161074

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Номер патента: 1549733

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Гешелин, Голобородый, Драчук, Ильченко, Маслов, Посвятенко

МПК: B24B 39/02

Метки: внутренней, заготовок, поверхности, типа, труб

...мм, имеющих твердость в состоянии поставки НЧ 1,4-1,8 Гпс,исходную шероховатость по К 3-5 мкм. Инструмент представлял Собой сборные деформирующие протяжки, оснащенные твердо- сплавными деформирующими элементами, материал ВКдиаметрами (мм) 78,45;7954 у 799 70; 7980; 79 84 ф 79789;80,16; 80,28 р 80,29 р 80,30; 80,31. В качестве СОЖ использовался сульфофрезол, Раздачу по заявляемому и базовому (согласно прототипу) способам осуществляли на горизонтально- протяжном станке мод. 7 Б 57 при скорости 0,1-0,2 м/с по схеме растяжения с предварительной проточкой у входного торца заготовки технологического пояска для крепления опорных элементов, Испытания сравниваемых способов проводились при одинаковых условиях в двух партиях по 10 образцов каждая....

Номер патента: 118232

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Голубев, Иванов, Нефедов, Никитушкин

МПК: B24B 13/015, B24B 13/06, B24B 17/02

Метки: заготовки, лучевой, матрицы, поверхности, станку, сферической, типа, токарному, трубки, экрана, электронно

...помощи эксцентрика 11 по мере износа шлифовального круга 7. Корпус 12 шлифовальной головки вместе со шпинделем б и шлифовальным кругом 7 может перемещаться в осевом направлении относительно сухаря 13 при помощи винтовой пары со штурвалом 14. Сам же сухарь 13 вместе со шлифовальной головкой может совершать качательные движения вокруг оси 15 задней бабки 1 б, закреп118232ленной на станине токарного станка болтом 17. Таким образом, шпиндель б выполнен в виде рычага, поворотного вокруг оси 1 б и сообщающего при этом шлифовальному кругу 7 движение в направлении, поперечном к обрабатываемой поверхности заготовки 4. При этом заготовка подвергается обработке по сферической поверхности, радиус которой равен расстоянию от оси 15 до торца...

Номер патента: 934320

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Грибников, Козловский, Романов

МПК: G01N 21/59

Метки: концентрации, нескомпенсированной, образце, одномерного, полупроводниковом, примеси, распределения

...ными либо иниектированными через контактили светом. Величина протекающего токадолжна быть такой, чтобы связанное с нимлокальное электрическое поле было значи тельно больше встроенного концентра ционного поля, связанного с неоднородным распределением нескомпенсированной примеси Ж (х), т.е. распределение неравновесных носителей р(х)должно быть дрейфовым. В этом случае З 0 .между локальными концентрациямир(х) и ДЕ (х) существует связь В связи с тем, что функция 2 медленно изменяется с координатой х, из формулы1) вытекает соотношение(3) гдеЬЭЮх) - локальная амплитуда отклонения концентрациинескомпенсированной при.меси от ее усредненнойвеличины,р(х) - усредненная на длиненескольких периодов неоднородности величинаконцентрации...

Номер патента: 987539

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Конин, Приходько

МПК: G01R 29/26

Метки: образцов, параметров, полупроводниковых, шумовых

...изолирующая проклад.ка 14, внутри оТрезка 1 волновода расположены концентраторы 8 и 15,4Устройство работает следующим образом.Сверхвысокочастотный шум, возникающий в полупроводниковом образце 4 например при протекании через него электрического тока), создает элнктрическое поле в поперечной щели 3, причем основная мода ТЕ возбуждается в отрезке 1 волновода составляющей электрического поля, направленной вдоль оси ОХ отрезка 1 волновода (фиг. 3), Этим обусловлена возможность измерения продольной (вдоль линий тока) и поперечной перпендикулярно им) составляющих шумовой мощности. При угле с между осью ОХ и вектором плотности, тока в полупроводниковом об-, разце 4от 0 до 90 можно измерять угловое распределение шумовой мощности (фиг. 3), а...