155236

155236 Класс Н 011; 211 У, 11 а 2сФ;Р"1" гг Й ц " г% йтцо 6 Кд 7 Ип".;-К 1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ Подписнпя группи97, В. Грехов и СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТА К УПРАВЛЯЮ ЭЛЕКТРОДУ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ УПРАВЛЯЕМЫХ ВЕНТИЛЕЙФЗаявлено 8 мая 1962 г. за777726/26-9Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР публиковано в Бюллетене изобретений и товарных знаков12 за 1963 г Известны способы изготовления контактов к управляющему электроду силовых полупроводниковых триодов, основанные на вытравливании участка эмиттерного перехода.Предлагаемый способ изготовления контакта к управляющему электроду силовых полупроводниковых управляемых вентилей отличается от известных тем, что в качестве койтакта используют участок эмиттерного перехода.На эмиттерный переход вентиля с никелевым омическим контактом припаивают вольфрамовый диск с цилиндрическим отверстием. Внутри отверстия и соосно с ним располагают и припаивают снабженный нихромовым выводом диск, диаметр которого меньше диаметра отверстия. Вытравливают припой и верхний слой перехода в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками и используют в качестве контакта управляющего электрода отвод от молибденового диска. Это существенно упрощает технологию получения контакта к управляющему электроду вентилей, снабженных компенсирующими вольфрамовыми и молибденовыми дисками.Сущность предлагаемого способа изготовления контакта управляющего электрода силовых полупроводниковых управляемых вентилей поясняется чертежом и сводится к следующему.Каким-либо из известных диффузионных методов изготавливаетсяи-р-п-р (или р-и-р-и) структура на всей площади используемой пластинки полупроводникового материала, и химическим никелированием иМ 155236вжиганием создают омические контакты к ней. Затем в пластинке вытравливается канавка, разделяющая эмиттерный переход 1 на две неравные части, меньшая из которых с никелевым омическим контактом используется как контакт к управляющему электроду. Вытравливание канавки производится следующим образом.После изготовления и-р-и-р структуры, никелевых контактов к ней. напайки нижнего вольфрамового диска 2, на эмиттерный переход вентиля припаивают верхний вольфрамовый диск 3 с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с ним распалагают и припаивают снабженный нихромовым отводом 4 молибденовый диск 5. Внешний диаметр диска 5 меньше диаметра отверстия в вольфрамовом диске 3. Центрирование диска 5 при впайке производится опусканием цилиндрика 6.После этого канавка заполняется на 4 мин. смесью НИОз и НС 1 в соотношении 1: 1 для вытравливания припоя. Затем, после промывки и просушки, канавка три раза подряд заполняется на одну минуту травителем, состоящим из смеси НР, НХОз и СНзСООН в соотношении 3: 5: 1, соответственно, для вытравливания верхнего слоя перехода 1 в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками 5 и 3.В качестве контакта к управляющему электроду используют отвод 4 от молибденового диска 5.Вытравливание канавки производится без применения специальной защиты поверхности пластины от травителя, так как используемые для защиты вольфрамовый диск 3 и молибденовый диск 5 является компен-. сирующими прокладками и токоведущими контактами к пластине полупроводника.Предмет изобретенияСпособ изготовления контакта к управляющему электроду силовых полупроводниковых управляемых вентилей; основанный на вытравлпвании участка эмиттерного перехода, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии получения контакта у вентилей, снабженных компенсирующими вольфрамовым и молибденовым дисками, на эмитерный переход вентиля с никелевым омическим контактом припаивают вольфрамовый диск с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с, ним располагают и припаивают снабженный нихромовым выводом диск, диаметр которого меньше диаметра отверстия, вытравливают припой и верхний слой перехода в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками и используют в качестве контакта управляющего электрода отвод от молибденового диска.155236 едактор Богатырева С. Л. Техред А. А. Камышникова Корректор Т. В. Муллина 08/ы. обретенд. 4. Тип. ЦИНТИПРИБОРЭЛЕКТРОПРОМ. Москва, Е, 2-й Плехановский туп., 12 Подп, к печ. 22/Ч 1-63 Заказ 1007. ЦНИИПИ Государе г. Формат бум. 70 Х Тираж 1226,твенного комитета по делам Москва, Центр, пр. Серо