155871
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 155871
Текст
Класс Н 011; 21 д, 11 аа М 155871 СССР ОПИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. А. ЛинийчукПЕРЕХОДА ПОСОБ СОЗДАНИ Заявлено 6 марта 1962 г. за Комитет по делам изобретений и открытий убликовано в Бюллетене изобретений и тов715055/26-9при Совете Министров СССрных знаков14 за 196 Способ м дифф учения п - р переходови примеси фосфора из олупроводниковых приборах орносиликатного стекла изпуте узи фосфвестен.Предлагаемый способ создания и - р перевестного тем, что на кремний в воздушной срфузанта из паров фосфорнокислого аммониядения диффузии фосфора. При таком способеслой стекла на большой площади кремнияшается качество получаемого путем диффузии иСущность предлагаемого способа заключаПереходы и - р-типа создают диффузией бдля получения достаточно низкой поверхностнсти р-типа диффузия проводится в два этапастины кремния напыляют раствор борной кисфузия бора из боросиликатного стекла на в1320 С в течение 3 час.На втором этапе со стороны, прогивополстеклу, сошлифовывают образовавшийся р-слщелочи и проводят дальнейшую диффузию наре 1300 С в течение 25 - 30 час.Источником диффузанта служит предварисиликатное стекло, и диффузия идет через слгося па шлифованной и травленной поверхностпомещенной в печь.Для получения слоя и-типа используют спиз фосфорносиликатного стекла, получаемого тличается от издают слой дифьнейшего провеся равномерный вательно, повыхода.ледующем.воздухе. Однако нтрации в облаку сторону плапроводится дифпри температуре ходов о еде осаж для дал получает и, следо - р пере ется в с ора на ой конце Налоты,оздухе ожнои боросиликатному ой, пластину травят в воздухе при температуельно обедненное борой окисла, образовавшеи кремниевой пластины иффузии фосфора ров фосфорнокисос из155871 лого аммония (МН) вНРО,. Этот процесс осуществляют следующим образом.В кварцевую трубку 1 (см. чертеж) помещают капсулу 2 с куском 3 фосфорпокислого аммония (ИН)вНРО, и подставку 4 с кремниевыми пластинами 5, обраоотанными по методике, описанной выше. Трубку 1 помещают в кварцевый сосуд 6, который загружают в печь с температурой 1100 С на 20 лгггн.После этого сосуд б выгружают из печи, пластины 5 кремния с образовавшимся слоем фосфорносиликатного стекла перекладывают в кварцевый стакан и помещают для диффузии з печь с температурой 1300 С на 0,5 - 1,5 час в зависимости от глубины залегания перехода р-типа. Для охлаждения в печи снижа 1 от температуру до 600 С.П р едм ет изо бр етенияСпособ создания и - р перехода в полупроводниковых приборах гг - р - гг - р-типа на кремнии путем диффузии сросфора из фосфорно- силикатного стекла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения на большой площади кремния слоя стекла одинаковой толщины, на кремний в воздушной среде осаждают слой фосфорнокислого аммония из его паров.Составитель Л. Рубинчик Редактор Л, Калашникова Техред В. П. Краснова Корректор Р. А. Внгдорчик Подп. к печ. 5/И 1 - 63 г. Формат бум. 70 Х 108/:в Объем 0,18 изд. л. Заказ 200514 Тирагк 1250 Цена 4 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.Типография, пр. Сапунова. 2.
СмотретьЗаявка
715055
МПК / Метки
МПК: C03C 3/097, H01L 29/12
Метки: 155871
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-155871-155871.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">155871</a>