,ГСКП О СБ 111 ц д, С 0 с т д Б Р д1 ы с Б и ие Б 3 и и л: (. Б иа ц борфторисгоподород.313 220 мл/л, кислота бортористоводородндл 50 мл/л, клей аэд Г)ОВый 05 Г/л, рР)ким сви 1 ЦГБ 3 Ич тгмг)е -Ггратурд 10 - 25 С, плотность тока 2 А//)л, ндг)я)кгчиа 3 Р, 0(тцГЕе(;( и. (:( с)хнаг;ти энОДНОЙ к кдтОДОЙ 2: , 11(3 30 Рап 1 пы- деГ)жки Б Пана 3 м 11 полудот (,лип)(ОБО 3 25 Пог,ГЫ) ИР ТОЛ(ЦИНОЙ1(3(31. ПЗ);)(;Т(П Ы Пс 0 МУВД 1 ОТ Б ХО/30)0(3 ИО 3 ЯЧСЙ Дас)ОИЭИГЗОБднцой Боде и сушат, После с/шк(3 и спят) фотораэистд Б горячем диматил ормдиде Г 1 Гоподлт химичаско рдздглРп)а плд )ин 30 на кристаллы г)трдг(Тел )-Г:Г.ь)ОС1; ) Б течеие 25 лип. Посла г е)ог;ыг(к( кристллов В дРиониэиЗовап) Боде с х сн(г )3 ет верхний слой сви цд Б ; ЛГ,тпора Н 202:СГ 1;СОО 1: 1,"О 2; 1: 1 и;(Г(ыв;юг и 35 Де 30 иэоед 11 ОЙ БО/(а и Обратят (,1 дк г рГ, ) Бором ГБОН 20//Пой (;онц п.;и: Б саЧаЕ 5 ГЛИ ПОСЛЕ Ес(Р 30 30(0 ) )Э;ЛаИ КРИСТДЛЛЫ ЦРОЛЬ(Дот Б ХПЛГДПП ( ГГ ", (а; даионизоадной 13 Гда. Гуш;)т ( .(:Г(г д,Ьт . .10 сбОГ)к) и Га рмат)эг 33к).П р и л (, ) )1, Г 1 д Г ба Г 3 Опо(ср(;л.; БОЙ пл;.)стинь с Г-г)-п(ЭГ)г:) г)д);0(,3. (",Пой х ими(с к 0 ГО 1 и к Р/ . С с ( ( ( Г с) ди ( с л "- Бил нднасенил те же, то ( Нрл;р) 3 ГГ)и 15 Бремен Никелировдя ь 5 и:)л; ;аг слОЙ пикал 3 тол.3(иной 0 ) л:л,(Осг)а г(ик л и 30 пд н ил и и )30ь(Б и ): с) й 1(: к(( (Г(.(П мируот иэ (е) ораэис)д )3(эг)3 ко/3(1;л рисунок. Нд цаэдп;па.:( Огэ(асом 50 УЧ(СТКИ П.)НОСЯТ СЛО)1 Га ЬП) ; С:;К. (,Л 3- цд, .(30)еп пдпн, Се)илц(;ед);) и угл(3(, ) а жа, что и и ПГ)илг(3(" .3, Г)р( и;)Г(, пгс 3 точ)3 д//1), 1 дгГ 5)(ани(,( ) 1 Г)р(;1(с(кЕР )ьности св)ЦОЗдия 12 мп и(,3 с) ГБ,1- 55 Цопо(, Г)Гк 10 тсл.,.)ай 3 Г) м(кг.Про 1 Б / плд, ГИ 11, р)э) ,л (3(:) с, д(л ь 11 ыа кГ 3 исглллы 1 Гнлти(3 Б( рхп( с(;ои)(подлг тдк ),а, кдкБ ппи, Р; . , ОслСЛТП СБИ 13 КГ 1 СТ)ЛЛ:(. )Т)Г;ЬГ(3 1 1 )(. Г 3 5, Н ,О Г е (сах нОсти к Г) Р, Рл Н)ЭГГ)1 ГЛс)С)ИНЬ С О. П-ПООЕ(ХП",ПМ МРТОДОМ ;сИЧ,СКОГО ОСВЖДОНИЯ НДНОСЛт СЛОЙ ВОЛЬ- ., пэк(д толдиной 0,2 ллкл, Г)ажис ОсджДРтЕМ(аРДтУРД КОЕ)НЕ 3(й ПОДЛОЖКИ,с С, те)мпердтурд лодочкс гексдхлории эольГ)дд 100 С, температура угольно гго:(д ревдтелл 70) С, скорость г)одачи .( д (рода 2 л/)лин, Гассто( н)е от угольного ь) 3 аядтеля до пластины 1 см, Нд сплошной (;,)Г(Й БОЛ)амэ нд Об стОГоны Гластины, о ) Ии руот из Фото радиста необходимый"Г ПК, НсЗ Наз.33(Л)сцаН(О СС)БРГ)ХНОСТЬ(о Вакуумного напыления при разрл:;3О торр и телпаг)дтура 100 С нд Ос)т слос длюглиия тРл 3 Иной 1 лмк, с(1 ЛЛ(-НИЕ ЭТОРРЗ)СТД, );)ЭДЛЕ)НИЕ. ПЛДСТИнд лГ)(Сгалль и оралмгка кдк и примераа 3 ,але Пы( Кгст аллы и )01)ывдот В3;дст Б(эГ е И;)и )пиа 20 лиц, а2001468 Авторское свидетельство СССРМ 893085, Н 021/308, 1980. Составитель Б, Астапов Редактор Н. Семенова Техред М,Моргентал Корректор С, ПатрушеваЗаказ 3130 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатен-а113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101(56) Патент США М 3878008, кл, 156-11, 1975, Патент Велисобритэвю М 10246 ХЗ, кл Н 1 К 1966 Формула изобретения 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВых кРистАллОВ, включающий нанесение на полупроводниковую пластину со сформированными структурами нижнего слоя металла, формирование маски фоторезиста, нанесение верхнего слоя металла на маску, удаление ее, химическое разделение пластины на кристаллы, отличающийся тем, что после разделения удаляют химическим путем верхний слой металла с последующей промывкой кристаллов в трэвителе, причем в качестве металла верхнего слоя используют металлы побочной подгруппыи Ч групп, а в качестве ме,талла нижнего слоя используют, неблагородные металлы Ч - Ч групп или их сплавы.2. Способ по п.1, отличающийся тем. что толщина нижнего слоя металла составляет 0,2 - 2,5 мкм,3. Способ по п,1, отличающийся тем, что толщина верхнего слоя металла составляет 1,0- 30,0 мкм,